vr-18とは 意味・読み方・使い方

In a SDRAM, a detector 17 gives a high level of signal ϕ to a latch circuit 18, according to a pad 11 being a given test potential higher by a prescribed voltage ΔV than an inner power source potential VPP=VR.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭにおいて、ディテクタ１７は、パッド１１に内部電源電位ＶＰＰ＝ＶＲよりも所定の電圧ΔＶだけ高いテスト電位が与えられたことに応じて「Ｈ」レベルの信号φ１７をラッチ回路１８に与える。 - 特許庁

A voltage signal output circuit 18 comprises resistors R2, R3 each outputting a reference voltage Vref1, resistors R4, R5 each outputting a reference voltage Vref2, a comparator CP1 comparing the output voltage VR of the energizing circuit 17 and the reference voltage Vref1, and a comparator CP2 comparing the output voltage VR and the reference voltage Vref2.例文帳に追加

電圧信号出力回路１８は、基準電圧Ｖｒｅｆ１を出力する抵抗器Ｒ２，Ｒ３と、基準電圧Ｖｒｅｆ２を出力する抵抗器Ｒ４，Ｒ５と、通電回路１７の出力電圧ＶＲと基準電圧Ｖｒｅｆ１とを比較するコンパレータＣＰ１と、出力電圧ＶＲと基準電圧Ｖｒｅｆ２とを比較するコンパレータＣＰ２とを備えている。 - 特許庁

A detection circuit 24 detects the level of an R signal from the VR 1 of the analog attenuator 18 wherein VR1, VR2, VR3 are operated interlocked with each other, and a detection circuit 26 detects the level of an L signal from the VR2 and supplies the detection signals to a CPU 28.例文帳に追加

ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３が連動するアナログ減衰器１８において、ＶＲ１からのＲ信号のレベルを検波回路２４で検出し、ＶＲ２からのＬ信号のレベルを検波回路２６で検出してＣＰＵ２８に供給する。 - 特許庁

Since the image is not formed for the regions before and after the MIP image, the detailed image is obtained for a lesion inside the 3DROI 18, and the position relation with the peripheral tissue is recognized by observing the VR image.例文帳に追加

ＭＩＰ画像の前後の領域については画像が形成されていないため、３ＤＲＯＩ１８内の病変部について詳細な画像が得られ、ＶＲ画像を観察することで周辺組織との位置関係を把握することができる。 - 特許庁

For a region other than the 3DROI 18, by performing volume rendering with the region other than the region formed by projecting a 2DROI 15 in a projection direction (the depth direction of a screen 13a) as an object, VR image data are prepared.例文帳に追加

３ＤＲＯＩ１８以外の領域については、２ＤＲＯＩ１５を投影方向（画面１３ａの奥行き方向）に投影することで形成された領域以外を対象としてボリュームレンダリングを行うことでＶＲ画像データを作成する。 - 特許庁

During an off-period of a PWM signal and during a period until the ringing following the turn-on of the PWM is extinguished, on-driving of a transistor 18 is performed, and a reference voltage Vr is generated which has a high voltage level exceeding an allowable voltage range of terminal voltages Vu, Vv, Vw.例文帳に追加

ＰＷＭ信号のオフ期間とＰＷＭオンに伴うリンギングが消滅するまでの期間、トランジスタ１８をオン駆動し、端子電圧Ｖｕ、Ｖｖ、Ｖｗの取り得る電圧範囲を超える高い電圧レベルを持つ基準電圧Ｖｒを生成する。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage Vr of a diode constituted between the anode contact region 8 and the drain/ cathode region 2 is made lower than an drain/source blocking voltage BVdss of a power MOS which is constituted of the drain/cathode region (NBL) 2, gate structure 18, and source region 5.例文帳に追加

アノードコンタクト領域８とドレイン・カソード兼用領域２との間に構成されるダイオードの逆方向降伏電圧Ｖrが、ドレイン・カソード兼用領域（ＮＢＬ）２、ゲート構造１８及びソース領域５からなるパワーＭＯＳのドレイン−ソース間耐圧ＢＶdssよりも低い。 - 特許庁

The detecting device is a variable resistor(VR) 42 directly connected to a rotating shaft 18 and having a movable terminal which moves according to the rotation of the lid 12 while in contact with a resistance between two fixed terminals, for outputting the potential difference between the movable terminal and the fixed terminals.例文帳に追加

検出装置は、回転軸１８に直結され、２個の固定端子間の抵抗に接触しつつ蓋の回転に応じて移動する可動端子を有し、可動端子と固定端子との間の電位差を出力する可変抵抗器（ＶＲ）４２である。 - 特許庁