| 意味 | 例文 (714件) |
ヘテロ接合の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 714件
高耐圧を有するノーマリオン型のヘテロ接合電界効果トランジスタ１００とノーマリオフ型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２００をモノリシックに形成し、それらをカスコード接続することによって、ノーマリオフ型と同等の動作をするヘテロ接合電界効果トランジスタ１００を備えた構成とする。例文帳に追加
The semiconductor device includes a normally-on hetero junction field effect transistor 100 having high withstand voltage; and a hetero junction field effect transistor 100 operating equally to that of a normally-off type, by forming a normally-off insulating gate type field effect transistor 200 into monolithic and connecting them in cascode. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタのオフセット電圧ならびにニー電圧を低減しながら、エミッタ抵抗の上昇によるエミッタ層からベース層への注入効率の低下、ベース層とコレクタ層の間の耐圧の劣化、または欠陥導入による信頼性低下などの基本的なトランジスタ特性の悪化を抑制できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having a heterojunction bipolar transistor capable of suppressing the deterioration of basic transistor characteristics such as deterioration of injection efficiency from an emitter layer to a base layer caused by increase of emitter resistance, deterioration of withstand voltage between the base layer and a collector layer, and deterioration of reliability caused by defective introduction while reducing an offset voltage and a knee voltage of the heterojunction bipolar transistor. - 特許庁
歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの製造方法に関し、面積サイズ効果を利用して臨界膜厚を越えた厚さに形成した歪み系ヘテロ接合結晶を用いた電界効果トランジスタに於いて、その面積サイズでは、必要とされる素子特性を実現できないほど小さい場合であっても、簡単な手段を採ることに依って、要求されている素子特性を実現できるようにする。例文帳に追加
To make it possible to realize a required element characteristic by adopting a simple means even when the area size of a field effect transistor (FET) is such a small that the required element characteristic can not be realized as to an FET, using strain group heterojunction crystals formed as thickness exceeding critical film thickness by utilizing an area size effect. - 特許庁
常染色体優性遺伝とは、与えられた遺伝子のうちの1つのコピーに突然変異が存在する場合（すなわち、ヘテロ接合体保因者）に起こる遺伝的状態を意味する。例文帳に追加
autosomal dominant inheritance refers to genetic conditions that occur when a mutation is present in one copy of a given gene (i.e., the person is heterozygous). - PDQ®がん用語辞書 英語版
このヘテロ接合性の消失が正常アレルに起こるとき、もし変化した遺伝子が腫瘍抑制遺伝子であるならば、高率に悪性化を来す細胞が誕生することになる。例文帳に追加
when the loss of heterozygosity involves the normal allele, it creates a cell that is more likely to show malignant growth if the altered gene is a tumor suppressor gene. - PDQ®がん用語辞書 英語版
ドープされたシリコンのエミッタまたはコレクタ領域、シリコン−ゲルマニウムを含むベース領域、およびスペーサを含むヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供すること。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor that includes: an emitter region or a collector region of doped silicon; a base region containing silicon- germanium; and a spacer. - 特許庁
ヘテロ接合型構造を採用する太陽電池において、単結晶又は多結晶のシリコンの表面とアモルファスシリコン層との界面での不整合を改善する。例文帳に追加
To improve the unconformity at an interface between the surface of monocrystalline or polycrystalline silicon and an amorphous silicon layer in a solar cell adopting a hetero-junction structure. - 特許庁
ベリリウム原子がベースからエミッタへと拡散する問題を防ぐことによって信頼性の改善されたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor where the reliability is improved by preventing such a problem that beryllium atoms diffuse from a base to an emitter, and its formation method. - 特許庁
エミッタメサを有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、ベース−コレクタ間の寄生容量Ｃｂｃを低減させ、最大発振周波数ｆｍａｘを向上させること。例文帳に追加
To improve the maximum oscillation frequency fmax by reducing the parasitic capacity Cbc between a base and collector in the hetero-junction bipolar transistor having a mesa of emitter. - 特許庁
ＧａＩｎＮＡｓ層の形成方法、エピタキシャルウェハ、半導体レーザ、高電子移動度トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及び高周波集積回路例文帳に追加
METHOD OF FORMING GaInNAs LAYER, EPITAXIAL WAFER, SEMICONDUCTOR LASER, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND HIGH-FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁
