「りびどー」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

微小昇降積載台を具えたドーリと立体収納棚例文帳に追加

DOLLY WITH VERY SMALL LIFTING LOADING STAGE AND MULTISTORY STORAGE SHELF - 特許庁

アゾ置換インドール化合物及びアゾ金属キレート化合物、並びに光記録媒体例文帳に追加

AZO-SUBSTITUTED INDOLE COMPOUND AND AZO METAL CHELATE COMPOUND AND OPTICAL RECORDING MEDIUM - 特許庁

モノクローナル抗体およびそれをコードする遺伝子、ハイブリドーマ、医薬組成物ならびに診断試薬例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY, GENE ENCODING THE ANTIBODY, HYBRIDOMA, PHARMACEUTICAL COMPOSITION AND DIAGNOSTIC REAGENT - 特許庁

ビスフェノールＡ化合物、免疫学的反応体、ハイブリドーマ及びビスフェノールＡの測定方法例文帳に追加

BISPHENOL A COMPOUND, IMMUNOLOGICAL REACTANT, HYBRIDOMA AND METHOD FOR ASSAYING BISPHENOL A - 特許庁

半導体ナノ結晶およびドープされた有機材料を含む層を含むデバイスおよび方法例文帳に追加

DEVICE COMPRISING LAYER INCLUDING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL AND DOPED ORGANIC MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

コア、ドーピング成分およびシェルを有する酸化物粒子、その製法およびその使用例文帳に追加

OXIDE PARTICLES HAVING CORE, DOPING COMPONENT AND SHELL, AND THEIR PRODUCING METHOD AND THEIR USE - 特許庁

薬物イオンのドープ方法及び処理方法及びイオントフォレーシス装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR DOPING MEDICINE ION AND METHOD FOR TREATING AND METHOD FOR PRODUCING IONTOPHORESIS DEVICE - 特許庁

Ｎおよび／またはＳドープ管状酸化チタン粒子およびその製造方法例文帳に追加

N- AND/OR S-DOPED TUBULAR TITANIUM OXIDE PARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

Ｓｂ、ＧａまたはＢｉがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT DOPED WITH Sb, Ga, OR Bi AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ポリマードープ及びそれを用いた繊維の製造方法並びに該方法で得られた繊維例文帳に追加

POLYMER DOPE AND METHOD FOR PRODUCING FIBER USING THE SAME, AND FIBER PRODUCED BY THE SAME METHOD - 特許庁

燃料噴霧器および燃焼器ドーム用円錐形スワーラならびにその製造方法例文帳に追加

FUEL ATOMIZER, CONICAL SWIRLER FOR COMBUSTOR DOME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

Ｓｂ、ＧａまたはＢｉがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory element in which Sb, Ga, or Bi is doped, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

金属ドープシリカ系ガラス発泡体及びその製造方法並びに浄化装置例文帳に追加

METAL DOPED SILICA-BASED GLASS FOAM, METHOD OF MANUFACTURINGAND THE SAME AND CLEANING DEVICE - 特許庁

ドーパント材料及びホスト材料からなる第一の混合材料と、ドーパント材料及びホスト材料からなり第一の混合材料よりもドープ濃度が高い第二の混合材料とを供給し、第一及び第二の混合材料を加熱することで発光層を形成する。例文帳に追加

A first mixed material comprising a dopant material and a host material and a second mixed material comprising a dopant material and a host material and having dope concentration higher than that of the first mixed material are supplied, and a luminous layer is formed by heating the first and second mixed materials. - 特許庁

ビットラインは、第１ドーピング物質でドーピングされた領域であり、第２拡散領域は、第２ドーピング物質でドーピングされた領域である。例文帳に追加

The bit line is a region doped with a first doping substance, and the second diffusion region is a region doped with a second doping substance. - 特許庁

光の可視領域で吸光し蛍光を発する、高親水性インドールおよびベンゾインドール誘導体を開示する。例文帳に追加

To disclose highly hydrophilic indole and benzoindole derivatives that absorb light in the visible region of light and generate fluorescence. - 特許庁

処理基板面内にイオンをより均等に注入することができるプラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma doping method and a plasma doping device capable of injecting ions more homogeneously into a treated substrate surface. - 特許庁

第２ドープに含まれる第２ポリマーは第１、３ドープに含まれる第１ポリマーに比べ低粘度及び低弾性率である。例文帳に追加

A second polymer contained in the second dope has a lower viscosity and a lower elastic modulus in comparison with those of the first polymer contained in the first and third dopes. - 特許庁

