「sputtering gas」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FILM-FORMING METHOD BY GAS-FLOW SPUTTERING例文帳に追加

ガスフロースパッタリング成膜方法 - 特許庁

The sputtering is carried out on conditions that the kind of sputtering gas is mixed gas containing hydrogen gas and inert gas of 5:95 to 20:80 mixing ratio (%) and that the temperature of the substrate is 0 to -20°C.例文帳に追加

スパッタリングガス種：水素ガスと不活性ガスの混合比率（％）が５：９５〜２０：８０である混合ガス、基板温度：０〜−２０℃。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of constantly controlling the film deposition rate without controlling the sputtering power, the sputtering gas partial pressure, the sputtering gas flow rate or the like.例文帳に追加

スパッタ電力、スパッタガス分圧、スパッタガス流量等の制御を行うことなく成膜速度を一定に制御することを可能にしたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.例文帳に追加

第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁

Nitrogen is introduced as a sputtering gas and carbon dioxide is introduced as a processing gas, into an oxidation sputtering chamber 11.例文帳に追加

酸化スパッタチャンバ１１内には、スパッタガスとして窒素を導入し、プロセスガスとして二酸化炭素を導入する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF THIN-FILM GAS SENSOR USING DOUBLE ION BEAM SPUTTERING例文帳に追加

二重イオンビームスパッタリングを用いる薄膜ガスセンサの製造方法 - 特許庁

A photocatalytic titanium oxide thin film is deposited by gas flow sputtering.例文帳に追加

ガスフロースパッタリングにより、成膜された光触媒酸化チタン薄膜。 - 特許庁

At least one layer of the laminated film is a gas barrier sputtering film 4A.例文帳に追加

積層膜の少なくとも一層は、ガスバリア性スパッタ膜４Ａである。 - 特許庁

The sputtering conditions are 5 Pa gas pressure, 3 kw power, and 5 see time.例文帳に追加

スパッタ条件は、ガス圧：５Ｐａ、パワー：３ｋｗ、時間：５ｓｅｃとした。 - 特許庁

In a sputtering method, a sputtering gas containing a noble gas is introduced from two or more points into a vacuum chamber 1, a molecular weight of the sputtering gas introduced from around the target 2 is controlled to be larger than those of any sputtering gasses introduced from around a substrate 51, and also an introduction gas plasma source 13 is provided around the target 2 to convert the sputtering gas into plasma.例文帳に追加

希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。 - 特許庁

At the time of arranging a substrate 15 in a sputtering system 1 and sputtering a copper target 21, a trace amt. of air is introduced from piping 31 for adding gas and is added to a sputtering gas.例文帳に追加

スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。 - 特許庁

The soft magnetic film is formed in a sputtering chamber 11 by a sputtering method while inert gas and hydrogen are introduced.例文帳に追加

スパッタ室１１内に、不活性ガスとともに水素を導入しながら軟磁性膜をスパッタ法により成膜する。 - 特許庁

(2) In the method for manufacturing the phase transition type optical recording medium, a sputtering gas containing nitrogen is used when the reflecting layer is formed by sputtering.例文帳に追加

（２）反射層をスパッタリングにより形成するに際し、窒素を含むスパッタリングガスを用いる相変化型光記録媒体の作製方法。 - 特許庁

In the sputtering step, a high frequency power (RF1) is supplied to an antenna coil 23, and a sputtering gas plasma is formed inside a vacuum tub 21.例文帳に追加

スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。 - 特許庁

The fist dielectric thin film 7 and the second dielectric thin film 8 are formed by sputtering same element(s) under different sputtering gas pressures.例文帳に追加

第１の誘電体薄膜７と第２の誘電体薄膜８とを、それぞれ同一元素を用いて異なるスパッタガス圧によりスパッタ成膜する。 - 特許庁

The above sputtering is performed under conditions of 0.5-1.1 mTorr sputtering gas pressure, 3-15 W/cm^2 discharge power density, and 100-300°C substrate temperature.例文帳に追加

スパッタリングガス圧：０．５〜１．１ｍＴｏｒｒ、放電パワー密度：３〜１５Ｗ／ｃｍ^2、基板温度：１００〜３００℃ - 特許庁

With the configuration, the sputtering gas having high molecular weight is preferentially ionized, thereby improving the sputtering performance.例文帳に追加

