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日英・英日専門用語辞書での「surge forward current」の意味

surge forward current


「surge forward current」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

To provide a semiconductor device having high surge resistance and allowing improvement of forward current density.例文帳に追加

本発明の実施形態は、サージ耐量が高く、順方向の電流密度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧VFとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流IRが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein an LED has weak points on excessive current, reverse voltage, static electricity, surge current, and heat, and has restrictions on a circuit design such as individual differences and a wide range of variations in forward voltage (Vf).例文帳に追加

LEDは過大電流、逆電圧、静電気、サージ電流、熱などに弱い上に順電圧(Vf)に個体差がありばらつきも大きいという回路設計上の制約を抱えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses a semiconductor element made of a wide-gap semiconductor, in which a rated surge forward current can be increased with a simple structure.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体からなる半導体素子を用いた半導体装置において、簡単な構成で定格サージ順電流を大きくできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To sufficently enhance resistance enough to withstand lightning surge against the damping factor di/dt of reverse recovery current in a converter diode or the like while forward voltage VF is being kept low.例文帳に追加

コンバータダイオード等において、順電圧VFを低く保ったまま、逆回復電流の減衰率di/dtに対する耐量を雷サージに耐え得る程度に十分に高くすること。 - 特許庁

To sufficiently increase capability of an attenuation factor di/dt of a reverse recovery current to a degree capable of withstanding a lightning surge with keeping a forward voltage VF low in a converter diode and the like.例文帳に追加

コンバータダイオード等において、順電圧VFを低く保ったまま、逆回復電流の減衰率di/dtに対する耐量を雷サージに耐え得る程度に十分に高くすること。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high.例文帳に追加

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。 - 特許庁

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「surge forward current」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for manufacturing the semiconductor device having no deterioration of forward voltage (VF) characteristics and peak surge current (IFS) characteristics in a comparatively short process.例文帳に追加

比較的短いプロセスで、順電圧(VF)特性や尖頭サージ電流(IFS)特性の劣化のない半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an LED lighting circuit which can solve circuit design restriction that an LED is susceptible to an excessive current, a reverse voltage, static electricity, a surge current, heat and the like and a forward voltage (Vf) has an individual difference with large deviations, and which is inexpensive and highly efficient in power with a long life.例文帳に追加

LEDは過大電流、逆電圧、静電気、サージ電流、熱などに弱い上に順電圧(Vf)に個体差がありばらつきも大きいという回路設計上の制約を解決し、安価でかつ電力効率が高く長寿命なLED照明回路を提供する。 - 特許庁

This power factor improving power supply circuit once stores surge energy generated at a switch element 3 off time in a capacitor 10 through the forward conduction of a charge storage type diode 9 having a long carrier lifetime, connected in parallel with the switch element 3 by an inductor for reducing the reverse recovery current of the reverse-current blocking diode 6, and returns the surge energy to a load during its reverse conduction period.例文帳に追加

逆流阻止用ダイオード6の逆回復電流を低減するためのインダクタにより、スイッチ素子3のオフ時に発生するサージエネルギーを、スイッチ素子3に並列接続されたキャリアライフタイムの長い電荷蓄積型ダイオード9の順方向導通を通してコンデンサ10に一旦蓄え、その逆方向導通期間に前記サージエネルギーを負荷に戻すことを特徴とする力率改善型電源回路。 - 特許庁

例文

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドI/Oに接地端子GNDに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドI/OからP^+拡散層PD1−NウェルNW1の順方向ダイオードを経由してNチャネルMOSトランジスタNMOSのブレークダウン電流Itrigが流れる。 - 特許庁

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「surge forward current」の意味に関連した用語

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