「ヘテロ接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器において、増幅用トランジスタのコレクタバイアス電圧を変化させることによって、広範囲のＲＦ出力にわたって高効率動作を可能とすること。例文帳に追加

To realize efficient operation through RF output in a wide range by varying the collector bias voltage of a transistor for amplification in a high frequency power amplifier using a heterojunction bipolar transistor. - 特許庁

高精度のアライメントやエッチング制御を用いることなく、ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴにおいて、ベース抵抗を低減しつつ、エミッタおよびベースの金属コンタクトを製作する。例文帳に追加

To produce a metal contact of an emitter and a base reducing a base resistance without using a high-precision alignment or etching control in a hetero-junction bipolar transistor HBT. - 特許庁

また、サブエミッタ層４５の形成前にベース層４３の脱水素アニール処理を実施することにより、電流増幅率βの値が大きいヘテロ接合バイポーラ半導体素子を得ることができるようにした。例文帳に追加

In addition, a base layer 43 is treated by dehydrogenation annealing before the sub-emitter layer 45 is formed, thereby resulting in the bipolar semiconductor element with a hetero joint having a large value of current amplification factor β. - 特許庁

ＮＰＮヘテロ接合バイポーラトランジスタ（１００）を作成する構造および方法は、トランジスタのベース領域を形成するためにドーパント（８６）を包含する第１領域（８２）を有する半導体基板（１１）を含む。例文帳に追加

The structure and method for manufacturing the NPN heterojunction bipolar transistor (100) include a semiconductor substrate (11), having a first region (82) containing dopants (86) for forming the base region of a transistor. - 特許庁

トランジスタが微細になるにつれて生じる可能性のあるコレクタ抵抗の増大を縮小できる構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure for reducing the increase in collector resistance that may be generated, while making a transistor small. - 特許庁

高電流密度での動作時でも電流がブロックされずに高速で動作するコレクタ耐圧の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor having high collector dielectric strength that operates high seed without blocking an electric current even for the operation at a high current density. - 特許庁

ノーマリオフ動作を達成でき、充分なチャンネル電流を得ることができ、かつしきい値電圧の制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor heterojunction field effect transistor where a normally-off action can be attained, a sufficient channel current can be acquired, and a threshold voltage can be easily controlled. - 特許庁

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。例文帳に追加

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized. - 特許庁

電界制御部２２は、閾値を超えるバイアス電圧Ｖｅをスイッチ素子１０に印加することによって、電界印加電極１４から半導体基板１０４のヘテロ接合界面に電界を印加する。例文帳に追加

The electric field control part 22 applies an electric field to a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the electric field application electrode 14 by applying a bias voltage Ve exceeding a threshold value to the switching element 10. - 特許庁

サブコレクタ層上に、コレクタ層が互いに分離された複数のトランジスタ要素をエミッタの長辺方向に１列に配置して、ヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する。例文帳に追加

The heterojunction bipolar transistor is formed by arranging a plurality of transistor elements in an array in the long side direction of emitter on a sub-collector layer while spacing apart the collector layers from each other. - 特許庁

ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。例文帳に追加

The GaN-based semiconductor region 17 forms a hetero-junction 25 in the first semiconductor part 15b of the GaN-based semiconductor region 15 as a two-dimensional inversion layer 23. - 特許庁

双方向のヘテロ接合型バイポーラトランジスタをスイッチング素子としてスイッチ回路を構成することにより、単位面積あたりの駆動能力が高く小型化が可能な高周波集積回路を構成する。例文帳に追加

To constitute a high-frequency integrated circuit which can be miniaturized with high drive capability per unit area by a method, wherein a switch circuit is constituted of bidirectional heterojunction-type bipolar transistors as a switching element. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタの素子サイズを縮小化し、素子内部で発生した熱を効率良く取り除くことができる半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of reducing the element size of a hetero-junction bipolar transistor and eliminating efficiently heat generated inside an element. - 特許庁

プローブを接触させた際の半導体層の歪みや転位の発生を防止できる新規な特性評価用ヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor for characteristic evaluation which can prevent the generation of distortion or dislocation of a semiconductor layer when it is brought into contact with a probe. - 特許庁

ドライエッチングによりメサ形成を行ったＨＢＴにおいて、エアブリッジなどの特別な配線形成工程を必要とせず、良好な特性を示す構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor having a structure showing a good property without requiring any special wiring formation process such as an air bridge or the like in an HBT in which a mesa formation is performed by a dry etching. - 特許庁

ヘテロ接合を利用して、内部ベース層の低抵抗化を可能とし、かつ、エピタキシャル成長により形成されたＳｉ_1-x Ｇｅ_x Ｃ_y 層からなる内部ベース層における不純物の拡散を抑制することができる。例文帳に追加

