tin crystalsとは 意味・読み方・使い方

The surface layer has needle crystals containing zinc as the principal constituent and a solid solution phase which contains tin as the principal constituent enclosing the needle crystals and dissolves the additive.例文帳に追加

この表層部は、亜鉛を主成分とする針状結晶化と、この針状結晶を囲む錫を主成分とし、上記添加材を固溶する固溶相とを有する。 - 特許庁

In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加

得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁

To provide a luminous fluorescent substance for handrails, characterized by mixing an aluminate as matrix crystals with the oxides of calcium, strontium, sodium and tin as activators.例文帳に追加

アルミン酸塩を母体結晶とし、該母体結晶に賦活剤としてマグネシュウム、カルシュウム、ストロンチュウム、ナトリュウム、錫の酸化物を混合したことを特徴とする手摺用蓄光性蛍光体を提供すること。 - 特許庁

The hard film 3 is composed of TiN type titanium nitride, the lattice constant of the crystals lies in the range of 0.4255 to 0.4355 nm, and the content of Ti is 30 to 49 atomic %.例文帳に追加

硬質皮膜３は、ＴｉＮ型の窒化チタンからなり、結晶の格子定数が０．４２５５〜０．４３５５ｎｍの範囲にあり、Ｔｉの含有量が３０〜４９原子％である。 - 特許庁

In the CrMoV based heat resistant steel, trace impurities such as phosphorous, sulfur, copper, aluminum, arsenic, tin and antimony are reduced to specified levels or lower, the heat treatment conditions therefor are controlled, and the JIS grain size number of the crystals is controlled to 3 to 6.例文帳に追加

ＣｒＭｏＶ系耐熱鋼において、燐、硫黄、銅、アルミニウム、砒素、錫、アンチモン等の微量不純物を特定のレベル以下まで低減させ、熱処理条件を制御して結晶をＪＩＳ結晶粒度番号で３〜６にする。 - 特許庁

In this epitaxial silicon wafer, an epitaxial film is made on the sub wafer constituted of silicon single crystals, where boron concentration is 4×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 and the concentration of tin is 1×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3.例文帳に追加

ボロンの濃度が4×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３で、錫の濃度が1×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３であるシリコン単結晶によるサブウェーハ上に、エピタキシャル膜が形成されているエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 特許庁

Further, the surface states of the tin oxide thin membranes which can be changed by the membrane forming conditions of the sputtering unit is the membrane stress variable thin membranes formed to the state on the way of the crystal growth or the state that the crystals after the growth draw each other.例文帳に追加

また、スパッタ装置の成膜条件により変化させることができる酸化スズ薄膜の表面状態を、結晶成長途中の状態もしくは結晶成長後の結晶同士が相互に引き合う状態とするように形成した膜応力可変薄膜であること。 - 特許庁