例文 (9件) |
"金拡散"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
金拡散防止層形成工程では、凹部78に金拡散防止層を形成する。例文帳に追加
In the gold-diffusion-prevention-layer forming step, a gold diffusion prevention layer is formed in each recess 78. - 特許庁
白金拡散10が深くされた領域が実効ゲート部分となる。例文帳に追加
A region made deep the platinum diffusion 10 is formed into an effective gate part. - 特許庁
金属層形成工程では、銅箔層73及び金拡散防止層を除去して、金層33を積層構造体の主面から突出させる。例文帳に追加
In the metal-layer forming step, the copper foil layer 73 and the gold diffusion prevention layer are removed, so that the gold layer 33 projects from the main face of the laminated structure. - 特許庁
ゲート電極9は、斜め方向からの成膜に起因してソース側で膜厚が厚く、ドレイン側で膜厚が薄くなっており、膜厚の厚いソース側では白金拡散10が深くされ、膜厚の薄いドレイン側では白金拡散10が浅くされている。例文帳に追加
The film thickness of the gate electrode 9 is formed large on a source side and is formed thin on a drain side due to the film formation from the oblique direction, a platinum diffusion 10 is made deep in the source side of the thick film thickness and the platinum diffusion 10 is made shallow on the drain side of the thin film thickness. - 特許庁
また、フリー磁性層4の軟磁性層4bをNiFe合金、拡散防止層4aをCoFe合金を用いて形成することにより、フリー磁性層4の磁歪定数λの絶対値を1.3ppm以下にすることができる。例文帳に追加
Moreover, a soft magnetism layer 4b of a free magnetism layer 4 is made of an NiFe alloy, and a diffusion preventing layer 4a is made of an CoFe alloy, thereby enabling the absolute value of magnetostrictive constant λ of the free magnetism layer 4 can be set to 1.3 ppm or smaller. - 特許庁
体積率で、5〜40%のパーライト相と、20〜60%の微細な炭化物が分散した炭化物分散相と、5〜20%の高合金拡散相からなる基地相中に、硬さがHv700〜1300の硬質粒子を3〜20%分散させる。例文帳に追加
This sintered alloy material is prepared by dispersing hard particle of Hv. 700-1300 by 3-20 vol.% into the base material phase which consists of 5-40vol.% of a perlite phase, 20-60vol.% of a fine carbide-dispersed phase and 5-20vol.% of high alloy-diffused phase. - 特許庁
体積率で、5〜40%のパーライト相と、20〜60%の微細な炭化物が分散した炭化物分散相と、5〜20%の高合金拡散相からなる基地相中に、硬さがHv700〜1300の硬質粒子を3〜20%分散させる。例文帳に追加
Into the base phase composed of a pearlitic phase of, by volume, 5 to 40%, 20 to 60% carbide dispersed phase in which fine carbides are dispersed and 5 to 20% high alloy diffused phase, hard particles having 700 to 1,300 Hv hardness are dispersed by 3 to 20%. - 特許庁
多層配線基板は、凹部形成工程、金拡散防止層形成工程、端子形成工程、樹脂絶縁層形成工程、導体形成工程及び金属層除去工程を経て製造される。例文帳に追加
The multilayer wiring substrate is manufactured through a recess forming step, a gold-diffusion-prevention-layer forming step, a terminal forming step, a resin-insulating-layer forming step, a conductor forming step, and a metal-layer removing step. - 特許庁
例文 (9件) |
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