A heterojunction allows a lower resistance of the internal base layer, while the diffusion of impurity at the internal base layer comprising the Si1-xGexCy layer formed by epitaxial growth is suppressed. - 特許庁

少なくとも一方が光透過性である一対の電極１−５間に、電子供与性の導電性高分子膜３と電子受容性のフラーレン重合体膜４とが積層されたヘテロ接合構造体である。例文帳に追加

This heterojunction structure, where an electron donor type conductive high polymer film 3 and an electron acceptor type fluorine polymer film 4 are stacked between a pair of electrodes 1 and 5, at least one hand of which is light transmissive. - 特許庁

バリア層１４のバンドギャップが、キャリア供給層１３のバンドギャップよりも大きく、バリア層１４とキャリア供給層１３とが、タイプＩ型のヘテロ接合を形成している。例文帳に追加

The barrier layer 14 has a larger band gap than the carrier supply layer 13, and the barrier layer 14 and carrier supply layer 13 form a type I heterojunction. - 特許庁

ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth method which enables the growth of a crystal which has excellent interface steepness at a heterojunction interface, in a shower head type MOCVD apparatus with a gas middle chamber. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用ウェハ構造において、異なる特性をもつトランジスタを同一ウェハ内に作製すること（集積回路化）を可能とする。例文帳に追加

To manufacture (circuit integrate) transistors having different characteristics in the same wafer in a wafer structure for hetero junction bipolar transistors. - 特許庁

再結合電流発生の抑制が可能である，ナローバンドギャップ特性を有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor having narrow band gap characteristics capable of suppressing recombination current generation, and to provide a manufacturing method. - 特許庁

電子デバイス１１では、基準軸Ｎｘに直交した基準平面Ｒ２に沿ってヘテロ接合が延びるので、ピエゾ電界Ｐｚが基準平面Ｒ２に平行な方向に向く。例文帳に追加

In the electronic device 11, a heterojunction extends along a reference plane R2 orthogonal to the reference axis Nx, so a piezoelectric field Pz is directed parallel to the reference plane R2. - 特許庁

本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、高いデバイス特性を維持しつつ、しかも高信頼性動作が可能なデバイス構造と製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a device structure of a heterojunction bipolar transistor and a manufacturing method thereof which is capable of operating with high reliability and high device characteristics. - 特許庁

内部電界の働きにより、ゲート電極１９にゼロボルトが印加されているとき、二次元キャリアは、ゲート電極１９直下のヘテロ接合２１のバンドの屈曲部に実質的に蓄積されない。例文帳に追加

When zero volt is applied on the gate electrode 19, the two-dimensional carriers are not substantially accumulated in a bending section of a band of the heterojunction 21 immediately below the gate electrode 19 by the work of the inner electric field. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１００は、基板１上に順次に積層されたコレクタ層２、３、ベース層４、エミッタ層５およびエミッタコンタクトメサ６を有する。例文帳に追加

The hetero-junction bipolar transistor 100 is provided with collector layers 2, 3, a base layer 4, an emitter layer 5 and an emitter contact mesa 6 which are laminated in this order on a substrate 1. - 特許庁

本発明は、上述の点に鑑み、断面Ｔ字型エミッタ電極の微細化を可能にし、且つ高精度の製造を可能にしたヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor in which an emitter electrode having a T-shaped cross-section can be micromachined while being ensured in high precision manufacturing, and to provide its fabrication process. - 特許庁

調整結晶層３は、活性層４が有する井戸層７とバリア層６が形成するヘテロ接合界面における格子定数差を縮小させる機能を果たす。例文帳に追加

The adjusting crystal layer 3 reduces the difference of lattice constant at a hetero junction interface formed with the well layer 7 and barrier layers 6 contained in the active layer 4. - 特許庁

また、従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタに用いられていたＧａＩｎＮＡｓやＧａＡｓＳｂと異なり、ベース層１が単元素の結晶であるため、組成制御の必要がなく結晶製造プロセスが容易である。例文帳に追加

Further, unlike GaInNAs and GaAsSb, which have been used in a conventional heterojunction bipolar transistor, the base layer is a single element crystal, so that composition control is not required and a crystal manufacturing process is easy. - 特許庁

ゲート電極下の電子の走行方向が基板表面に略平行であるようにデバイス構造を改良しながらも各種弊害を解消したヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect transistor that eliminates various faults while improving a device structure so that a traveling direction of an electron below a gate electrode is substantially parallel with a substrate surface. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて二次元電子ガスの流れるチャネル層に対して引張り歪みをあたえるとともに価電子帯側のバンド不連続を調節してバンド構造を最適化する。例文帳に追加