このようにすることにより、分子量の大きいスパッタリングガスを優先的にイオン化することによりスパッタリング能力を高めることができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming an optical recording medium protective film free from the generation of crack even in high power gas sputtering.例文帳に追加

大電力スパッタリングを行っても割れ発生がない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The target 2 is fed with pulse-like sputtering power from a sputtering power source 3, so as to form the plasma of a sputtering gas fed inside the vacuum chamber 1, the ions of the sputtering gas are collided against the target 2, so as to release sputtering particles, and the sputtering particles are ionized and are deposited on the base material.例文帳に追加

前記ターゲット２にスパッタ電源３からパルス状のスパッタ電力を供給し、真空チャンバ１内に供給されたスパッタガスのプラズマを形成し、前記スパッタガスのイオンを前記ターゲット２に衝突させてスパッタ粒子を放出させ、このスパッタ粒子をイオン化して前記基材に堆積させる。 - 特許庁

In the method wherein an electrode is formed on the piezoelectric component composed of piezoelectric ceramic by a sputtering method, a Ni-Cr alloy is made to be a target material, Ar gas is used as sputtering gas, a sputtering pressure is set in a range of 0.2-0.5 Pa, and sputtering is performed.例文帳に追加

圧電セラミックスよりなる圧電部品に電極をスパッタリング法により形成する方法において、Ｎｉ−Ｃｒ合金をターゲット材料とし、スパッタガスにＡｒガスを使用し、スパッタガス圧を０．２〜０．５Ｐａの範囲に設定してスパッタリングを行う。 - 特許庁

At least a portion of a sputtering gas after sputtering is exhausted at the upstream of a cluster discharge opening of a cluster production chamber against a gas flow so that the amount of the sputtering gas contained in a gas exhausted from the discharge opening becomes less than the amount introduced into the cluster production chamber.例文帳に追加

スパッタリング後のスパッタガスの少なくとも一部を、クラスター生成室のクラスター取出口よりもガス流に対して上流側で排出することにより、該取出口から排出されるガス中に含まれるスパッタガスの量を、クラスター生成室に導入した量より少なくする。 - 特許庁

The sputtering gas is introduced in the discharging space 18 by a sputtering gas introduction system 30, and the reaction gas is introduced in the container 10 by a reaction gas introduction system 31 from the outside of the discharging space 18.例文帳に追加

スパッタリングガスは、スパッタリングガス導入系３０より放電空間１８に導入され、反応ガスは反応ガス導入系３１より放電空間１８外から容器１０内に導入される。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent thin film with sputtering is characterized by performing sputtering so as to make the content of sputtering-gas-composing atoms in the thin film to be 0.05 atom.% or less.例文帳に追加

スパッタリング法により透明薄膜を製造するにあたり、上記薄膜中に含有されるスパッタリングガスの構成原子が０．０５原子％以下となるようにスパッタリングを行うことを特徴とする透明薄膜の製造方法。 - 特許庁

The sputtering apparatus 10 is operated in a transition area mode for performing the sputtering at high speed in an atmosphere containing gaseous oxygen by changing the introduction ratio of a sputtering gas to the gaseous oxygen by a flow rate controller 13.例文帳に追加

スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。 - 特許庁

When the ITO film of the pixel electrode 9a is formed, the target is not changed between in a first sputtering step ST1 and in a second sputtering step ST2 but the oxygen gas flow rate ratio in the second sputtering step ST2 is set high.例文帳に追加

かかる画素電極９ａは、ＩＴＯ膜を成膜する際、第１スパッタ工程ＳＴ１と第２スパッタ工程ＳＴ２との間でターゲットを変えず、第２スパッタ工程ＳＴ２での酸素ガス流量比を大に設定する。 - 特許庁

The sputtering gas is introduced to the film-forming zone 20 through a first sputtering gas introduction pipe 2a arranged in a position close to the outlet 11d, and through a second sputtering gas introduction pipe 2b arranged in the position far from the outlet 11d.例文帳に追加

成膜プロセスゾーン２０へのスパッタガスの導入は、排気口１１ｄから近い位置に設けられた第１のスパッタガス導入管２ａからのスパッタガスの導入と、排気口１１ｄから遠い位置に設けられた第２のスパッタガス導入管２ｂからのスパッタガスの導入とで行う。 - 特許庁