ベース電極抵抗を低減することができると共に、ベース電極に通流することができる許容電流を高めることができるヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor which can decrease base current resistance and enhance allowable current which can be made to pass through a base electrode, and its manufacturing method. - 特許庁
窒化物半導体層１０は、窒化物半導体下層８よりも大きなバンドギャップを備えており、窒化物半導体下層８に対してヘテロ接合している。例文帳に追加
The nitride semiconductor layer 10 has a larger band gap than the nitride semiconductor lower layer 8, and forms a heterojunction with the nitride semiconductor lower layer 8. - 特許庁
モノリシックに集積回路化されて高周波信号を増幅する差動増幅器を構成するに好適なヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor suitable for being integrated monolithically to constitute a differential amplifier for amplifying a high frequency signal. - 特許庁
ＰＲ分光法とは異なる手法により、半導体ヘテロ接合界面のピエゾ電場の非破壊分光測定を行い、ピエゾ電場を解析・評価する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for analyzing and evaluating a piezo electric field by performing nondestructing spectrometry of the piezo electric field of a semiconductor hetero-junction interface by a method different from PR spectrometry. - 特許庁
低抵抗の窒化物半導体構造を実現させること、及び、その窒化物半導体構造をベース層として用いて、電流利得が高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成すること。例文帳に追加
To realize a low-resistance nitride semiconductor structure, and to constitute a heterojunction bipolar transistor high in current gain, using the nitride semiconductor structure as a base layer. - 特許庁
窒化物半導体デバイスにおいて、窒化物半導体表面より小さな穴を通してヘテロ接合に形成されるチャンネルに接する電極構造を形成することによって解決される。例文帳に追加
In the nitride semiconductor device, an electrode structure in contact with a channel formed into heterojunction through a small hole from the surface of the nitride semiconductor surface is formed. - 特許庁
窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、サファイア基板１０上に、活性層１４をクラッド層１３、１５で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する。例文帳に追加
The gallium nitride compound semiconductor laser is provided with a double hetero-junction structure where an active layer 14 is pinched with clad layers 13 and 15 on a sapphire substrate 10. - 特許庁
本発明が解決しようとする課題は、ヘテロ接合に形成されたチャンネルを用いる窒化物半導体デバイスにおいて、低抵抗の電極を形成することである。例文帳に追加
To form a low-resistance electrode in a nitride semiconductor device using a channel formed into heterojunction. - 特許庁
アスペクト比の高いサブミクロンサイズのエミッタ電極パタンを線幅制御性良く形成することを可能とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor in which an emitter electrode pattern of submicron size with a high aspect ratio can be formed with good line width controllability. - 特許庁
エミッタメサ１２をもつ化合物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタを、ベース層４上に第１エミッタ層５、エミッタエッチング停止層６、第２エミッタ層７を順次堆積して形成する。例文帳に追加
The emitter of a compound semiconductor heterojunction bipolar transistor having an emitter mesa 12 is formed by sequentially stacking a first emitter layer 5, an emitter etching stopper layer 6, and a second emitter layer 7 on a base layer 4. - 特許庁
ＩｎＰ基板１１上に形成されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを構成する半導体層中にＧａＡｓＮＳｂからなるベース層１５が含まれてなることを特徴とする。例文帳に追加
A base layer 15 of the GaAsNSb is included in a semiconductor layer constituting the heterojunction bipolar transistor formed on an InP substrate 11. - 特許庁
自己相似性を特徴付けるフラクタル次元が互いに異なる二つの領域により形成された少なくとも一つのヘテロ接合を有するようにフラクタル構造体を形成する。例文帳に追加
This fractal structure is formed so that the structure may have at least one heterojunction formed of two areas having different fractal dimensions characterizing the self-similarity of the areas. - 特許庁
Ａｕのエピタキシャル層への拡散を効果的に抑制して、長期間にわたり高い信頼性を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor capable of maintaining high reliability over a long term by effectively suppressing the diffusion of Au to an epitaxial layer. - 特許庁
製造時間を短縮しつつ、優秀性能製品を提供し、且つヘテロ接合バイポーラートランジスターの不純物（水素イオン濃度）の制御力を改善する。例文帳に追加
