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基板界面の英語
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英訳・英語 substrate interface
「基板界面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1281件
回路基板およびそれを用いた界面抵抗測定方法例文帳に追加
CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MEASURING INTERFACE RESISTANCE USING THE SAME - 特許庁
これにより、ゲート絶縁膜4と半導体基板1との界面での界面準位密度が低下する。例文帳に追加
Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls. - 特許庁
Si基板と、ゲート絶縁膜との界面を改善しつつ、界面付近へのNの拡散を防止する。例文帳に追加
To prevent the diffusion of N into the vicinity of an interface while improving the interface between an Si substrate and a gate insulating film. - 特許庁
第1の境界面は基板(5)であり、第2の境界面は右側案内部材1であり、第3の境界面は左側案内部材(2)である。例文帳に追加
The first boundary face is a substrate 5, the second boundary face is a right side guide member 1, and the third boundary face is a left side guide member 2. - 特許庁
半導体基板上に窒化された界面を形成するための方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING NITRIDE INTERFACE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
シリコン基板と絶縁膜の界面の状態を評価するための方法例文帳に追加
METHOD FOR EVALUATING STATUS OF INTERFACE BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND INSULATING FILM - 特許庁
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「基板界面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1281件
印刷および同類用のマーキング部材・基板間界面の予熱例文帳に追加
PREHEATING OF INTERFACE BETWEEN MARKING MEMBER/SUBSTRATE FOR PRINTING AND THE LIKE - 特許庁
基板とメニスカスとの境界面およびその取り扱い方法例文帳に追加
INTERFACE BETWEEN SUBSTRATE AND MECHANICS AND HANDLING METHOD OF THE SAME - 特許庁
酸化層/基板界面は比較的にプリスチンであり、欠陥がない。例文帳に追加
The oxide-layer/substrate interface is relatively pristine and defect-free. - 特許庁
レジスト剥離用界面活性剤及びこれを用いた基板処理方法例文帳に追加
RESIST PEELING INTERFACIAL ACTIVE AGENT AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING THE SAME - 特許庁
界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。例文帳に追加
To deposit a thin film on a substrate while preventing interface diffusion. - 特許庁
材料基板から表示素子基板を切り出す際に表示素子基板に形成された電極部の界面剥離を防止する。例文帳に追加
To prevent the boundary peeling of electrode parts formed at a display element substrate when cutting out the display element substrate from a material substrate. - 特許庁
第一の基板と第二の基板を接合する段階において、基板加熱時間と接合界面の温度を最適化する。例文帳に追加
In a stage of bonding a first substrate to a second substrate, the substrate heating time and the temperature of the bond interface are optimized. - 特許庁
半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。例文帳に追加
To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film. - 特許庁
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substrate interface
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