To provide an organic light emitting display and a deposition method for depositing an electrode or a passivation layer by means of a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method by mixing Ar with an inert gas heavier than Ar.例文帳に追加

Ａｒよりさらに重い非活性ガスをＡｒと混合してボックスカソードスパッタリング(Box Cathode Sputtering)あるいは対向ターゲットスパッタリング（Facing Target Sputtering法で電極またはペッシベーション層を蒸着させた有機発光表示装置及び蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁

By using process gas for sputtering as the pressurized gas, non-stabilization of plasma is prevented when the pressurized gas leaks from the film 4.例文帳に追加

加圧ガスとして、スパッタリングのプロセスガスを使用することで、フィルム４から加圧ガスが漏出した場合のプラズマの不安定化を防ぐ。 - 特許庁

A material gas for CVD film deposition and a material gas for sputtering film deposition can be supplied into a plasma chamber 12 by gas feeding deices 14A and 14B, respectively.例文帳に追加

プラズマ室１２にはガス供給装置１４Ａ，１４ＢによりＣＶＤ成膜用ガスおよびスパッタ成膜用ガスを供給することができる。 - 特許庁

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas.例文帳に追加

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

A zinc-oxide film is formed by a sputtering method, in which a non-doped zinc-oxide target and Ar gas and oxygen gas for the discharge gas are used.例文帳に追加

ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてＡｒガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。 - 特許庁

Ar gas is introduced as sputtering gas from a gas introduction pipe 106 for sputtering, and the pressure in a chamber 101 is regulated to 0.5-10 Pa by a variable conductance valve 114.例文帳に追加

スパッタ用ガス導入管１０６からスパッタ用ガスとしてＡｒガスが導入され、チャンバ１０１内の圧力は可変コンダクタンスバルブ１１４によって０．５〜１０Ｐａに調圧される。 - 特許庁

A mixing ratio of water or hydrogen gas added to a sputtering gas is changed according to a scanning position of a substrate, in a process for depositing by introducing the sputtering gas into a deposition chamber and relatively scanning against a target with rotating the substrate.例文帳に追加

成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。 - 特許庁

The metal nitride layer is formed by sputtering the metal in the nitrogen gas.例文帳に追加

該チッ化金属層は、金属を窒素ガス中でスパッタリングすることで形成される。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR SPUTTERING SILICON FILM USING MIXTURE GAS OF HYDROGEN例文帳に追加

水素ガス混合気を用いてシリコン膜をスパッタリングするシステムおよびその方法 - 特許庁

The transparent conductive film 26 is formed by a sputtering method using gas containing krypton.例文帳に追加

クリプトンを含むガスを用いたスパッタリング法により透明導電膜２６を形成する。 - 特許庁

The photocatalyst thin film of titanium oxide is preferably produced by film forming of a gas-flow sputtering.例文帳に追加

この光触媒酸化チタン薄膜は、ガスフロースパッタリングにより成膜されることが好ましい。 - 特許庁

The amorphous film (a-Si film) 3 is formed through a sputtering method using Ar gas.例文帳に追加

非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３は、Ａｒガスを用いたスパッタ法にて形成する。 - 特許庁

The target material is deposited on the substrate by sputtering the oxide target with noble gas.例文帳に追加

酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。 - 特許庁

An i layer 4 is formed by a reactive sputter method for performing sputtering in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ｉ層４は酸素ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法で成膜されている。 - 特許庁

At the time of deposition, oxygen is added to the sputtering gas of argon, and an amorphous film is produced.例文帳に追加

デポジッションの際、アルゴンのスパッタリング・ガスに酸素を添加し、アモルファス膜を作る。 - 特許庁

Preferably, the leakage flux is ≤0.2 T, and the range of the sputtering gas pressure is 0.1-0.3 Pa.例文帳に追加

好ましくは、漏洩磁束を０．２Ｔ以下とし、スパッタガス圧の範囲を０．１〜０．３Ｐａとする。 - 特許庁

Thereby, a thin film is formed on the surface of the flexible substrate by the gas-flow sputtering technique.例文帳に追加

これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 - 特許庁

The electrode is formed by sputtering the base material at 5-85°, in a nonactive gas atmosphere, with respect to the base material.例文帳に追加

また、不活性ガス雰囲気下で、前記基材に対して、５〜８５°でスパッタリングによって形成される。 - 特許庁