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"crystal block"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 19件
Inside the crystal block 20, modification regions 21 are formed.例文帳に追加
結晶塊20の内部には、複数の改質領域21が形成されている。 - 特許庁
The scintillator 2A includes a crystal block 20 which allows the incidence of radiation to emit scintillation light.例文帳に追加
シンチレータ2Aは、放射線の入射によりシンチレーション光を発生する結晶塊20を備える。 - 特許庁
The crystal holder 3 supports the two crystal blocks 2a, 2b in the fixed state in the state where mutual angles are adjusted so that X-ray diffraction is generated in both of the first crystal block 2a and the second crystal block 2b.例文帳に追加
結晶ホルダ3は、第1結晶ブロック2aと第2結晶ブロック2bの両方でX線回折が生じるように互いの角度が調整された状態でそれら2つの結晶ブロック2a,2bを固定状態で支持する。 - 特許庁
The scintillator 2 includes a crystal block 20 which has crystallizability and allows the incidence of radiation to emit scintillation light and is used to supply the scintillation light to photodetectors 3 and 4 coupled optically onto the surface of the crystal block 20.例文帳に追加
シンチレータ2は、結晶性を有し放射線の入射によりシンチレーション光を発生する結晶塊20を備え、該結晶塊20の表面と光学的に結合される光検出器3,4にシンチレーション光を提供するために用いられる。 - 特許庁
To provide an apparatus and a method for automatically washing silicon single crystal block of a large diameter and a heavy weight.例文帳に追加
大口径高重量シリコン単結晶ブロックを自動で洗浄する装置及び方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Each of the scattering regions 21 is formed by irradiating the inside of the crystal block 20 with laser light and includes two or more cracks 21a which extend respectively along two or more plane directions parallel to a certain axis line and intersect each other inside the crystal block 20.例文帳に追加
各散乱領域21は、結晶塊20の内部にレーザ光を照射することにより形成され、結晶塊20の内部において或る軸線と平行な2以上の面方向に沿って各々延在し互いに交差する2つ以上のクラック21aからなる。 - 特許庁
To provide a method for producing a sapphire single crystal block having a desired crystal orientation accurately in a short time at a low cost and an apparatus for the method.例文帳に追加
所望の結晶方位を有するサファイア単結晶ブロックを、短時間、低コストで精度良く製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁
The modification regions 21 are formed by applying laser light inside the crystal block 20 and have a refractive index inside it which is different from that around it.例文帳に追加
複数の改質領域21は、結晶塊20の内部にレーザ光を照射することにより形成され、結晶塊20の内部において周囲と異なる屈折率を有する。 - 特許庁
A pixel located under an end of a CdTe single-crystal block 10 being the X-ray detection film is structured such that an upper pixel electrode 39, a pixel electrode 37 and a ground electrode 32 which are used for inputting charge to a pixel capacitance part 30 from the CdTe single-crystal block 10 are directly connected to one another through a hole formed by penetrating constituents sandwiched between the respective electrodes.例文帳に追加
X線検出膜であるCdTe単結晶ブロック10の端部の下に位置する画素において、CdTe単結晶ブロック10から画素容量部30に電荷を入力する上部画素電極39および画素電極37と接地電極32とが、各電極の間に挟まれる構成物を貫通して設けられた穴を介して直接的に接続されるよう構成する。 - 特許庁
Each of the modification regions 21 is shaped like a strip with a prescribed first direction taken as the longitudinal direction, and they are laid out mutually at intervals in the two-dimensional direction intersecting the first direction in the crystal block 20.例文帳に追加
複数の改質領域21は、所定の第1の方向を長手方向とする細長形状を各々呈しており、結晶塊20における第1の方向と交差する二次元方向に互いに間隔をあけて配置されている。 - 特許庁
In the crystal growing device, a heat radiation recess 232 is formed on a crystal support part 231 and a through hole 243 is formed in a heat insulating cover member 240, and therefore the crystal support part 231 radiates heat to efficiently grow a single crystal block CL.例文帳に追加
結晶支持部231に放熱凹部232が形成されており、貫通孔243が断熱カバー部材240に形成されているので、結晶支持部231が放熱されて単結晶塊CLが高効率に成長する。 - 特許庁
To extract X-ray beams selectively which are diffracted with various surface indexes, by forming two or more kinds of reflecting surface pairs on a common single crystal block, and by switching the reflection surface pair only by rotating a channel-cut monochromator.例文帳に追加
共通の単結晶ブロックに少なくとも2種類の反射面ペアを形成して、チャンネルカットモノクロメータを回転させるだけで反射面ペアを切り換えて、いろいろな面指数で回折させたX線ビームを選択的に取り出すことができるようにする。 - 特許庁
In a CLBO crystal manufacturing method for cutting a grown CLBO crystal block so as to form an approximately final shape and polishing the cut CLBO crystal, the cut CLBO crystal is annealed before at least final polishing in a polishing process.例文帳に追加
育成されたCLBO結晶塊を略最終形状になるようにカットして、これを研磨するCLBO結晶の製造方法において、CLBO結晶をカットをした後、少なくとも研磨工程における最終研磨の前にアニール処理を施す。 - 特許庁
This thermoplastic elastomer composition of slash molding is obtained by lending at least a polypropylene resin, a hydrogenated styrene/ butadiene rubber, an ethylene/octane copolymer, an olefin polymer having an active hydrogen, a catalyst promoting a reaction with an isocyanate, a plasticizer and an olefin-crystal/ethylenebutylene/olefin-crystal block copolymer as a compatibilizer.例文帳に追加
スラッシュ成形用の熱可塑性エラストマー組成物であって、少なくともポリプロピレン樹脂、水素添加スチレンブタジエンゴム、エチレン・オクテン共重合体、活性水素を有するオレフィン系ポリマー、イソシアネートとの反応を促進する触媒、可塑剤、そして相溶化剤としてオレフィン結晶・エチレンブチレン・オレフィン結晶ブロック共重合体を配合する。 - 特許庁
The apparatus for producing the sapphire single crystal block comprises a table 2 for fixing a sapphire single crystal ingot 1 to be processed, a core bit 4 for boring the ingot 1, a core drill unit 5 in which a motor for rotating the core bit is set, and a prop 6 for supporting the motor vertically movably.例文帳に追加
サファイア単結晶ブロックの製造装置は、加工対象となるサファイア単結晶インゴット1を固定するテーブル2と、前記インゴット1を穿孔するコアビット4と、前記コアビットを回転させるモーターを内蔵したコアドリルユニット5と、前記モーターを上下動可能に支持する支柱6とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁
Based on a crystal number stored in a storage medium, a block ID given to a crystal block, and a wafer ID given to each semiconductor wafer, it is easy to trace which route a particular semiconductor wafer passes in respective processing processes and how the semiconductor wafer is processed in the respective processing processes on a one by one basis of semiconductor wafer.例文帳に追加
記憶媒体に記憶された結晶番号、結晶ブロックに付与されたブロックIDおよび1枚毎の半導体ウェーハに付与されたウェーハIDに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されたかをウェーハ1枚毎に簡単に追跡することができる。 - 特許庁
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