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surface depletion layerとは 意味・読み方・使い方
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「surface depletion layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 63件
This depletion layer spreads over the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
この空乏層は半導体基板表面まで広がる。 - 特許庁
Electrons of the component of a surface depletion layer and electrons of the component of the layer 35 are respectively doped to each of the layers 37 and 39.例文帳に追加
そして、各プレーナドープ層が表面空乏層の分の電子とチャネル層の分の電子をそれぞれドープする。 - 特許庁
In the method for measuring the capacitance of a depletion layer on the major surface of a wafer, capacitance of the depletion layer is measured while interposing a dielectric between major rear surface of the wafer and a rear surface electrode for mounting the wafer.例文帳に追加
ウェーハ主表面の空乏層容量を測定する方法であって、ウェーハの主裏面と該ウェーハを載置する裏面電極の間に誘電体を介在させた状態で空乏層容量を測定するようにした。 - 特許庁
Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加
ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁
To reduce depletion layer capacity, restrain an off electric current small and realize high speed responsiveness by restraining formation of a depletion layer 13 on a surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
半導体基材１１の表面に空乏層１３が形成されるのを抑えることにより、空乏層容量を小さくし、且つオフ電流を小さく抑え、高速応答を可能とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor photodetector for which a surface current flowing to the boundary with a passivation film of the side wall of a depletion layer is reduced and long-term reliability is improved by making the outer periphery of the layer of the second conductivity and the layer of the first conductivity holding the depletion layer of the semiconductor photodetector there between narrower than the depletion layer.例文帳に追加
半導体受光素子の空乏層を挟む第二の導電型の層および第一の導電型の層を空乏層より外周を狭めることにより、空乏層の側壁のパッシベーション膜との界面に流れる表面電流を減らし、長期信頼性を改善した半導体受光素子を提供する。 - 特許庁
A depletion layer extended from the surface of the p-n junction to an inside of a drift region 33 is formed, in a state with the power off, and the lower drift region 33b is disposed outside the range to which the depletion layer is extended.例文帳に追加
オフ状態では、ｐｎ接合面からドリフト領域３３内に向けて伸びる空乏層が形成され、下部ドリフト領域３３ｂはその空乏層が伸びる範囲外に配置されている。 - 特許庁
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「surface depletion layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 63件
A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.例文帳に追加
光電変換部２３を形成する第１導電型の空乏層形成領域２４の表面に暗電流成分を抑制する第２導電型の表面蓄積層２５を有し、表面蓄積層２５が空乏層形成領域２６より広く形成されて成る - 特許庁
To provide a method wherein a depletion layer is formed stably on a surface of a p-type silicon epitaxial layer and measurement of the surface photoelectromotive force on the surface is enabled with superior precision.例文帳に追加
ｐ型シリコンエピタキシャル層の表面に空乏層を安定して形成し、該表面における表面光起電力測定を精度よく行うことができる方法を提供する。 - 特許庁
Due to such a formation of holes around the joint surface, the depth of depletion layer becomes equivalent to the thickness tSOI1 of single-crystal layer 21.例文帳に追加
このように接合面付近にホールが存在することによって、空乏層深さが単結晶層２１の厚さｔ_SOI1に相当することとなる。 - 特許庁
Capacitance of the dielectric is as high as one hundred times or more of the capacitance of the depletion layer on the major surface of the wafer.例文帳に追加
前記誘電体の静電容量は、前記ウェーハ主表面の空乏層容量の１００倍以上である。 - 特許庁
Thus, a depletion layer is prevented from being formed near the surface of a high specific resistance area 3 equivalent to the lower side of the conduction layer 9 with such constitution.例文帳に追加
このような構成とすれば、導電層９の下側に当たる高比抵抗領域３の表面付近に空乏層が形成されることが防止される。 - 特許庁
Thus, the generation of the depletion layer is suppressed by efficiently doping phosphorus atoms over the poly- crystalline silicon film having the rugged surface.例文帳に追加
これにより、表面凹凸形状のポリシリコン膜にリン原子を効率的にドーピングして空乏層の発生を抑制する。 - 特許庁
Next, by a measuring probe, ΔV_s which is made detectable by a depletion layer formed near the surface of the wafer is detected.例文帳に追加
次に、測定プローブにより、ウェハの表面近傍に形成された空乏層によって検出可能となったΔＶ_ｓを検出する。 - 特許庁
A silicon carbide layer 70 is provided on a substrate 81, and has single crystal structure of hexagonal crystal, and a surface PF on which a depletion layer DL is formed.例文帳に追加
炭化珪素層７０は、基板８１上に設けられ、かつ六方晶の単結晶構造を有し、かつ空乏層ＤＬが形成される表面ＰＦを有する。 - 特許庁
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