「りびどー」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

リチウムイオンのプレドープ方法およびリチウムイオン・キャパシタ蓄電素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PREDOPING LITHIUM ION AND METHOD FOR MANUFACTURING LITHIUM ION CAPACITOR STORAGE ELEMENT - 特許庁

抗ヒトエンドセリン受容体タイプＡモノクローナル抗体、並びに、ハイブリドーマ例文帳に追加

ANTI-HUMAN ENDOTHELIN RECEPTOR TYPE A MONOCLONAL ANTIBODY, AND HYBRIDOMA - 特許庁

リチウムのプリドープ方法、電極の製造方法及びこれら方法を用いた蓄電デバイス例文帳に追加

LITHIUM PRE-DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE, AND POWER STORAGE DEVICE MADE USING THE METHODS - 特許庁

半導体層中のドーパント拡散制御プロセス及びそれにより形成された半導体層例文帳に追加

PROCESS FOR CONTROLLING DOPANT DIFFUSION IN SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY - 特許庁

アルミニウム合金製ドームの熱処理方法および熱処理用冷却治具例文帳に追加

HEAT TREATMENT METHOD FOR ALUMINUM ALLOY-MADE DOME AND COOLING TOOL FOR HEAT TREATMENT - 特許庁

リチウムのプリドープ方法及びこの方法を用いた電極、蓄電デバイス例文帳に追加

LITHIUM PRE-DOPING METHOD, AND ELECTRODE AND POWER STORAGE DEVICE MADE USING THE METHOD - 特許庁

ドープ型金属硫化物蛍光体ナノ粒子、その分散液及びそれらの製造方法例文帳に追加

DOPE-TYPE METAL SULFIDE PHOSPHOR NANOPARTICLE, DISPERSION OF THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

Ｅｕドープ酸化イットリウムナノ粒子薄膜パターン及びその作成方法例文帳に追加

THIN FILM PATTERN OF Eu-DOPED YTTRIUM OXIDE NANOPARTICLE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME - 特許庁

サニタリー製品および炭素ドープ酸化チタン表層を備えたサニタリー製品の洗浄システム例文帳に追加

SANITARY PRODUCT AND WASHING SYSTEM FOR SANITARY PRODUCT PROVIDED WITH CARBON-DOPED TITANIUM OXIDE SURFACE LAYER - 特許庁

低下されたドーパント含量を有する高純度多結晶シリコンを製造するための方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING HIGH PURITY POLYCRYSTALLINE SILICON WITH REDUCED DOPANT CONTENT - 特許庁

オートドープおよび裏面欠陥が減少したエピタキシャル堆積用のウェーハ処理ハードウェア例文帳に追加

WAFER PROCESSING HARDWARE FOR EPITAXIAL DEPOSITION WITH WHICH AUTO-DOPING AND BACK SURFACE DEFECT ARE DECREASED - 特許庁

燃焼室（３０）は、内側ライナ（３４）、外側ライナ（３２）、及びドーム（３６）により形成されている。例文帳に追加

A combustion chamber 30 is formed of an inner liner 34, an outer liner 32 and a dome 36. - 特許庁

基板表面およびトレンチ３１の内部にノンドープのポリシリコン膜３３を積層する。例文帳に追加

On the substrate surface and the inside of the trench 31, a non-doped polysilicon film 33 is laminated. - 特許庁

シャドーリング４０は、基板５０の周縁部及びその内側の領域を非接触で覆う。例文帳に追加

The shadow ring 40 covers the peripheral edge of the substrate 50 and a region inside it in a non-contact manner. - 特許庁

ボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR EVALUATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF BORON-DOPED P-TYPE SILICON AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER - 特許庁

マスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法例文帳に追加

MASK LESS LITHOGRAPHY SYSTEM AND DOSE CONTROLLING METHOD IN MASK LESS LITHOGRAPHY - 特許庁

希土類ドープ大モードエリア・マルチモード光ファイバおよびそれを使ったデバイス例文帳に追加

RARE-EARTH-DOPED, LARGE MODE AREA, MULTIMODE, HYBRID OPTICAL FIVER AND DEVICE USING THE SAME - 特許庁

誤差拡散法におけるハイライト領域およびシャドー領域でのドット分散性を改善する。例文帳に追加

To improve dot dispersion performance in a highlighted region and a shadowed region in an error diffusion method. - 特許庁

ｐ層および／またはｎ層におけるドーピング効率を向上可能な光起電力素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photovoltaic element capable of improving doping efficiency in a (p) layer and/or an (n) layer. - 特許庁

リサイクルが可能な貴金属をドープした着色ガラス、その製造方法およびリサイクル方法例文帳に追加

COLORED GLASS DOPED WITH RECYCLABLE PRECIOUS METAL, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND METHOD FOR RECYCLING THEREOF - 特許庁

携帯オキシドール入りたれびんに救急絆創膏を巻いた即洗浄消毒保護セット例文帳に追加

IMMEDIATE CLEANING/DISINFECTING PROTECTION SET WHEREIN FIRST-AID ADHESIVE TAPE IS WOUND AROUND PORTABLE OXYDOL-CONTAINING DRIPPING BOTTLE - 特許庁

ＷＴＯドーハ・ラウンド交渉及び保護主義抑止に関するＡＰＥＣ閣僚声明例文帳に追加

APEC Ministers’ Statement on the WTO, the Doha Development Agenda Negotiations, and Resisting Protectionism  - 経済産業省

高輝度、高発光効率、長寿命化、成膜性が良好な、オキサジアゾール基を有するインドール誘導体三量体及び、チアジアゾール基を有するインドール誘導体三量体、並びにその中間体となるテトラゾール基を有するインドール誘導体三量体、とその製造方法、及びそれを用いた発光素子。例文帳に追加

Thereby, it becomes possible to provide the light-emitting element having a simple structure and capable of satisfying the luminance, light-emitting efficiency, long life and film-forming property. - 特許庁

ドーパントによってドープ接合されているポリアニリンであって、前記ドーパントが、スルホコハク酸と、アルキルベンゼンスルホン酸および／またはアルキルナフタレンスルホン酸とを含むポリアニリン。例文帳に追加

Th polyaniline is dope-cemented with a dopant and the dopant comprises sulfosuccinic acid and an alkylbenzenesulfonic acid and/or an alkylnaphthalenesulfonic acid. - 特許庁

導電性エラストマーは、ドーパントによりドーピングされたポリアニリン誘導体と、水酸基およびカルボキシル基の少なくとも一方を有する化合物からなる二次ドーパントと、活性水素と反応する重合性化合物と、を含む。例文帳に追加

This conductive elastomer includes: a polyaniline derivative doped with a dopant; a secondary dopant made of a compound having at least one of a hydroxy group and a carboxyl group; and a polymerizable compound reacting with active hydrogen. - 特許庁

流延ダイ３の前方（流延されたドープが搬送される方向）及び後方に、ラビリンス４，６及びシール５，７を設ける。例文帳に追加

Labyrinths 4 and 6 and seals 5 and 7 are formed in front of the casting die 3 (direction in which the cast dope is conveyed) and in the rear of the die 3. - 特許庁

ウインドー部３９を、前面ウインドー部分３９ａと、前面ウインドー部分３９ａの両横側端に位置する左右の横側面ウインドー部分３９ｂとで構成する。例文帳に追加

A window 39 comprises a front face window 39a and right and left lateral face windows 39b positioned at both lateral ends of the front face window 39a. - 特許庁

ゲート絶縁層４０２上にアンドープポリシリコン層４１１ａをシラン流プロセスで形成し、続いてその上に、ドープ剤を添加したホスフィン流をシラン流に混合してドープポリシリコン層４１１ｂを形成する。例文帳に追加

An undoped polysilicon layer 411a is formed on a gate insulation layer 402 by silane flow process and a doped polysilicon layer 411b is formed thereon by admixing a silane flow wit a phosphine flow added with a dopant. - 特許庁

