キャリア再結合の英語

量子井戸層６の両側にキャリア滲みだし防止層５ａ，５ｂを設けた構成とすることにより、量子井戸層６内でのキャリアの存在確率を増大させ、発光再結合の割合を上げる。例文帳に追加

Carrier exudation preventive layers 5a and 5b are provided on both sides of the quantum well layer 6, so that the possibility of presence of carrier in the quantum well layer 6 is raised for promoting light-emission recombination rate. - 特許庁

これにより、ＦＷＤのリカバリ時に領域部ダメージ層２０にてＮ−型基板１０内の過剰キャリアを再結合によって消滅させ、逆方向電流に寄与するキャリアを減少させる。例文帳に追加

Accordingly, excessive carriers in the N^--type substrate 10 are removed through re-coupling in the regional damage layer 20 on the occasion of recovery of FWD to reduce the carriers making contribution to a backward current. - 特許庁

この構成により、２つの量子井戸層７ａ，７ｂの発光再結合をほぼ同一に制御することができるようになり、一方の量子井戸で起きていたキャリアの数が多過ぎることによるキャリア準位の幅広化を防ぐことができる。例文帳に追加

With this configuration, the light-emission recombination of two quantum well layers 7a and 7b is controlled almost simultaneously, and widening of carrier levels caused by excessive amount of carriers occurring at one quantum well is prevented. - 特許庁

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。例文帳に追加

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other. - 特許庁

シリコン基板等の半導体基板の表面を一層不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合を一層低減する。例文帳に追加

To further reduce the recombination of carriers on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon substrate by further inactivating the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

発光層６内でのキャリア滞留時間が長くなるため電子と正孔の再結合確率が高まり、発光効率が高くなる。例文帳に追加

Recombination probability of electron and hole is increased to increase luminous efficiency because carrier holding time is longer in the layer 6. - 特許庁

またＤＣ−ＰＢＨ構造の場合は、キャリア再結合層のテラス上の適当な位置にマスクを形成すればよい。例文帳に追加

In the case of a DC-PBH structure, the mask may be formed on an appropriate location on a terrace of a carrier recombination layer. - 特許庁

その結果、再結合で使われない余剰のキャリアによる発熱量を減らすことができ、有機ＥＬ素子の劣化を防止できる。例文帳に追加

As a result, heat-generating amount caused by excessive carrier not used in recombination can be reduced, and deterioration of the organic EL element can be prevented. - 特許庁