ternary semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To suppress a deterioration in a memory cell due to overcurrent in a multivalued semiconductor storage device capable of storing ternary or more storage states.例文帳に追加

３値以上の記憶状態を格納可能な多値型の半導体記憶装置において、過電流によるメモリセルの劣化を抑止する。 - 特許庁

To achieve a multi-level semiconductor memory device storing multi-level data of ternary or more values by utilizing a nonvolatile memory device storing binary data.例文帳に追加

２値データを格納する不揮発性メモリ装置を利用して、３値以上の多値データを記憶する多値半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory which can hold storage data of ternary per one cell using a memory cell of one transistor one capacitor type.例文帳に追加

１トランジスタ１キャパシタ型のメモリセルを用いて、１セル当たり３値の記憶データを保持することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a write-in method, by which multi-level data can be written at high speed, in a nonvolatile semiconductor memory device, in which a memory cell can store data of ternary level or higher.例文帳に追加

メモリセルが３値以上のデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置において、多値データを高速に書き込める書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a word driver outputting ternary voltage while relaxing breakdown strength in a MOS transistor and a semiconductor device using this driver.例文帳に追加

本願発明は、MOSトランジスタにおける耐圧を緩和しながら、３値の電圧を出力するワードドライバ並びにこれを用いた半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

To measure accurately ternary judgment of an output state of a memory by operating a memory under actual operation conditions in a semiconductor integrated circuit device (1) comprising a logic mixed memory.例文帳に追加

ロジック混載メモリを含む半導体集積回路装置（１）において、正確にメモリの出力状態の３値判断を実動作条件下においてメモリを動作させて測定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which is equipped with in-out interface capable of transacting ternary signal without increasing circuit scale or power consumption.例文帳に追加

回路規模や消費電力を増大させずに３値信号を扱うことの可能な入出力インターフェースを備えた半導体集積回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate capable of maintaining the in-plane uniformity of epitaxial characteristics and capable of ensuring the high yield and high reliability of a device even when a nitride compound semiconductor having ternary or more mixed-crystal compositions is used and a manufacturing method for the nitride semiconductor substrate and an epitaxial substrate for the nitride semiconductor light-emitting device using the nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

３元以上の混晶組成を有する窒化物系化合物半導体を用いても、エピ特性の面内均一性を維持でき、デバイスの高い歩留まりと高信頼性を確保できる窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