加熱材料は、場合によりドーピングされていることができるＩｎ_2Ｏ_3；場合によりドーピングされていることができるＳｎＯ／Ｏ_2；場合によりドーピングされていることができるＺｎＯ；Ｃｄ_2ＳｎＯ_4又はＣｄＳｎＯ_3；Ｂｉ_2Ｏ_3；ＭｏＯ_3；ＴｉＯ_2；ＷＯ_2；ＲｈＯ_2；ＲｅＯ_2；Ｎａ_xＷＯ_3；Ｚｎ_2ＳｎＯ_4及びＶ_2Ｏ_5より成る群から選ばれる。例文帳に追加

The heating material is selected from possibly doped In2O3, possibly doped Sn2O/O3, possible doped ZnO, and a group of Cd2SnO4, CdSn3, MoO3, TiO2, WO2, RhO2, ReO2, NaxWO3 or Zn2SnO4 and V2O5. - 特許庁

半導体基板、半導体基板内に形成された非キャリア性ドーパント層、非キャリア性ドーパント層を内部に含むキャリア性ドーパント層及び半導体基板上面に形成されたエピタキシャル層を含む。例文帳に追加

The substrate disclosed herein includes a semiconductor substrate, a non-carrier characteristic dopant layer formed in the semiconductor substrate, a carrier characteristic dopant layer including a non-carrier characteristic dopant layer therein, and an epitaxial layer formed on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

カイコのシルクフィブロインのドープと、ポリオキシ酸及び多糖類から選ばれた少なくとも１種の生分解性素材のドープとからなるシルク複合ドープを用いてエレクトロスピニングすることにより製造する。例文帳に追加

The composite nanofiber is produced by electrospinning by using a silk-composite dope comprising a dope of the silkworm silk fibroin, and a dope of at least one kind of the biodegradable material selected from the polyoxy acid and the polysaccharides. - 特許庁

ｎ型バッファ層４のドーピング量Ｃｅとｐ＋型エミッタ層５のドーピング量Ｃｂとしたとき、不純物ドーピング量の比Ｃｅ／Ｃｂを２．５以上、且つ８．２以下とする。例文帳に追加

When the doping quantity of an n-type buffer layer 4 is set to be Ce and the doping quantity of a p^+-type emitter layer 5 to be Cb, the ratio Ce/Cb of impurity doping quantity is set to be 2.5 to 8.2. - 特許庁

ポリマーを溶媒に溶解した母液ドープ３１を基層用ドープ、裏面用及び表面用の表層用ドープに分岐して共流延ダイ５６から流延ドラム６７上に流延してフイルムを製膜する。例文帳に追加

The mother liquid dope 31 prepared by dissolving a polymer in a solvent is branched into a dope for a base layer and dopes for surface layers applied to a rear surface and an upper surface to be cast on a casting drum 67 from a co-casting die 56 to form a film. - 特許庁

発光ドーパントをドープする領域の構造、ドープ領域およびドープ濃度分布を制御することにより、寿命特性を改善することができ、さらに電圧上昇や発光効率低下等の悪影響を排除することができる有機発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic light emitting element capable of improving lifetime characteristics and excluding an adverse influence, such as an increase in voltage and a decrease in luminous efficiency, by controlling the structure of a region for doping an electroluminescent dopant, a dope region, and the distribution of the dope region. - 特許庁

よって、ハイブリドーマH-ABC-1は当業者が容易に入手することができる微生物ではないので、ハイブリドーマH-ABC-1を寄託する必要がある。例文帳に追加

Accordingly, the hybridoma H-ABC-1 is required to be deposited, since the hybridoma H-ABC-1 is not a microorganism readily available to a person skilled in the art.  - 特許庁

領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。例文帳に追加

The regions 151a, 152a, 151b and 152b comprise p-type semiconductors, and the regions 153a, 153b comprise undoped semiconductors. - 特許庁

