「りびどー」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

モノクローナル抗体及び該抗体を産生するハイブリドーマ例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY AND HYBRIDOMA PRODUCING THE SAME - 特許庁

ハイブリドーマ培養用培地及びモノクローナル抗体の生産方法例文帳に追加

MEDIUM FOR CULTURING HYBRIDOMA AND METHOD FOR PRODUCING MONOCLONAL ANTIBODY - 特許庁

アルミ合金製圧力容器に使用するドームおよびその製造方法例文帳に追加

DOME USED FOR ALUMINUM ALLOY PRESSURE VESSEL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

ベンゾインドール系化合物及びこれを利用した色素増感太陽電池例文帳に追加

BENZOINDOLE-BASED COMPOUND AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL USING THE SAME - 特許庁

スズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子及びその製造方法例文帳に追加

TIN/ANTIMONY-DOPED INDIUM OXIDE PARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

カスタマイズ可能な段部材アセンブリ及びウィンドーカバーの製造方法例文帳に追加

CUSTOMIZABLE STEP MEMBER ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING WINDOW COVERING - 特許庁

不純物ドーピング領域を含む半導体素子及びその形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING IMPURITY DOPED REGION AND METHOD FOR FORMING SAME - 特許庁

パラボラアンテナの組立法、組立用ジグ、および、レドーム取付金具例文帳に追加

ASSEMBLING METHOD OF PARABOLIC ANTENNA, ASSEMBLING JIG, AND RADOME ATTACHMENT FITTINGS - 特許庁

ドームコンタクトシートおよびクリックアクション付きスイッチ例文帳に追加

DOME CONTACT SHEET AND SWITCH WITH CLICK ACTION - 特許庁

メタルドームシート及びこれを備えたキー入力装置例文帳に追加

METAL DOME SHEET AND KEY INPUT DEVICE EQUIPPED WITH METAL DOME SHEET - 特許庁

レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法例文帳に追加

LASER DOPING TREATMENT METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

Ｄｙドープナノセリア系焼結体およびその製造方法例文帳に追加

Dy-DOPED NANO CERIA SINTERED COMPACT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

シリコン単結晶引上方法およびこれに用いるドーピング装置例文帳に追加

METHOD FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL, AND DOPING APPARATUS USED FOR THE SAME - 特許庁

構造化される酸素のドープを伴うシリコン、その製法及び使用法例文帳に追加

SILICON DOPED WITH STRUCTURED OXYGEN, ITS PRODUCTION AND USE - 特許庁

ホウ素ドープシリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING BORON-DOPED SILICA FILM AND MANUFACTURE OF ELECTRONIC COMPONENT - 特許庁

Ｇａドープシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法例文帳に追加

Ga-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

異種原子でドープされた沈殿シリカ、その製造方法及びその使用例文帳に追加

PRECIPITATED SILICA DOPED WITH HETERO-ATOM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND USE THEREOF - 特許庁

４−トリフルオロメチルインドール−３−酢酸及びその誘導体例文帳に追加

4-TRIFLUOROMETHYLINDOLE-3-ACETIC ACID AND ITS DERIVATIVE - 特許庁

非金属元素をドープした光触媒体およびその製造方法例文帳に追加

NONMETALLIC ELEMENT-DOPED PHOTOCATALYTIC BODY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

光増幅用ファイバ２には、少なくともＥｒ及びＰを共ドープする。例文帳に追加

The fiber 2 for optical amplification is co-doped at least with Er and P. - 特許庁

異種原子でドープされた沈殿シリカ、その製造方法及びその使用例文帳に追加

FOREIGN-ATOM-DOPED PRECIPITATED SILICA, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND USE OF THE SAME - 特許庁

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL - 特許庁

ベンゾインドールスチリル化合物およびこれを用いた高密度記録媒体例文帳に追加

BENZOINDOLESTYRIL AND HIGH-DENSITY RECORDING MEDIUM - 特許庁

インドールスチリル化合物およびこれを用いた高密度記録媒体例文帳に追加

INDOLESTYRYL COMPOUND AND HIGH-DENSITY RECORDING MEDIUM USING THIS - 特許庁

基板上でのドーズ量を制御するシステム及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system and method for controlling dose on a substrate. - 特許庁

