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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Wiktionary英語版 > sputtering outの意味・解説 

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Wiktionary英語版での「sputtering out」の意味

sputtering out


「sputtering out」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 106



例文

The sputtering process comprises a step of sputtering a conductive member of an increased hardness with ion in order to take out copper from the conductive member.例文帳に追加

スパッタリングプロセスは、導電性部材から銅を取り出すために、増大した硬度の導電性部材をイオンで叩くステップを有する。 - 特許庁

Sputtering treatment is carried out by directing the surface of a molded resin article 1 placed on a holder 2 toward a sputtering target 3.例文帳に追加

ホルダー2上に載せた樹脂成形品1の表面をスパッタリング用ターゲット3に対向させてスパッタリングを行う。 - 特許庁

The sputtering is carried out on conditions that the kind of sputtering gas is mixed gas containing hydrogen gas and inert gas of 5:95 to 20:80 mixing ratio (%) and that the temperature of the substrate is 0 to -20°C.例文帳に追加

スパッタリングガス種:水素ガスと不活性ガスの混合比率(%)が5:95〜20:80である混合ガス、基板温度:0〜−20℃。 - 特許庁

when the thin film is formed using a magnetron sputtering device, a prescribed magnetic field is kept applied, while sputtering is being carried out.例文帳に追加

薄膜がマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜される場合、スパッタが行われる間、所定の磁場が常に保持され続ける。 - 特許庁

Film is formed by the sputtering of the holder 2 in addition to the sputtering of the target 3 and the sputtering of the holder 2 is carried out by using the particles generated from the target 3.例文帳に追加

ターゲット3のスパッタで成膜するだけでなく、ホルダー2もスパッタして成膜するとともに、ホルダー2のスパッタをターゲット3から出る粒子を利用して行う。 - 特許庁

If the depot attaches inside the gap 64, the ions scraped out from the gap 64 through ion sputtering.例文帳に追加

隙間64内部にデポが付着していれば、イオンスパッタにより隙間64の外へ掻き出される。 - 特許庁

例文

To increase the number of target atoms vertically beat out from a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。 - 特許庁

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「sputtering out」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 106



例文

As the film deposition in this method is carried out by sputtering, the film deposition rate is higher than that of a vapor deposition method.例文帳に追加

しかも、成膜はスパッタによるものであるため蒸着法に比べると成膜レートが早い。 - 特許庁

In the case a sputtering method is used as a method to form the silicon oxide layer, film formation is carried out by using the sputtering method so that the concentration of oxygen gas in the atmospheric gas introduced into the sputtering device becomes 5 to 30 vol.%.例文帳に追加

シリコン酸化物層を形成するための方法として、スパッタリング法を用いる場合には、スパッタリング装置に導入される雰囲気ガス中の酸素ガスの濃度が5〜30体積%となるように、スパッタリング法を用いて成膜を行う。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of ameliorating the texture of crystal orientation of the target, of improving the uniformity of a film when sputtering is carried out, and of enhancing the quality of sputtering deposition and greatly improving the yield of manufacturing and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性(ユニフォーミティ)を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

Thin film deposition is performed by a sputtering method, and fluorine in the film is doped by introducing fluorine compound gas such as ethylene fluoride into a vacuum film deposition system while thin film deposition is carried out by sputtering.例文帳に追加

薄膜はスパッタリング法で被覆され、膜のなかのフッ素はスパッタリングで薄膜を被覆する際に、フッ化エチレンなどのフッ素化合物ガスを真空成膜装置に導入してドープする。 - 特許庁

The surfactant has vapor pressure of less than 1 Pa at 100°C, resulting in preventing the degree of vacuum from lowering due to gas generated from the urethane foam during sputtering, thus allowing sputtering to be carried out successfully.例文帳に追加

界面活性剤の100℃における蒸気圧が1Pa未満であるため、スパッタリング時にウレタンフォームからガスが発生して真空度が低下することが防止され、スパッタリングを良好に行うことができる。 - 特許庁

The film 3 is formed through a sputtering method carried out in a sputtering atmosphere of argon gas into which a small amount of nitrogen gas is kept being introduced using a pure titanium target.例文帳に追加

この成膜は、純チタンをターゲットとしたスパッタリング法により、スパッタリング雰囲気にアルゴンガスとともに少量の窒素ガスを導入しながら行う。 - 特許庁

On the sputtering device forming a protective film on an organic electroluminescent element formed on a substrate, the shape of the target is cylindrical, and sputtering is carried out in the inside of the cylindrical form.例文帳に追加

基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成するスパッタ装置において、ターゲットの形状が円筒形であって、円筒形の内側でスパッタリングが行われることを特徴とするスパッタ装置。 - 特許庁

例文

To provide a sputtering method carrying out sputtering process in a correction part in a circuit in an intended process shape without reducing processing yield.例文帳に追加

加工歩留まりを低下させることなく、回路修正個所におけるスパッタ加工を意図した加工形状にて行うことのできるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

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