その後、エッチバックにより、ドープドポリシリコン層２１およびノンドープポリシリコン層２３における第１トレンチ６および第２トレンチ７外の部分が除去される。例文帳に追加

Then, by etching back, parts of the doped polysilicon layer 21 and the non-doped polysilicon layer 23 other than in the first trench 6 and the second trench 7 are removed. - 特許庁

ポリマーを溶媒に溶解したドープを調製するドープ調製ライン１０に、ドープを濃縮する濃縮装置３５とドープ中に微粒子を添加するインラインミキサー４１とを備えたドープ調製方法であって、濃縮装置３５の後にインラインミキサー４１を配置する。例文帳に追加

The method for preparing the dope comprises carrying out the preparation by an apparatus having a concentrating device 35 for concentrating the dope, and an inline mixer 41 for adding fine particles to the dope, installed in a dope-preparing line 10 for preparing the dope obtained by dissolving a polymer in a solvent and regulated so that the inline mixer 41 is arranged after the concentrating device 35. - 特許庁

ポリマーを溶媒に溶解したドープを調製するドープ調製ライン１０に、ドープを濃縮する濃縮装置３５とドープ中に微粒子を添加するインラインミキサー４１とを備えたドープ調製方法であって、濃縮装置３５の後にインラインミキサー４１を配置する。例文帳に追加

A method for preparing the dope comprises a concentrating device 35 for concentrating the dope and an inline mixer 41 for adding fine particles into the dope, in a dope preparing line 10 for preparing the dope obtained by dissolving a polymer in a solvent, wherein the inline mixer 41 is set behind the concentrating device 35. - 特許庁

第１及び第２のキャリア閉込層に同一導電型の不純物がドープされており、活性層には、不純物がドープされていないか、またはキャリア閉込層にドープされている不純物と同一導電型の不純物が低濃度にドープされている。例文帳に追加

Impurities of the same conductive type are doped to the first and second carrier confinement layers, and the active layer has no impurities doped on it or impurities of the same conductive type as that doped to the carrier confinement layers are doped. - 特許庁

グリシドール及びグリシドール脂肪酸エステルを合計で０．１３５×１０^-5ｍｏｌ／ｋｇよりも多く含有する油脂を酸性活性白土及び／又は活性炭で処理し、その後２００〜２５０℃で脱臭することで、脱臭後においてもグリシドール及びグリシドール脂肪酸エステルの含有量が合計で２．７０×１０^-5ｍｏｌ／ｋｇ以下の油脂組成物を得ることができる。例文帳に追加

Oil and fat containing more than 0.135×10^-5 mol/kg of the total of glycidol and a glycidol fatty acid ester is treated with acid activated clay and/or activated carbon and subsequently subjected to deodorization at 200-250°C to give an oil and fat composition having a total content of glycidol and the glycidol fatty acid ester of at most 2.70×10^-5 mol/kg even after deodorization. - 特許庁

エルビウムドープシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物導波路およびその製造方法、並びにそれを備えた集積回路例文帳に追加

ERBIUM-DOPED SILICON NANOCRYSTALLINE-EMBEDDED SILICON OXIDE WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME - 特許庁

応力及び亀裂が低減される結果、組成及びドーピング調整上のフレキシビリティが向上する。例文帳に追加

As a stress and crack are reduced, the flexibility in composition and doping adjustment is improved. - 特許庁

ＩＳＧ１５タンパク質と特異的に反応するモノクローナル抗体及びそれを産生するハイブリドーマ並びに癌およびウイルス感染の検出方法例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY SPECIFICALLY REACTING WITH ISG15 PROTEIN, HYBRIDOMA PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR DETECTING CANCER AND VIRUS INFECTION - 特許庁

アルドース還元酵素阻害薬並びに糖尿病及び糖尿病性合併症の予防又は治療薬を提供すること。例文帳に追加

To obtain an aldose reductase inhibitor and a preventive or therapeutic agent for diabetes and diabetic complications. - 特許庁