「"Schottky diodes"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An attaching hole 27b for housing and arranging a pair of schottky diodes 41, 42 is formed near the tip of the arm 27.例文帳に追加

アーム２７の先端部近くには、一対のショットキーダイオード４１、４２を収容配置するための取付孔２７ｂが形成されている。 - 特許庁

No specialized devices, such as bipolar transistors, Zener or Schottky diodes, or specially-processed resistors, are required by the TCR circuit.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ、ツェナーダイオードもしくはショットキーダイオード、または特別に処理された抵抗器などの特化されたデバイスは、ＴＣＲ回路では必要とされない。 - 特許庁

The present Schottky diodes 300 may be mounted to a submount in a flip chip arrangement, thereby further reducing the forward voltage as well as improving electric power dissipation and reducing heat generation.例文帳に追加

本ショットキーダイオード３００は、フリップチップ配列のサブマウントに取付けることができ、それによって更に順方向電圧を低下させ、電力散逸を改善し、そして熱生成を減少させる。 - 特許庁

Wiring between the magnetic head and the schotty diode can be shortened by attaching the schottky diodes 41, 42 to a part of the arm 27 near to the magnetic head, so that an influence of noise can be suppressed.例文帳に追加

ショットキーダイオード４１、４２を磁気ヘッドに近いアーム２７の部分に取り付けることにより、磁気ヘッドとショットキーダイオードとの間の配線を短くでき、ノイズの影響を抑制できる。 - 特許庁

the OLED captures an antenna output from the portable telephone set by an antenna ANT, rectifies the antenna output with Schottky diodes SD1, SD2 and a capacitor C2 and gives the antenna output to the OLED to make the OLED emit light.例文帳に追加

このＯＬＥＤは、携帯電話機からの空中線出力をアンテナＡＮＴで取り込み、これをショットキーダイオードＳＤ１，ＳＤ２とコンデンサＣ２により整流してＯＬＥＤに与えて発光させる。 - 特許庁

In power transistors, the reduction in dielectric coupling reduces switching power losses, and in Schottky diodes, the trench width is reduced.例文帳に追加

パワートランジスタにおいて、誘電結合部における低減によりスイッチング電力損失が低減させられ、ショットキダイオードにおいてトレンチ幅が低減させられ得る。 - 特許庁

Semiconductor devices include an insulated trench electrode 11 in a trench 20, for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity 23 is provided between the bottom 25 of the trench electrode 11 and the bottom 27 of the trench 20 to reduce the dielectric coupling between the trench electrode 11 and the body portion 14 at the bottom 27 of the trench 20.例文帳に追加

トレンチ型電界効果パワートランジスタ及びトレンチ型ショットキダイオードのような、トレンチ２０において絶縁トレンチ電極１１を含む半導体デバイスにおいて、トレンチ２０の底部２７において本体部分１４とトレンチ電極１１との間の誘電結合部を低減させるために、トレンチ２０の底部２７とトレンチ電極１１の底部２５との間にキャビティ２３がもたらされる。 - 特許庁

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁

The terminal box B connects solar cell panels (solar cell modules) M of a photovoltaic generation system in parallel or in series, wherein a plurality of terminal boards 12 to which the electrodes a of the solar cell modules M are connected are arranged in parallel and schottky diodes 13 for reverse current prevention are provided between the adjoining terminal boards 12 and 12, respectively.例文帳に追加

太陽光発電システムの太陽電池パネル（太陽電池モジュール）Ｍを並列又は直列に接続する端子ボックスＢであり、太陽電池モジュールＭの電極ａが接続される複数の端子板１２を並列に配設し、その隣り合う各端子板１２、１２間に逆流防止用ショットキーダイオード１３を設ける。 - 特許庁