スパッタガスの英語

酸化スパッタチャンバ１１内には、スパッタガスとして窒素を導入し、プロセスガスとして二酸化炭素を導入する。例文帳に追加

Nitrogen is introduced as a sputtering gas and carbon dioxide is introduced as a processing gas, into an oxidation sputtering chamber 11. - 特許庁

第１の誘電体薄膜７と第２の誘電体薄膜８とを、それぞれ同一元素を用いて異なるスパッタガス圧によりスパッタ成膜する。例文帳に追加

The fist dielectric thin film 7 and the second dielectric thin film 8 are formed by sputtering same element(s) under different sputtering gas pressures. - 特許庁

ＺｎＯバッファ層２の形成時よりもスパッタガス中の酸素ガス流量が少ない条件でＺｎＯ半導体層３を形成する。例文帳に追加

Here, the ZnO semiconductor layer 3 is formed in such a manner that the oxygen gas flow rate in a sputter gas is smaller than that during the formation of the ZnO buffer layer 2. - 特許庁

本発明の化合物半導体素子の製造方法は、スパッタガス雰囲気中でＡｕＳｉ膜を形成する工程を包含する化合物半導体素子の製造方法であって、該スパッタガスが、アルゴンガス（Ａｒ)と窒素ガス（Ｎ_2）を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing a compound semiconductor element is one involving a step of forming an AuSi film under a sputter gas ambiance, and the sputter gas contains an argon gas (Ar) and a nitrogen gas (N2). - 特許庁

また、第一の処理室１１の内部に、スパッタガスを導入して、スパッタガスのプラズマが第一〜第三のターゲットのうち、いずれか一つのターゲットをスパッタすることにより基板７０の表面に薄膜を形成することができる。例文帳に追加

Moreover, sputtering gas is introduced into the interior of the first treatment chamber 11, and either one out of first to third targets is sputtered by plasma of the sputtering gas, thereby capable of forming a thin film on the surface of the substrate 70. - 特許庁

スパッタリング後のスパッタガスの少なくとも一部を、クラスター生成室のクラスター取出口よりもガス流に対して上流側で排出することにより、該取出口から排出されるガス中に含まれるスパッタガスの量を、クラスター生成室に導入した量より少なくする。例文帳に追加

At least a portion of a sputtering gas after sputtering is exhausted at the upstream of a cluster discharge opening of a cluster production chamber against a gas flow so that the amount of the sputtering gas contained in a gas exhausted from the discharge opening becomes less than the amount introduced into the cluster production chamber. - 特許庁

圧電セラミックスよりなる圧電部品に電極をスパッタリング法により形成する方法において、Ｎｉ−Ｃｒ合金をターゲット材料とし、スパッタガスにＡｒガスを使用し、スパッタガス圧を０．２〜０．５Ｐａの範囲に設定してスパッタリングを行う。例文帳に追加

In the method wherein an electrode is formed on the piezoelectric component composed of piezoelectric ceramic by a sputtering method, a Ni-Cr alloy is made to be a target material, Ar gas is used as sputtering gas, a sputtering pressure is set in a range of 0.2-0.5 Pa, and sputtering is performed. - 特許庁

前記ターゲット２にスパッタ電源３からパルス状のスパッタ電力を供給し、真空チャンバ１内に供給されたスパッタガスのプラズマを形成し、前記スパッタガスのイオンを前記ターゲット２に衝突させてスパッタ粒子を放出させ、このスパッタ粒子をイオン化して前記基材に堆積させる。例文帳に追加

The target 2 is fed with pulse-like sputtering power from a sputtering power source 3, so as to form the plasma of a sputtering gas fed inside the vacuum chamber 1, the ions of the sputtering gas are collided against the target 2, so as to release sputtering particles, and the sputtering particles are ionized and are deposited on the base material. - 特許庁