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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "drain‐source resistance"に関連した英語例文

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"drain‐source resistance"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6



例文

To provide a high electron mobility transistor the drain-source resistance of which is reduced to suppress a power loss.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタにおいて、ドレイン‐ソース間抵抗を小さくし、電力の損失を抑える。 - 特許庁

The metal oxide semiconductor field effect transistor has a low drain-source resistance to prevent the deviation of resonance circuit frequency by over-connection of a plurality of lead wires to the coil.例文帳に追加

金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、低いドレーン−ソース抵抗を有して、コイルへの複数のリード線の過結合による共振回路周波数の偏移を防ぐ。 - 特許庁

The first and second switches can be realized as transistors capable of having a breakdown voltage of various on states and/or a drain-source resistance of an on state.例文帳に追加

これら第1および第2のスイッチは、様々なオン状態のブレークダウン電圧および/またはオン状態のドレインソース抵抗を持つことが可能なトランジスタとして実現する事が可能である。 - 特許庁

For the purpose, a current path is formed between a power line 531 and a source signal line 532 in parallel to a drive transistor 539 of each pixel to make small the apparent resistance value of the drive transistor 539, and then the drain-source resistance value of the drive transistor is decreased to reduce the rounding of the waveform.例文帳に追加

そのために各画素の駆動トランジスタの見かけの抵抗値を小さくするため、電源線とソース信号線間に駆動用トランジスタと並列に電流経路を形成することで、駆動用トランジスタのドレイン−ソース間抵抗値を低下させ、波形のなまりを小さくした。 - 特許庁

例文

A MOS transistor(TR), M101 and a MOS TR M102 configure a current mirror circuit and the drain-source resistance of the MOS TR M102 is changed so that the current i101 is equal to the current i102.例文帳に追加

MOS型トランジスタM101およびMOS型トランジスタM102はカレントミラー回路を構成しており、電流i101と電流i102が等しくなるようにMOS型トランジスタM102のドレイン−ソース抵抗が変化する。 - 特許庁


例文

Furthermore, the charging control IC11 makes the gate/source voltage VGS of the transistor Q2 changes, increases the drain/source resistance RDS of the transistor Q2, and increases the drain/source voltage VDS of the transistor Q2 so as to keep the value of the battery voltage VBATT constant (V1).例文帳に追加

充電制御用IC11はトランジスタQ2のゲート・ソース間電圧VGSを変化させ、トランジスタQ2のドレイン・ソース間抵抗RDSを大きくし、トランジスタQ2のドレイン・ソース間電圧VDSを大きくすることで、電池電圧VBATTの値をV1一定になるように制御する。 - 特許庁

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