surge forwardとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device which enhances forward surge breakdown strength while maintaining a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

高い逆方向耐圧を維持しつつ順方向サージ破壊耐量を高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for surge protection which suppresses a clamp voltage of forward direction while realizing low capacitance between terminals.例文帳に追加

低端子間容量を実現しながら順方向のクランプ電圧を抑えたサージ保護用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high surge resistance and allowing improvement of forward current density.例文帳に追加

本発明の実施形態は、サージ耐量が高く、順方向の電流密度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧ＶＦとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流ＩＲが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide an electrode structure for an SiC Schottky diode having a guard ring for improving a forward surge breakdown voltage and its manufacturing method.例文帳に追加

ガードリングを有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、順サージ電流耐量を向上させるための電極構造と形成方法を与える． - 特許庁

To provide an inexpensive diode exhibiting excellent total balance of ESD resistance, reverse surge resistance, forward voltage drop VF characteristics, reverse breakdown voltage characteristics, and the like.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量、逆方向サージ耐量、順方向電圧降下ＶF特性、逆耐圧特性等の総合バランスに優れ、かつ安価なダイオードを提供すること - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a SBD structure capable of improving a surge withstand and reducing a resistance value in forward direction.例文帳に追加

サージ耐量の向上が図れ、かつ、順方向における抵抗値の低減も図ることが可能な構造のＳＢＤを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses a semiconductor element made of a wide-gap semiconductor, in which a rated surge forward current can be increased with a simple structure.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体からなる半導体素子を用いた半導体装置において、簡単な構成で定格サージ順電流を大きくできる半導体装置を提供する。 - 特許庁