「ヘテロ接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

このような半導体エピタキシャルウェハを用いることにより、電流増幅率βの高いヘテロ接合バイポーラトランジスタが得られる。例文帳に追加

By using such a semiconductor epitaxial wafer, the heterojunction bipolar transistor having a high current amplification factor β can be obtained. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１ａは、半導体基板２と、コレクタ層６ａと、ベース層１０ａと、エミッタ層１２ａとを備える。例文帳に追加

The heterojunction bipolar transistor 1a has a semiconductor substrate 2, a collector layer 6a, a base layer 10a, and an emitter layer 12a. - 特許庁

光変換層を構成するシリコン層を、結晶性の高い単結晶シリコンとしたヘテロ接合太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction solar cell where a silicon layer constituting a photoconversion layer is composed of a single crystal silicon having high crystallinity. - 特許庁

ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。例文帳に追加

To obtain higher sensitivity in a diode-type ultraviolet sensor having lamination structure forming heterojunction. - 特許庁

半導体装置のベースパッドのレイアウト構造、及びそれを用いたヘテロ接合型バイポーラトランジスタの製造方法例文帳に追加

LAYOUT STRUCTURE OF BASE PAD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR USING THE LAYOUT STRUCTURE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を主体とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造において配線工程を簡略化する。例文帳に追加

To simplify the wiring processes when manufacturing a heterojunction bipolar transistor having III-V compound semiconductors as its main body. - 特許庁

耐熱性が高く、また活性、選択性も高く、炭化水素の接触分解に有用な新規ヘテロ接合多孔性結晶体を提供する。例文帳に追加

To provide a new heterojunction porous crystal having high heat resistance, also having high activity and selectivity, and useful for catalytic cracking of hydrocarbons. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するプロセスを提供すること。例文帳に追加

To provide a process for forming the silicon germanium base of a heterojunction transistor. - 特許庁

この二つの半導体レーザに対応する反射面５−１は、半導体レーザのヘテロ接合面と垂直な角度を持っている。例文帳に追加

The reflective face 5-1 corresponding to the two semiconductor laser devices has a right angle with respect to the hetero junction planes of the semiconductor laser devices. - 特許庁

放熱性を改善でき、エミッタインダクタンスを低減できるヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction type bipolar transistor that can improve radiation properties and reduce the emitter inductance. - 特許庁

静電気放電耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）およびシステム、およびその製造方法が開示されている。例文帳に追加

The heterojunction bipolar transistor (HBT) device and system having an electrostatic discharge ruggedness, and a method for making the same, are disclosed. - 特許庁

再現性に優れた量産性の高い高性能な高周波用ヘテロ接合トランジスタとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance heterojunction transistor for high frequencies with excellent reproducibility and high productivity. - 特許庁

固体ｐ−ｎヘテロ接合は、電子導体とホール導体を有し、さらに増感用半導体を有している。例文帳に追加

A solid p-n hetero junction has an electron conductor and a Hall conductor, and further a semiconductor for sensitization. - 特許庁

電子走行層３と電子供給層（第２の半導体層）６とのヘテロ接合面に沿って２ＤＥＧ層８が形成される。例文帳に追加

A 2DEG layer 8 is formed along a hetero-junction surface between the electron travelling layer 3 and the electron supply layer (second semiconductor layer) 6. - 特許庁

ｐ型ひずみＩｎＧａＮベース層を有するＧａＮヘテロ接合バイポーラトランジスタとその製造方法例文帳に追加

GAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING P-TYPE DISTORTION INGAN BASE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３はＧａＮ層１７にヘテロ接合２１を成す。例文帳に追加

The In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13 forms a heterojunction 21 with the GaN layer 17. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１ａは、半導体保護層１０と、コレクタ層２０と、ベース層２２と、エミッタ層２６とを備える。例文帳に追加

The heterojunction bipolar transistor 1a comprises a semiconductor protection layer 10, a collector layer 20, a base layer 22, and an emitter layer 26. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、そのサブ−コレクタ層（２０）中においてリン（２４）でドープされている。例文帳に追加

A heterojunction bipolar transistor is doped with phosphor (24) within its sub collector layer (20). - 特許庁

２つの半導体層３，４間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネル（２ＤＥＧ）が形成される。例文帳に追加

A high mobility electric-charge channel (2DEG) is formed near a heterojunction between two semiconductor layers 3 and 4. - 特許庁

単結晶外部ベース及びエミッタを備えたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR EQUIPPED WITH SINGLE CRYSTAL EXTERNAL BASE AND EMITTER, AND METHOD RELATED THERETO - 特許庁

ハイブリッドヘテロ接合構造を有する太陽電池、並びに関連するシステム及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell having a hybrid heterojunction structure and a related system and method. - 特許庁

高い電流増幅率と低いベース抵抗の両立を図り、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性を向上させる。例文帳に追加

