「ヘテロ接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置１は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）である。例文帳に追加

The semiconductor device 1 is a heterojunction bipolar transistor (HBT). - 特許庁

ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE RUGGEDNESS - 特許庁

電極構造、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれらの製造方法例文帳に追加

ELECTRODE STRUCTURE, HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器例文帳に追加

GROUP III NITRIDE MULTICHANNEL HETERO-JUNCTION INTERDIGITAL RECTIFIER - 特許庁

エネルギー障壁を有するヘテロ接合トランジスタおよび関連する方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER AND METHOD RELATED THERETO - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びかかるトランジスタを形成する方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMATION THEREOF - 特許庁

有機半導体ポリマーにおけるヘテロ接合を形成する方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING HETERO-JUNCTION IN ORGANIC SEMICONDUCTOR POLYMER - 特許庁

窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法及びパワーアンプ例文帳に追加

MANUFACTURE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND POWER AMPLIFIER - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを用いた電力増幅器例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND POWER AMPLIFIER EMPLOYING IT - 特許庁

低漏洩ヘテロ接合垂直トランジスタおよびその高性能デバイス例文帳に追加

LOW-LEAKAGE HETEROJUNCTION VERTICAL TRANSISTOR AND ITS HIGH-PERFORMANCE DEVICE - 特許庁

ヘテロ接合２１により、二次元電子ガス層２５が生成される。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas layer 25 is produced by the heterojunction 21. - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

このヘテロ接合を用いて量子カオス装置を構成する。例文帳に追加

A quantum chaos device is constituted by using the hetero junction. - 特許庁

半導体装置、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、並びにその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

リサーフ構造を用いた窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタ例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR HETERO-JUNCTION TRANSISTOR USING RESURF STRUCTURE - 特許庁

遷移金属酸化物ヘテロ接合からなる太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell composed of a heterojunction of a transition metal oxide. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ノーマリオフで動作するヘテロ接合半導体装置を得ること。例文帳に追加

To obtain a heterojunction semiconductor device for operating in a normally off state. - 特許庁

固体ヘテロ接合および固体増感（感光性）光起電力セル例文帳に追加

SOLID HETERO JUNCTION AND SOLID SENSITIZATION (PHOTOSENSITIVE) PHOTOVOLTAIC CELL - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラ半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION TYPE BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

バリア領域22は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。例文帳に追加

The barrier region 22 forms a heterojunction with a surface of the first channel region. - 特許庁

耐破壊性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor superior in destruction resistance. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを製造する方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合電界効果トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

低下した熱抵抗を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ例文帳に追加

HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING REDUCE THERMAL RESISTANCE - 特許庁

ヘテロ接合度を推定するプログラムを記録した記録媒体例文帳に追加

RECORDING MEDIUM FOR RECORDING PROGRAM FOR ESTIMATING HETERO-JUNCTION DEGREE - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを備える増幅器例文帳に追加

HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND AMPLIFIER PROVIDED WITH IT - 特許庁

高移動度ヘテロ接合相補型電界効果トランジスタおよびその方法例文帳に追加

HIGH-MOBILITY HETERO-JUNCTION COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS METHOD - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR INTEGRATION LIGHT RECEIVING CIRCUIT - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法および送受信機例文帳に追加

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD AND TRANSMITTER/RECEIVER - 特許庁

光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a heterojunction solar cell excellent in photoelectric conversion efficiency. - 特許庁

微細化が可能なヘテロ接合のエッチング特性を実現する。例文帳に追加

To realize etching characteristics of a hetero-junction capable of being fined. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ例文帳に追加

EPITAXIAL WAFER FOR HETERO JUNCTION BI-POLAR TRANSISTOR - 特許庁

ピエゾ電界Ｐｚはヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働き、これはヘテロ接合２１の二次元キャリアに作用して、ゲート電極１９直下のヘテロ接合における電子濃度が調整される。例文帳に追加

The piezoelectric field Pz acts as an internal electric filed extending along the heterojunction 21 to operate on two-dimensional carriers of the heterojunction 21, thereby adjusting the electron density of the heterojunction right below a gate electrode 19. - 特許庁

これにより、ヘテロ半導体領域３とドリフト領域２のヘテロ接合部の障壁高さよりも高い接合となるために、漏れ電流が生じず、本来のヘテロ接合が示すＩＶ波形を得ることができる。例文帳に追加

Consequently, since the junction is higher than the barrier of the hetero-junction part between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2, no leakage current arises and a IV waveform shown by the original hetero junction can be obtained. - 特許庁

本発明の電力半導体装置は、第１のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合と、該第１のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合上に配置された第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合と、該第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続された第１電極と、前記第２のＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続され、前記第１電極から離隔された第２電極と、を有する。例文帳に追加

The power semicondutor device includes a first group III nitride hetero-junction, a second group III nitride hetero-junction arranged on the first group III nitride hetero-junction, a first electrode electrically connected to the second group III nitride hetero-junction, and a second electrode electrically connected to the second group III nitride hetero-junction and isolated from the first electrode. - 特許庁