sputtering gasesとは 意味・読み方・使い方

During the scan film deposition, using two kinds of gases with different sputtering rates as sputtering gases, the gas flow rates of the two gases are controlled by first and second mass flow controllers 4a, 4b, respectively.例文帳に追加

このスキャン成膜中に、スパッタガスとしてスパッタレートの異なる２種類のガスを用いて、２つのガスのガス流量を第１、第２のマスフローコントローラ４ａ、４ｂによってそれぞれ制御する。 - 特許庁

This ECR sputtering method attains an excellent nitriding reaction and a high sputtering yield by irradiating a substrate with plasma originating from a sputter target, simultaneously ionizing reactive gases such as nitrogen gas and irradiating the substrate with ions of the ionized reactive gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。 - 特許庁

The fluorine-containing water repellent film is deposited on a substrate by sputtering a target of silicon or silicon dioxide in a reduced pressure gaseous atmosphere containing oxygen, nitrogen and gaseous fluorine compound as reactive gases.例文帳に追加

珪素または二酸化珪素のターゲットを反応性ガスとしての酸素および窒素とフッ素化合物ガスとを含む減圧ガス雰囲気内でスパッタリングして基板上にフッ素含有の撥水性膜を成膜する。 - 特許庁

A magnetic layer 3 is formed by introducing Ar and Kr gases in a process chamber and performing sputtering so as to increase the ratio of Ar gas flow against Kr gas flow (Ar gas flow/Kr gas flow) according to the increase of the integrated power of the target.例文帳に追加

ターゲットの積算電力の増加に応じてＫｒガス流量に対するＡｒガス流量の比（Ａｒガス流量／Ｋｒガス流量）が増加するようにして、ＡｒおよびＫｒガスをプロセスチャンバ内に導入してスパッタリングを行うことにより磁性層３を形成する。 - 特許庁

There is provided a method of manufacturing the light emitting device for depositing a semiconductor layer by using a the target material representative of a semiconductor material and the sputtering apparatus having parts covered with the thermal spraying material with the same material as the target material, and applying high-frequency power by using the target material in an atmosphere containing rare gases.例文帳に追加

半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 - 特許庁

In the film deposition method by the magnetron sputtering method, the soiling due to the organic materials stuck on the surface of the substrate is removed by producing a plasma gas of gaseous oxygen which is composed of 30-100 vol.% gaseous oxygen and 0-70 vol.% one or more kinds of gases selected from gaseous helium, gaseous neon, gaseous argon, gaseous xenon and gaseous krypton and using the gaseous oxygen plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法による成膜方法において、３０〜１００容積％の酸素ガスと、０〜７０容積％の窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスの中から選ばれる１種以上のガスとからなり、酸素ガスのプラズマ気体を発生させ、該酸素プラズマを用いて基板の表面に付着した有機系物質の汚れを除去する。 - 特許庁