To reduce a production period of time while providing a superior performance product, and also to improve a control power of impurities (hydrogen ion density) of a hetero junction bipolar transistor. - 特許庁
第Ｖ族のＰ元素を含むエミッタ層のエッチング不良を解消し、所望の通りの特性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを安定して製造する。例文帳に追加
To stably manufacture a hetero junction bipolar transistor having characteristics as desired by eliminating the etching fault of an emitter layer containing a group V P element. - 特許庁
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。例文帳に追加
A two-dimensional electron gas (2DEG) 212 is formed at a heterojunction interface of the group III-V semiconductor layer and the second group III-V intrinsic layer. - 特許庁
ヘテロ接合およびその製造方法ならびに量子カオス装置およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法ならびに量子カオスの制御方法例文帳に追加
HETERO JUNCTION, ITS MANUFACTURING METHOD, QUANTUM CHAOS DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CONTROL METHOD OF QUANTUM CHAOS - 特許庁
ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサであって、方向性がなく、かつ引き出し電極が必要ではなく、さらに、広い波長範囲にわたって、分光波長感度特性がフラットなものを得る。例文帳に追加
To obtain a diode-type ultraviolet sensor which has a laminate structure for forming hetero junction, has no directivity, does not need an extraction electrode and further has flat spectral wavelength sensitivity characteristics over a wide wavelength range. - 特許庁
ベース層表面におけるカーボンの析出を防止すると共に、ベース層におけるコンタクト抵抗を低減させた半導体エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor epitaxial wafer and a heterojunction bipolar transistor, where the deposition of carbon in a base layer surface is prevented and contact resistance is reduced in the base layer. - 特許庁
マイクロ波からミリ波領域で動作するヘテロ接合電界効果トランジスタ関し、ゲート電極の断線と狭小化を防止することを目的とする。例文帳に追加
To prevent disconnection and narrowing of a gate electrode regarding a hetero-junction field-effect transistor operated in the regions of microwaves and millimeter waves. - 特許庁
窒化物半導体層のヘテロ接合を有する半導体装置において、動作温度の上昇に伴うドレイン電流の減少を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, reducing a reduction in drain current incidental to operating temperature rise in the semiconductor device having heterojunction of a nitride semiconductor layer. - 特許庁
これにより、Ａｕのエピタキシャル層への拡散を効果的に抑制して、長期間にわたり高い信頼性を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現することができる。例文帳に追加
Thus, it can effectively suppress the diffusion of Au to an epitaxial layer, and to obtain a heterojunction bipolar transistor capable of maintaining high reliability over a long term. - 特許庁
デバイスの信頼度が高く、コレクタ注入効率を低下させずに、オフセット電圧を低減することができるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor, where reliability of the device is improved and offset voltage can be reduced without lowering the collector injection efficiency. - 特許庁
特に、線形増倍部では、ヘテロ接合におけるバンドギャップ差で生じる加速電場を用いて、光吸収層で生成された光電子を加速することで、急激な加速領域を形成する。例文帳に追加
Especially, the linear amplification portion accelerates photoelectrons generated by a light absorption layer using an acceleration electric field produced by a band gap difference of a heterojunction to form a rapid acceleration region. - 特許庁
受信機の自励発振ミクサとして用いられる場合に、アンテナから、同期信号が送信されるのを防止できるヘテロ接合バイポーラ型ガン効果四端子素子を提供する。例文帳に追加
To provide a hetero junction bipolar Gunn effect 4-terminal element wherein a synchronous signal is prevented from being transmitted from an antenna when used as a self-exciting oscillation mixer of a receiver. - 特許庁
ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。例文帳に追加
The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact. - 特許庁
トランジスタは、電気光学構成要素の閉込め層に共通である、少なくとも１つのサブコレクタ層を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタである。例文帳に追加
The transistor is a heterojunction bipolar transistor including at least one sub-collector layer that is common to a confinement layer of the electro-optical component. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの第２エミッタ開口部１５ｂ内において半導体基板１の異種結晶成長面を露出させた後、還元性ガス雰囲気中においてプレ加熱処理を施して水分を充分に除去する。例文帳に追加
