| 例文 (10件) |
"エネルギ準位"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
エネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法例文帳に追加
APPARATUS OF MEASURING ENERGY LEVEL, AND METHOD OF MEASURING ENERGY LEVEL - 特許庁
耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。例文帳に追加
To provide an apparatus of measuring an energy level and a method of measuring an energy level capable of measuring difference between an energy level of a quantum dot and that of a semiconductor material and the like adjacent to the quantum dot without giving damage even if a sample has a low thermal resistance. - 特許庁
サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。例文帳に追加
Difference between an energy level of a quantum dot included in the sample 100 and that in the bottom of the conductive band of an insulating layer close to or adjacent to the quantum dot is obtained as an irradiating energy E2 of the irradiation light with the wavelength λ2 to enable to measure the energy level with accuracy. - 特許庁
また、同じサイズの量子ドット６Ｓ，６Ｍ，６Ｌを厚さ方向に配列することで、キャリアの移動方向に同一のエネルギ準位を並べ、エネルギを失うことなくトンネル効果によってキャリアを移動させて、電流を取り出す。例文帳に追加
Further, equal energy levels are arranged in a moving direction of carriers by arraying quantum dots 6S, 6M and 6L of the same size in a thickness direction, and carriers are moved through tunnel effect without losing energy, thereby extracting a current. - 特許庁
キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、第３の半導体材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。例文帳に追加
In this case, the third semiconductor materials and the thickness of the quantum well layer are selected, so that the difference between the energy level of the lower part of the conductive band of the carrier closed layer and the base level of electrons in the quantum well layer can be set, so that is not less than 100 meV. - 特許庁
ＡｌＧａＡｓ層の価電子帯は、ＧａＡｓ層の価電子帯の上端よりも低く、ＩｎＡｌＰ層の価電子帯の上端よりも高いエネルギ準位の範囲に形成される。例文帳に追加
The valence band of the AlGaAs is formed in a range lower in energy level than the upper end of the valence band of the GaAs layer and higher than that of the InAlP layer. - 特許庁
この超短パルス照射と同期して電圧パルス印加回路（１０）から、量子井戸の励起子振動のエネルギ差ΔＥが、コヒーレント縦光学フォノンの振動エネルギ（ＥＬＯ）と等しくなるように、サブバンドの正孔エネルギ準位（ＨＨ１，ＨＨ２）を調整する。例文帳に追加
Positive hole energy levels (HH1, HH2) of the subbands are adjusted by a voltage pulse applying circuit (10) synchronizing with the ultra short pulse irradiation, so that a difference (ΔE) of exciton oscillation energy of the multiple quantum well is equal to an oscillation energy (ELO) of coherent longitudinal optical phenons. - 特許庁
蛍光体は、SrとInとの複合酸化物SrIn_2O_4 にPrが含まれて構成されることから、電子線によってそのSrIn_2O_4 が励起されるとその励起エネルギでPrがそのエネルギ準位に応じた発光色、例えば波長610(nm) 程度の赤色に発光させられる。例文帳に追加
A phosphor is constituted by incorporating Pr into a composite oxide SrIn2O4 of Sr and In and accordingly, upon excitation of SrIn2O4 by an electron beam, by the excitation energy Pr is allowed to emit an emission color corresponding to the energy level, for example, a red color with a wavelength of about 610 nm. - 特許庁
キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。例文帳に追加
The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher. - 特許庁
本願発明は、光信号光を他の制御光を用いて制御し、フォトニック結晶６１を配し、該フォトニック結晶６１の高誘電体部に量子ドットを配し、制御光の波長域に量子ドットのエネルギ準位及びフォトニック結晶の誘電体バンドを設定し、信号光の波長域にフォトニック結晶のエアーバンドを設定する。例文帳に追加
The element is formed by controlling the light signal light by using another control light, disposing the photonic crystals 61, disposing the quantum dots in the high dielectric sections of the photonic crystals 61, setting the energy levels of the quantum dots and the dielectric bands of the photonic crystals at the wavelength region of the control light and setting the air bands of the photonic crystals at the wavelength region of the signal light. - 特許庁
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