thin film Sとは 意味・読み方・使い方

The crystallization device includes a substrate stage S for supporting the substrate 1 where the amorphous silicon thin film 3 is formed.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜３が形成された基板１を支持する基板ステージＳを有する。 - 特許庁

The thin-film solar cell 1 is sucked and released from the suction stage 6, is conveyed, and the thin-film film Fa is separated from the thin-film solar cell 1 by a separation mechanism S.例文帳に追加

薄膜太陽電池１を吸着ステージ６から吸着解除し、搬送し、剥離機構Ｓにより薄膜フィルムＦａを薄膜太陽電池１から剥離する。 - 特許庁

The polarization conversion is an interesting phenomenon, by which a fraction of p(s)-polarized light incident on the anisotropic thin film is reflected as an s(p)-polarized light.例文帳に追加

偏光変換は、異方性薄膜に入射するｐ（ｓ）偏光の一部をｓ（ｐ）偏光として反射させる、興味ある現象である。 - 特許庁

In this structure, when positive potential V_S is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, then the potential V_S is also applied to the end of the spiral thin film layer 6 connected to the high potential electrode 2, thereby forming uniform potential distribution over the spiral thin film layer.例文帳に追加

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。 - 特許庁

A resist film 91 as a mask layer is formed on a substrate S, thin film piezoelectric material 73, and a second electrode film 75b.例文帳に追加

基板Ｓ、薄膜圧電体７３及び第２の電極膜７５ｂの上にマスク層としてのレジスト膜９１を形成する。 - 特許庁

The thin film transistor has a semiconductor thin film PSI and a pair of gate electrodes F-GATE and S-GATE for clamping the semiconductor thin film PSI from above and below through insulating films 1GOX and 2GOX.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、半導体薄膜ＰＳＩと、絶縁膜１ＧＯＸ，２ＧＯＸを介して半導体薄膜ＰＳＩを上下から挟む一対のゲート電極Ｆ−ＧＡＴＥ、Ｓ−ＧＡＴＥとを有する。 - 特許庁

Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER, Cu(InGa)(S, Se)2 THIN FILM LAYER, SOLAR BATTERY AND METHOD FOR FORMING Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法 - 特許庁

At that time, a lattice constant as, of the substrate is selected so that the relationship of 1.001≤ad/as≤1.021 is met to a lattice constant ad of the dielectric thin film, and desired epitaxial stress is applied to a thin film.例文帳に追加

その際、誘電体薄膜の格子定数ａ_d に対して、 １．００１≦ａ_d ／ａ_s ≦１．０２１ なる関係を満たすように基板の格子定数ａ_s を選び、薄膜に望みのエピタキシャル応力を印加する。 - 特許庁