自立形静電ドープカーボンナノチューブ素子及びその製造方法例文帳に追加

SELF-SUPPORT, ELECTROSTATICALLY DOPED CARBON NANOTUBE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

シリコンウエーハの評価方法および窒素ドープアニールウエーハ例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING SILICON WAFER AND NITROGEN-DOPED ANNEALED WAFER - 特許庁

低炭素ドープシリコン酸化膜及びそれを使ったダマシン構造例文帳に追加

LOW-CARBON-DOPED SILICON OXIDE FILM AND DAMASCENE STRUCTURE USING IT - 特許庁

ドープシリコン膜の形成方法及びデバイスの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING DOPED SILICON FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE - 特許庁

リソグラフィープロセスウィンドー解析方法およびその解析プログラム例文帳に追加

METHOD OF ANALYZING LITHOGRAPHY PROCESS WINDOW AND ITS ANALYZING PROGRAM - 特許庁

錫ドープ酸化インジウム膜用粘着剤および両面粘着シート例文帳に追加

SELF-ADHESIVE FOR TIN-DOPED INDIUM OXIDE FILM, AND DOUBLE-SIDED SELF-ADHESIVE SHEET - 特許庁

光学ヘッド組立体およびドームを含むシステム、ならびにインビボ画像化装置例文帳に追加

SYSTEM INCLUDING OPTICAL HEAD ASSEMBLY, AND DOME, AND IN VIVO IMAGING DEVICE - 特許庁

ポリマーと溶媒と微粒子となどから原料ドープ２７を調製する。例文帳に追加

A raw material dope 27 is prepared from a polymer, a solvent and fine particles. - 特許庁

イオンビーム発生装置、イオンドーピング装置、イオンビーム発生方法および質量分離方法例文帳に追加

ION BEAM GENERATING DEVICE, ION DOPING DEVICE, ION BEAM GENERATING METHOD, AND MASS SEPARATION METHOD - 特許庁

ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法例文帳に追加

SINGLE SILICON CRYSTAL WAFER DOPED WITH BORON AND EPITAXIAL SILICON WAFER AND THEIR PRODUCTION - 特許庁

強誘電体容量を用いたシャドーＲＡＭセル及び不揮発性メモリ装置並びにその制御方法例文帳に追加

SHADOW RAM CELL USING FERROELECTRIC CAPACITOR, NON- VOLATILE MEMORY DEVICE, AND ITS CONTROL METHOD - 特許庁

ドーパ受容体タンパク質及びそれをコードする核酸、ドーパ受容体の作動薬及び拮抗薬、それらの同定方法、及びそれらを利用する医薬組成物、ならびにドーパ受容体に対する抗体を提供する。例文帳に追加

To provide a DOPA receptor protein, a nucleic acid encoding the protein, an agonist and an antagonist of the DOPA receptor, an identification method of the agonist and the antagonist, a drug composition using the agonist and the antagonist, and an antibody to the DOPA receptor. - 特許庁

Ｇａドープ結晶シリコン、その製造方法及びその製造方法に用いるＧａドープ結晶シリコン製造装置、並びにＧａドープ結晶シリコン基板を用いた太陽電池及びその製造方法例文帳に追加

Ga-DOPED CRYSTAL SILICON,ITS MANUFACTURING METHOD AND Ga-DOPED CRYSTAL SILICON MANUFACTURING APPARATUS THEREFOR, AS WELL AS SOLAR BATTERY USING Ga-DOPED CRYSTAL SILICON SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE METHOD - 特許庁

他方のドーパントは電荷輸送材料であり、これは、リン光発光ドーパントによっては輸送されない電子および正孔のどちらかを輸送できる。例文帳に追加

The other dopant is a charge carrying material that can transport either the electrons or holes that is not transported by the phosphorescent dopant. - 特許庁

バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。例文帳に追加

The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10. - 特許庁

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。例文帳に追加

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level. - 特許庁

該抗精神病剤が、ハロペリドール、リスペリドン、およびクエチアピンから選択される前記医薬品。例文帳に追加

The pharmaceutical composition includes the antipsychotic agent selected from among haloperidol, risperidone, and quetiapine. - 特許庁

ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。例文帳に追加

The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side. - 特許庁

マトリックス材料とドーピング材料とからなる混合物、及び、ドーピングされた有機材料からなる層の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND INCLUDING MATRIX MATERIAL AND DOPING MATERIAL, AND LAYER INCLUDING DOPED ORGANIC MATERIAL - 特許庁