After the hetero epitaxial growth surface of a semiconductor substrate 1 is exposed in a second emitter opening 15b of the heterojunction bipolar transistor, preheat treatment is applied in a reducing gas atmosphere to remove moisture sufficiently. - 特許庁
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層上にＢＰ層をヘテロ接合させて設けるに際し、両者間の格子ミスマッチを緩和して結晶性に優れたＢＰ層を得る。例文帳に追加
To obtain an excellently crystalline BP layer by relaxing mismatching of gratings between the both when providing the BP layer through hetero-junction on a Group III-V chemical compound semiconductor crystal layer. - 特許庁
ノーマリオフ型の半導体装置１００は、ヘテロ接合を構成する半導体層１６と、第１リセス部８と、第１リセス部８よりも浅い第２リセス部４と、ゲート部５を備えている。例文帳に追加
A semiconductor device 100 of a normally-off type comprises: a semiconductor layer 16 constituting a heterojunction; a first recess 8; a second recess 4 shallower than the first recess 8; and a gate portion 5. - 特許庁
電気光学構成要素のアクティブ導波路は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコンタクト領域の下に拡張された構造を含み、実質的にトランジスタと同じ表面積を有する。例文帳に追加
The active waveguide of the electro-optical component includes a widened structure under a contact area of the heterojunction bipolar transistor and having substantially the same surface area as the transistor. - 特許庁
半導体層はシリコンゲルマニウム層とし、特に、半導体装置に横型バイポーラトランジスタとともに形成するシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタの形成に用いるシリコンゲルマニウム層を利用する。例文帳に追加
The semiconductor layer is made into a silicon-germanium layer, and especially the silicon-germanium layer is utilized to form a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor, formed along with a horizontal-type bipolar transistor for the semiconductor device. - 特許庁
ヘテロ接合を形成する二つの領域は互いに異なる相、例えば強磁性相および常磁性相あるいは金属相およびモット絶縁相である。例文帳に追加
The two areas forming the heterojunction have different phases, for example, a ferromagnetic phase and a paramagnetic phase or a metallic phase and a Mott insulation phase. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）と抵抗体、キャパシタを同一基板上に設置したモノリシックマイクロ波集積回路の製造方法において、プロセスの簡略化を図る。例文帳に追加
To simplify process in a method for manufacturing a monolithic microwave integrated circuit, in which a heterojunction bipolar transistor(HBT) and a resistor and a capacity are set on the same substrate. - 特許庁
このような導電性重合体と電子供与体層とのヘテロ接合させたものを、透明電極と対向電極で挟んで有機太陽電池とする。例文帳に追加
A hetero-junctional material composed of the conductive polymer and an electron donor layer is held between a transparent electrode and a counter electrode to provide the organic solar cell. - 特許庁
少なくとも一方が光透過性である一対の電極１−５間に、電子供与性の導電性高分子膜３と電子受容性のフラーレン重合体膜４とが積層されてなるヘテロ接合構造体を有するフォトセル。例文帳に追加
A photocell has a hetero-junction structure obtained by laminating an electron supplying conductive polymer film 3 and an electron receiving fullerene polymer film 4 between a pair of electrode 1, 5 at least one of which is light-transmissible. - 特許庁
また、ヘテロ接合層（混合層３）として電子供与性材料と電子受容性材料とが分散された層を用いることにより簡便な製造方法により容易に有機ダイオードを作製することが可能となる。例文帳に追加
The organic diode can be manufactured easily by a convenient manufacturing method where a layer dispersed with an electron donative material and an electron acceptive material is employed as the heterojunction layer (mixture layer 3). - 特許庁
注入駆動部２２は、閾値を超える注入電圧Ｖｉｎをスイッチ素子１０に印加することによって、ホール注入部１４０から半導体基板１０４のヘテロ接合界面にホールを注入する。例文帳に追加
The injection drive section 22 injects holes into a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the hole injection part 140 by applying the injection voltage Vin exceeding a threshold value to the switching element 10. - 特許庁
第１の絶縁膜９は電子走行層４と電子供給層５とのヘテロ接合面に沿って生じる２ＤＥＧ層１３を分断する働きを有する。例文帳に追加
The first insulating film 9 has action for dividing a 2DEG layer 13 that occurs along a hetero-junction surface between the electron transit layer 4 and the electron supply layer 5. - 特許庁
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