「"phosphorus ions"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, the N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region and the P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region are respectively covered with resist masks 11, and the phosphorus ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧のＮＭＯＳ領域と高耐圧のＰＭＯＳ領域をレジストマスク１１で覆い、リンを回転注入する。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere.例文帳に追加

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。 - 特許庁

The antireflection film 4 is etched using the resist pattern 5 as a mask and phosphorus ions are implanted into the resist pattern 5 and the etched antireflection film 4.例文帳に追加

レジストパターン５をマスクとして反射防止膜４をエッチングした後、レジストパターン５とエッチングされた反射防止膜４とにリンイオンを注入する。 - 特許庁

The implantation of the phosphorus ions into the amorphous silicon film 14 prevents the growth of crystal grains to form a polysilicon film having no bumps and dips.例文帳に追加

層間絶縁膜１０上に位置するアモルファスシリコン膜１４にリンイオンが注入されることによって、結晶粒の成長が妨げられて、凹凸を有しないポリシリコン膜が形成される。 - 特許庁

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorus ions in order to form a source-drain region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成した後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。 - 特許庁

Phosphorus ions (P^+) are implanted at comparatively high implantation energy and at an inclination angle of 0°, and a second deep source region 36a and a second deep drain region 36b are formed.例文帳に追加

次に、リンイオン（Ｐ^+）を、比較的高い注入エネルギー，かつ傾き角０°で注入して、深い第２のソース領域３６ａ及び第２のドレイン領域３６ｂを形成する。 - 特許庁

Then, by using the resist 9B as a mask, P (phosphorus) ions of a second dosing amount larger than the first dosing amount are so implanted into the region 15C as to form an n-type diffusion region 10C adjacently to the p-type diffusion region 8D.例文帳に追加

そして、レジスト９Ｂをマスクとして、第１のドーズ量よりも大きい第２のドーズ量のＰ（リン）イオンが領域１５Ｃ上に注入され、ｐ型拡散領域８Ｄに隣接してｎ型拡散領域１０Ｃが形成される。 - 特許庁

To provide a device which absorbs, adsorbs, and removes nitrate nitrogen ions and phosphorus ions dissolved in water and suspended solids in water by an aquatic plant.例文帳に追加

水中に溶解した硝酸態窒素イオン、リンイオン並びに水中の浮遊固体を水生植物によって吸収、吸着除去する装置を提供すること。 - 特許庁

Waste water containing phosphate ions, ammoniacal nitrogen and calcium ions is passed upwardly through a reaction tower 1 and MAP is formed as an insoluble substance from the phosphorus ions in this waste water and separated in the presence of a magnesium compound.例文帳に追加

反応塔１にリン酸イオンとアンモニア性窒素とカルシウムイオンとを含む排水を上向流で流通させると共に、マグネシウム化合物の存在下に該排水中のリン酸イオンをＭＡＰの不溶化物として生成させ、これを分離する。 - 特許庁

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B.例文帳に追加

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。 - 特許庁

For comparison, the phosphorus ions are implanted on the polysilicon thin film at the high concentration, next, they are implanted on the polysilicon thin film at the low concentration, and then the inventive product having Vg-Id characteristics shown in a dotted line can be obtained by activating them by furnace annealing treatment.例文帳に追加

比較のために、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行なったところ、点線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する比較品が得られた。 - 特許庁