target hardnessとは 意味・読み方・使い方

To produce a sputtering target material made of glassy carbon for depositing a carbon protective film having high strength and high hardness and capable of corresponding to film-thinning.例文帳に追加

薄膜化に対応できる高強度、高硬度の炭素保護膜を形成するためのガラス状炭素製スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The in-plane uniformity of the thickness of the film such as the TaN film can be improved, based on the reduction of the hardness dispersion of the Ta target.例文帳に追加

Ｔａターゲットの硬さのばらつきを低減したことに基づいて、ＴａＮ膜などの膜厚の面内均一性を高めることができる。 - 特許庁

Further, in the sputtering target composed substantially of Si, the content of oxygen is controlled to the range of 0.01 to 1 mass%, and Vickers hardness is controlled to the range of 300 to 800 Hv as well.例文帳に追加

さらに、Ｓｉから実質的になるスパッタリングターゲットは、酸素含有量が0.01〜1質量％の範囲、またビッカース硬さがHv300〜800の範囲とされている。 - 特許庁

To provide a technology which enables an Ni-Pt alloy ingot to be rolled by lowering the hardness thereof, and stably and efficiently manufactures a rolled target.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供する。 - 特許庁

A contact penetrator is pressed to the surface of a measuring target 50 and the indentation load W applied to the contact penetrator and the indentation depth (x) of the contact penetrator are used to evaluate the hardness and softness of the measuring target 50.例文帳に追加

測定対象物５０の表面に接触圧子を押し付け、その接触圧子に負荷する押込荷重Ｗと接触圧子の押込深さｘを使用して測定対象物５０の硬軟を評価する。 - 特許庁

In the Mo sputtering target with a purity of 99.9% or more, an average crystal grain size is 60 μm or less, an average Vickers hardness Hv on the face to be sputtered is 150-200, and a dispersion of Vickers hardness Hv is within ±10%.例文帳に追加

純度９９．９％以上のＭｏスパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径が６０μｍ以下、スパッタ面の平均ビッカース硬度Ｈｖが１５０〜２００でビッカース硬度Ｈｖのばらつきが±１０％以内であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a soft magnetic alloy for perpendicular magnetic recording medium which has excellent amorphous property, hardness and corrosion resistance, and a sputtering target material for forming a thin film of the alloy.例文帳に追加

アモルファス性、硬さ、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金及び、この合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film.例文帳に追加

シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 - 特許庁