ti substrateとは 意味・読み方・使い方

This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁

As the result of examining the Ti substrate after the processing, it can be confirmed that the capability of the Ti substrate which is subjected to the plasma nitriding processing keeping 200°C is the best.例文帳に追加

処理後のＴｉ基板を調べた結果、２００℃に保ってプラズマ窒化処理を行ったＴｉ基板の性能が最も良かったことが確認できた。 - 特許庁

An Au substrate metal layer 5 made of Ti or Ti-based material is disposed on the external connection terminal pad 2.例文帳に追加

また、この外部接続端子パッド２上には、Ｔｉ又はＴｉ系材料からなるＡｕ下地金属層５が設けられている。 - 特許庁

A Ti layer and a Pd layer are successively formed on a semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体基板１２上にＴｉ層およびＰｄ層を順に形成する。 - 特許庁

Thereafter, a second metal film of Ti or the like is formed on the insulated substrate 1.例文帳に追加

その後、絶縁性基板１上に、Ｔｉ等の第２の金属膜を形成する。 - 特許庁

The temperature of the Ti substrate is changed diversely, and a plasma nitriding processing is carried out.例文帳に追加

そして、Ｔｉ基板の温度を種々に変更してプラズマ窒化処理を行った。 - 特許庁

A monocrystalline silicon substrate is thermally oxidized to form a silicon oxide layer, a Ti close adhesion layer is formed on the silicon oxide layer by sputtering, and a Pt lower electrode layer is successively formed on the Ti close adhesion layer by sputtering.例文帳に追加

単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。 - 特許庁

A Ti isolation layer is formed on an auxiliary substrate of sapphire or the like, and a base player of TiN is formed on the Ti isolation layer.例文帳に追加

サファイア等の補助基板の上にＴｉからなる分離層を形成し、当該分離層の上にＴｉＮからなる下地層を形成する。 - 特許庁