下部電極、誘電体膜、及び上部電極からなるキャパシタであって、前記上部電極が第１アンドープポリシリコン膜106aとドープポリシリコン膜106ｂと第２アンドープポリシリコン膜106ｃの積層構造で形成される。例文帳に追加

A capacitor consists of a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode, and the upper electrode is formed of a laminated structure of a first undoped polysilicon film 106a, a doped polysilicon film 106b and a second undoped polysilicon film 106c. - 特許庁

ドープ金属の含有量を容易に変更することができる、金属をドープしたＴｉＯ_２膜の成膜方法及び金属のドープ量が精密に制御された金属をドープしたＴｉＯ_２膜を提供する。例文帳に追加

To provide a deposition method of a metal doped TiO2 film capable of easily changing the content of the doped metal, and the metal doped TiO2 film precisely controlled in the doping amount of the metal. - 特許庁

酸化物薄膜２は、図１（ｂ）に示されるように、ｎ型（電子伝導型）不純物をドーピングしたドープ酸化物層２ａと、ｎ型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層２ｂとが交互に繰り返し積層されている。例文帳に追加

In an oxide thin film 2, as shown in Fig.1(b), a dope oxide layer 2a in which the n-type (electron conduction type) impurity is doped, and an undope oxide layer 2b in which the n-type impurity is not doped are laminated alternatively and repeatedly. - 特許庁

予備ドープ前リチウムイオン電池、およびリチウムイオン電池の製造方法例文帳に追加

LITHIUM ION BATTERY BEFORE PRE-DOPING AND MANUFACTURING METHOD OF LITHIUM ION BATTERY - 特許庁

探針３及び電流通路パターン４を、ＢをドープしたＳｉによって連続して形成する。例文帳に追加

The probe 3 and a current passage pattern 4 are formed continuously with Si prepared by doping B. - 特許庁

イーストドーナツ生地に数回捻りを入れて両端を結びつけた後、フライ処理すること。例文帳に追加

The method for producing the yeast doughnut includes twisting yeast doughnut dough several times, binding both terminals thereof, and subjecting the bound doughnut dough to frying treatment. - 特許庁

一方、低抵抗Ｂドープダイヤモンド層３ａ及び３ｂが形成されていない流量センサ１０の中央部分の第１のアンドープダイヤモンド層１上には、Ｂドープダイヤモンド層２の配線部２ｃを覆うように第２のアンドープダイヤモンド層４を形成して流量センサとする。例文帳に追加

Meanwhile, a second undoped diamond layer 4 is formed so as to cover a wiring part 2c of the diamond layer 2 on the diamond layer 1 in a middle part of the flow sensor 10 where the diamond layers 3a and 3b are not formed, thus forming the flow sensor. - 特許庁

微小な分子性結晶の光伝導性や光に対する応答性を広い温度範囲に亘り直接モニターしながら、試料へのドーピングを正確に制御することができるドーピング方法及びそのドーピング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a doping method and a doping system in which doping of a sample can be controlled accurately while monitoring response of a micro molecular crystal to optical conductivity or light directly over a wide temperature range. - 特許庁

次に、低濃度ドープダイヤモンド層４の両側に、エピタキシャル成長により低濃度ドープダイヤモンド層４よりも不純物濃度が高い高濃度ドープダイヤモンド層７ａ及び７ｂを形成する。例文帳に追加

High-concentration doped diamond layers 7a and 7b having an impurity concentration higher than that of the low-concentration diamond layer 4 are formed by the epitaxial growth method on both sides of the low-concentration doped diamond layer 4. - 特許庁

チタニアドープ石英ガラス、ＥＵＶリソグラフィ用部材、ＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板及びチタニアドープ石英ガラスの製造方法例文帳に追加

TITANIA-DOPED QUARTZ GLASS, EUV LITHOGRAPHIC MEMBER AND PHOTOMASK SUBSTRATE AND MAKING METHOD FOR TITANIA-DOPED QUARTZ GLASS - 特許庁

インドール誘導体三量体酸化体の製造方法およびインドール誘導体三量体酸化体とその積層構造体例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING OXIDIZED COMPOUND OF INDOLE DERIVATIVE TRIMER, OXIDIZED COMPOUND OF INDOLE DERIVATIVE TRIMER AND ITS LAMINATED STRUCTURE - 特許庁

リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムと窒素をドープした低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a low-resistance n-type semiconductor diamond doped with lithium and nitrogen, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

本発明は、電極のフリードーピングシステム及びこれを用いる電極のフリードーピング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a free-doping system of an electrode and a free-doping method of an electrode using the same. - 特許庁