To improve high-frequency characteristic of a heterojunction bipolar transistor by achieving both the high current amplification rate and low base resistance. - 特許庁

より高い効率およびより高い周波数の動作性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）を提供すること。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor(HBT) having higher efficiency and operability at high frequencies. - 特許庁

単純なフラクタル性を越えた設計方法によりヘテロ接合あるいは相分離を実現することができるフラクタル構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a fractal structure that can realize a heterojunction or a phase separation by a simple design method exceeding a fractal property. - 特許庁

ノーマリオフ動作を実現するとともに、電流コラプス現象が抑制されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a heterojunction, which achieves normally off operation and suppresses a current collapse phenomenon. - 特許庁

この半導体装置では、増幅器１０１および周波数混合器１０２がヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）で構成された。例文帳に追加

In this semiconductor device, an amplifier 101 and a frequency mixer 102 are composed of a heterojunction bipolar transistor (HBT). - 特許庁

ＨＢＴのエミッタ層とエミッタキャップ層とのヘテロ接合界面におけるキャリアの空乏化の問題を解決すること。例文帳に追加

To solve the problem concerning carrier depletion in a heterojunction interface between an emitter layer and an emitter cap layer of an HBT. - 特許庁

ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。例文帳に追加

An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer. - 特許庁

この結果、バンドギャップの狭いベース層１を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供を実現することができる。例文帳に追加

As a result, the provision of the heterojunction bipolar transistor having the base layer 1 with a narrow bandgap can be achieved. - 特許庁

バイポーラトランジスタ１００は、コレクタ層３上に、エピタキシャル成長されたヘテロ接合の真性ベース層５０を有する。例文帳に追加

The bipolar transistor 100 includes a heterojunction intrinsic base layer 50 epitaxially grown on a collector layer 3. - 特許庁

大出力電力に対応した電力増幅用ヘテロ接合バイポーラトランジスタを小さい面積にレイアウトすることを可能とする。例文帳に追加

To layout a power amplification heterojunction bipolar transistor for large output power in a small area. - 特許庁

隣接する第一及び第二の有機半導体ポリマー層のヘテロ接合を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a hetero-junction of adjacent first and second organic semiconductor polymer layers. - 特許庁

ＧａＮ層２３とＡｌＧａＮ層２４とのヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが発生している。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas is generated near the heterojunction boundary of the GaN layer 23 and the AlGaN layer 24. - 特許庁

生産性の高い高速のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）及びその製造方法を実現することである。例文帳に追加

To provide a high-speed hetero junction bipolar transistor(HBT) of high productivity as well as its manufacturing method. - 特許庁

各導通経路（３７８〜３８４）は、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのような、複数のスイッチング・デバイス（３８８〜４０２、４１０〜４２４）を含む。例文帳に追加

Each conduction path (378-384) includes a plurality of switching devices (388-402 and 410-424), such as heterojunction bipolar transistors. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子を電源回路に使用したときの破壊を防止する電源回路を提供する。例文帳に追加

To provide a power circuit that prevents damage when group III nitride hetero junction semiconductor elements are employed in a power circuit. - 特許庁

エッチングによるダメージを抑制しながら、ヘテロ接合面の近傍に負イオンを導入する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for introducing negative ions into a vicinity of a hetero-junction surface while suppressing a damage by etching. - 特許庁

良好なオーミック接触を形成することができ、デバイス特性を安定させることができるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect transistor which can form good ohmic contacts and stabilize device characteristics. - 特許庁

また、第１の半導体と第２の半導体とは、導電タイプ（ｐ型又はｎ型）が相違し、これによりダブルヘテロ接合構造とされる。例文帳に追加

Further more, the third semiconductor is different from the first and second semiconductors in the conductive type (p-type or n-type), whereby a double heterojunction structure is prepared. - 特許庁

ヘテロ接合面をチャネルに用いる半導体装置において、安定したノーマリオフ動作を可能とする技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for actualizing stable normally-off operation for a semiconductor device using a heterojunction surface for a channel. - 特許庁

ｐ型およびｎ型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor hetero-junction film wherein a p-type and an n-type organic semiconductor materials are uniformly mixed and having a high energy conversion efficiency. - 特許庁

ヘテロ接合を有する半導体装置の電界効果トランジスタにおけるオン抵抗の低減を図ることを課題とする。例文帳に追加

To reduce on-resistance in a field effect transistor of a semiconductor device having a hetero junction. - 特許庁

この発明は、低温で良好なヘテロ接合特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of obtaining an excellent heterojunction characteristic at low temperatures, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

電気的特性に優れた、特に動作速度が速く、電流増幅率が高いＧａＡｓＳｂ系のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To obtain a GaAsSb system heterojunction bipolar transistor which has excellent electrical characteristics, particularly a high operation speed and a high amplification factor. - 特許庁

ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。例文帳に追加

To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction. - 特許庁