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tin fluorideとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 フッ化スズ
「tin fluoride」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The TiN fluoride layer 7 can be formed by treating the TiN film 6 by means of SF6 plasma.例文帳に追加
ＴｉＮ弗化層７は、ＴｉＮ膜６をＳＦ_6 プラズマで処理する等により形成できる。 - 特許庁
By this configuration mentioned, wettability of an aluminum alloy compared with the TiN layer free from process subject to plasma treatment, while the TiN fluoride layer 7 remairs conductive on the surface of the TiN film 6.例文帳に追加
上記構成を採用することにより、ＴｉＮ層６表面のＴｉＮ弗化層７は導電性でありながら、プラズマ処理しないＴｉＮ層と比較してアルミニウム合金の濡れ性を大きく低減できる。 - 特許庁
Aluminium nitride, zinc oxide, polyvinylidene fluoride and the like are adopted as materials of the tin-film piezoelectric body 6.例文帳に追加
薄膜状圧電体６の材料としては、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ポリフッ化ビニリデン等が採用される。 - 特許庁
The peeling liquid for the coating of tin or the tin alloy comprises an aqueous solution including (a) hydrogen peroxide (b), ammonium acid fluoride (c), inorganic acid (d), amidosulfuric acid or amidosulfuric acid salt, and (e) a thioamide compound.例文帳に追加
（ａ）過酸化水素、（ｂ）酸性フッ化アンモニウム、（ｃ）無機酸、（ｄ）アミド硫酸又はアミド硫酸塩、及び（ｅ）チオアミド化合物を含有する水溶液である錫又は錫合金皮膜剥離液。 - 特許庁
A TiN fluoride layer 7 is present on the surface of a TiN film 6 comprising metallic material of high melting point deposited on a silicon oxide film 2 and a contact hole 3, and the main wiring material composed mainly of aluminum and the like is deposited thereon.例文帳に追加
シリコン酸化膜２上およびコンタクトホール３上に堆積した高融点金属材料からなるＴｉＮ膜６の表面にＴｉＮ弗化層７が存在し、この上にアルミニウム等を主成分とする主配線材料８が堆積される。 - 特許庁
The production method for the composition includes mixing the chloride or fluoride of tin and the chloride or alkoxide of titanium in a solvent of aqueous ammonia or potassium hydroxide solution, reacting, drying and then burning.例文帳に追加
この前駆体組成物を製造するには、スズ塩化物又はフッ化物とチタン塩化物又はアルコキシドとをアンモニア水あるいは水酸化カリウム溶液の溶媒中で混合し、反応させた後乾燥・焼成する。 - 特許庁
To remove a deposited foreign matter 106 consisting of a metal fluoride generated at the time of performing processing such as etching by a fluorine-based gas on a metal film containing titanium such as TiN film 103 in a manufacturing process of an electronic device.例文帳に追加
電子デバイスの製造工程において、ＴｉＮ膜１０３等のチタンを含む金属膜に対してフッ素系ガスによってエッチング等の加工をした際に発生する、金属フッ化物からなる析出異物１０６を除去する。 - 特許庁
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「tin fluoride」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The sensitizer solution for depositing reduction-precipitation film consisting of acid aqueous solution containing at least one kind of anions selected from the group consisting of fluoride ions and borofluoride ions and bivalent tin ions, and further containing reducing substances as necessary.例文帳に追加
フッ化物イオン及びホウフッ化物イオンからなる群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンと、２価のスズイオンを含有し、更に、必要に応じて還元性物質を含有する酸性水溶液からなる還元析出皮膜形成用センシタイザー溶液。 - 特許庁
The process hydrofluorinates chloro(fluoro)butane of the general formula: C_4H_5Cl_xF_5-x (wherein, x=1 to 5) with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst chosen from the derivatives of IIIa, IVa, IVb, Va, Vb and VIb metals, especially antimony pentachloride or tin tetrachloride, at 50-150°C and under 2-40 bar.例文帳に追加
周期表IIIa族、 IVa族、 IVb族、Va族、Vb族、及び VIb族元素の金属の誘導体から選ばれる触媒、特に五塩化アンチモン及び四塩化スズの存在下、温度50℃〜150℃で、圧力２〜40barでフッ化水素により一般式Ｃ_4Ｈ_5Ｃｌ_XＦ_5-X（式中、ｘ＝１〜５）のクロロ（フルオロ）ブタンをヒドロフルオロ化する。 - 特許庁
This method for producing 1,1,1,3,3-pentafluoropropane comprises fluorinating 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene with hydrogen fluoride in a reaction zone containing a catalyst comprising activated carbon carrying the halogenation product of a high atomic valency metal selected from the halogenation products of antimony, tantalum, niobium, molybdenum, tin and titanium in a gaseous phase.例文帳に追加
１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンをアンチモン、タンタル、ニオブ、モリブデン、スズ、チタンのハロゲン化物から選ばれた高原子価金属ハロゲン化物を担持した活性炭からなる触媒の存在する反応領域においてフッ化水素で気相フッ素化する。 - 特許庁
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