家族性アミロイドーシスポリニューロパシーなどのアミロイドーシスの予防及び／又は治療のための医薬を提供する。例文帳に追加

To obtain a preventive and/or therapeutic medicine of amyloidosis such as familial amyloidosis polyneuropathy. - 特許庁

ドームスクリーン用デジタル映像投映装置およびドームスクリーン用デジタル映像作成プログラム例文帳に追加

DIGITAL VIDEO PROJECTING DEVICE FOR DOME SCREEN AND DIGITAL VIDEO GENERATING PROGRAM FOR DOME SCREEN - 特許庁

着雪・着氷の防止効果に優れた全く新しい構造のレドーム付アンテナ装置及び着雪・着氷防止用レドームを提案する。例文帳に追加

To provide an antenna system with radome, and a radome for preventing snow accretion/ice accretion with an entirely novel structure having excellent snow accretion/ice accretion prevention effects. - 特許庁

中性液中で透析アミロイドーシスを治療するための薬剤を探索する方法及び透析アミロイドーシス治療剤を提供する。例文帳に追加

To provide a method for screening an agent for the treatment of dialytic amyloidosis in a neutral liquid, and to provide an agent for the treatment of dialytic amyloidosis. - 特許庁

前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング領域が前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在している。例文帳に追加

A doping region constituting a diode with the doping line and having a conduction type opposite to that of the doping line intervenes between the lower electrode and the doping line. - 特許庁

（Ｃ）が、２０〜１００ｎｍの一次粒径を持ち、アルミニウムドープ酸化亜鉛、アンチモン酸亜鉛、アンチモンドープ酸化錫、インジウムドープ酸化錫、リンドープ酸化錫及び／又は酸化アンチモンが好ましい。例文帳に追加

The component (C) has 20-100 nm primary particle diameter, and is preferably aluminum-doped zinc oxide, zinc antimonate, antimony-doped tin oxide, indium-doped tin oxide, phosphorus-doped tin oxide and/or antimony oxide. - 特許庁

グルコース、トリプトファン、インドール−３−乳酸、インドール−３−ピルビン酸塩、及び２−ヒドロキシ２−（インドール−３−イルメチル）−４−ケトグルタル酸からモナチンを生成するために使用されうる方法及び組成物が提供される。例文帳に追加

There are provided the methods and compositions that can be used to produce monatin from glucose, tryptophan, indole-3-lactic acid, indole-3-pyruvate, and 2-hydroxy 2-(indol-3-ylmethyl)-4-keto glutaric acid. - 特許庁

グルコース、トリプトファン、インドール−３−乳酸、インドール−３−ピルビン酸塩、及び２−ヒドロキシ２−（インドール−３−イルメチル）−４−ケトグルタル酸からモナチンを生成するために使用されうる方法及び組成物が提供される。例文帳に追加

Methods and compositions are provided that can be used to make monatin from glucose, tryptophan, indole-3-lactic acid, indole-3-pyruvate, and 2-hydroxy 2-(iridol-3-ylmethyl)-4-keto glutaric acid. - 特許庁

そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。例文帳に追加

Using the dose distribution per ion beam irradiation in etching, an irradiation position and a dose distribution of ion beams are calculated so that approximation to the processing target dose distribution is obtained. - 特許庁

ｐ導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。例文帳に追加

The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate. - 特許庁

表面層用ドープ１２及び裏面層用ドープ１４はそれぞれの切欠き溝を流れて幅及び深さを規制された後に中間層用ドープ１３に合流する。例文帳に追加

Dope 12 for a surface layer and dope 14 for a back layer flow in the notch channels, respectively, and, after the widths and the depths are regulated, are combined with dope 13 for intermediate layer. - 特許庁

ソ　テトラエチレンペンタミン、アクリロニトリル及びグリシドールの反応生成物例文帳に追加

(r) A reaction product of tetraethylenepentamine, acrylonitrile, and glycidol  - 日本法令外国語訳データベースシステム

電子輸送層５が電子輸送材料（ホスト材料）およびキャリア輸送性ドーパントを含む。例文帳に追加

An electron transport layer 5 includes an electron transport material (host material) and a carrier transporting dopant. - 特許庁

シメトリン化合物、免疫学的反応体、ハイブリドーマ及びシメトリンの測定方法例文帳に追加

SIMETRYN COMPOUND, IMMUNOLOGICAL REACTANT, HYBRIDOMA AND METHOD FOR ASSAYING SIMETRYN - 特許庁