「エピタキシャルシリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER, ITS PRODUCTION AND SUBSTRATE FOR THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウエーハ例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコンウエーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウエーハ例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコン基板の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF EPITAXIAL SILICON SUBSTRATE - 特許庁

エピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

平坦度の高いエピタキシャルシリコンウェーハを得る。例文帳に追加

To obtain an epitaxial silicon wafer having high planarity. - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハ、およびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコンウエハの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェハの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ例文帳に追加

SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

シリコンウエーハおよびエピタキシャルシリコンウエーハ例文帳に追加

SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER - 特許庁

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及び多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER EPITAXIAL SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, AND THE WAFER - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハの外周部の表面平坦性が高まるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an epitaxial silicon wafer, capable of improving surface flatness of an outer periphery of the epitaxial silicon wafer. - 特許庁

基板上でエピタキシャルシリコン層をシールするための方法及びシステム例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR SEALING EPITAXIAL SILICON LAYER ON SUBSTRATE - 特許庁

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ並びにその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法並びに半導体装置例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER, ITS MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェハの製造方法及び基板洗浄装置例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR EPITAXIAL SILICON WAFER AND SUBSTRATE CLEANING DEVICE - 特許庁

コンタクト物質で低温熱工程によりエピタキシャルシリコンを形成しながらも、エピタキシャルシリコンの有する高い自らの比抵抗値によるコンタクト抵抗の増加を防止できるエピタキシャルシリコンをコンタクトとする半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element where an epitaxial silicon which can prevent an increase of contact resistance by a self-specific resistance value that the epitaxial silicon has is set to be a contact while the epitaxial silicon is formed in a low temperature heat process by contact substance, and to provide a manufacturing method of the semiconductor element. - 特許庁

結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャルシリコンウエハ例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER NOT SUBSTANTIALLY HAVING CRYSTAL GROWTH TRANSFER DEFECT - 特許庁

ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法例文帳に追加

SINGLE SILICON CRYSTAL WAFER DOPED WITH BORON AND EPITAXIAL SILICON WAFER AND THEIR PRODUCTION - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH - 特許庁

エピタキシャルシリコンウエハとその製造方法および半導体装置とその製造方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

リンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法例文帳に追加

PHOSPHORUS-DOPED SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER AND MANUFACTURE OF THESE WAFERS - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びその方法で製造されたシリコンウェーハ例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL SILICON WAFER, AND SILICON WAFER MANUFACTURED THEREBY - 特許庁

シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法例文帳に追加

SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

これにより、エピタキシャルシリコンウェーハの外周部の表面平坦性を高められる。例文帳に追加

In this way, the surface flatness of the outer periphery of the epitaxial silicon wafer is improved. - 特許庁

高いＩＧ能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists. - 特許庁

結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャル層を有するウエハを有するエピタキシャルシリコンウエハのセットを提供する。例文帳に追加

To provide a set of epitaxial silicon wafers which has wafers having epitaxial layers not substantially having grown-in defects of crystal. - 特許庁

アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法例文帳に追加

SINGLE SILICON CRYSTAL WAFER DOPED WITH ANTIMONY AND EPITAXIAL SILICON WAFER AND THEIR PRODUCTION - 特許庁

シリコンウェーハ及びそれを用いたエピタキシャルシリコンウェーハ及び貼り合わせＳＯＩウェーハ並びにそれらの製造方法。例文帳に追加

SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, LAMINATING SOI WAFER, AND THEIR MANUFACTURING METHODS - 特許庁

(2) 上記(1)のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、窒素濃度を１×10^13atoms／cm^3〜１×10^16atoms／cm^3の範囲でドープするのが望ましい。例文帳に追加

In the method for producing the epitaxial silicon wafer, mentioned above, it is preferable to dope nitrogen in a concentration of 1×1013 to 1×1016 atom/cm3. - 特許庁

エピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing epitaxial silicon wafers whereby the number of stacking faults of an epitaxial layer can sufficiently be decreased. - 特許庁