In the heterojunction field effect transistor, a band structure is optimized, by giving tensile strain to a channel layer where a two-dimensional electron gas flows and controlling band discontinuity on the side of the valence band. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに関し、ベース層の材料として、アクセプタが充分に機能できるＧａＡｓＳｂを用い、しかも、余分なベース・エミッタ間電圧Ｖ_beを必要としないＨＢＴを実現しようとする。例文帳に追加

To obtain a heterojunction bipolar transistor using GaAsSb where an acceptor can function sufficiently as the material of a base layer and attaining a HBT requiring no excess base-emitter voltage V_be. - 特許庁

ヘテロ接合２１の界面に二次元正孔ガスが形成されることなく、電界効果トランジスタ１１の伝導が二次元電子ガス２３を介して提供される。例文帳に追加

The conduction of a field effect transistor 11 is provided via the two-dimensional electric gas 23 without the two-dimensional positive hole gas being formed on the interface of a heterojunction 21. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのサブコレクタ層から半絶縁性基板への電荷の流入を抑制することにより、基板リーク電流を低減する。例文帳に追加

To reduce a substrate leakage current by suppressing the inflow of electric charge from a sub-collector layer of a hetero-junction bipolar transistor to a half-insulating substrate. - 特許庁

レーザ・光検出器構造５００は、ＶＣＳＥＬタイプの発光素子５２０及び発光素子に光学的に結合される光検出器となるヘテロ接合フォトトランジスタ５１０とを有する。例文帳に追加

In a laser/photodetector structure 50, a VCSEL type light emitting element 520 and a hetero-junction phototransistor 510 as a photodetector joined optically with the light emitting element 520 are provided. - 特許庁

注入されたホールは、ヘテロ接合界面に同量の電子を引き寄せるので、チャネル領域として２次元電子ガスの濃度が高くなり、スイッチ素子１０のオン抵抗は小さくなる。例文帳に追加

Since the injected holes attract electrons of same amount to the heterojunction interface, the density of the secondary electron gas in a channel region is increased, and thus the on-resistance of the switching element 10 is reduced. - 特許庁

ヘテロ接合トランジスタ１０は、埋込み半導体領域２４、上面埋込み絶縁膜３４、第１半導体領域４２、第２半導体領域４４、ゲート電極４８が順に形成されている構造を備えている。例文帳に追加

A hetero junction transistor 10 has such structure as an embedded semiconductor region 24, an upper surface embedded insulating film 34, a first semiconductor region 42, a second semiconductor region 44, and a gate electrode 48, are sequentially formed. - 特許庁

電流容量/電流増幅率の高いＧａＮ系/ＳｉＣ系ヘテロ接合を有するノーマリオフ縦型半導体装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a normally-off longitudinal semiconductor device having GaN system/SiC system hetero junction having high current capacity/current amplification factor, and also to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

ゲート電極に対しては高い障壁機能を有しつつも、ソース及びドレイン電極に対しては直列抵抗の低い障壁層を有するヘテロ接合ＦＥＴを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction FET which is equipped with a barrier layer that is low in series resistance to a source and a drain electrode while possessing a high barrier function to a gate electrode. - 特許庁

そして、ダイアフラムに対する外圧が変化すれば、このヘテロ接合にかかる応力も変化するため、このチャネルの電気伝導度（シート抵抗）も敏感に変化する。例文帳に追加

Since the stress applied to the heterojunction also changes if the external pressure to the diaphragm changes, the electric conductivity (sheet resistance) of the channel also changes sensitively. - 特許庁

ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合に形成された二次元電子チャンネルの近くにｎ型ＧａＮ層を設け、さらにドレイン電極を表面のＡｌＧａＮ層及びｎ型ＧａＮ層に同時に接触させる。例文帳に追加

An n-type GaN layer is provided near a two-dimensional electronic channel which is formed at AlGaN/GaN heterojunction, and a drain electrode is simultaneously brought into contact with the AlGaN layer and the n-type GaN layer of the surface. - 特許庁

本発明は、エキシトン過程の効率およびキャリア過程の効率の両方を向上させることにより、光電変換のエネルギー変換効率を向上させることができるヘテロ接合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction element which improves the energy conversion efficiency of photoelectric conversion by improving both the efficiency of exciton process and the efficiency of carrier process. - 特許庁

ヘテロ接合における各対立遺伝子の増幅量が実質的に同じになるように設計した２種類の対立遺伝子特異的プライマーを用いる、１塩基多型の検出方法。例文帳に追加

The method for detecting the single nucleotide polymorphism comprises using two kinds of allele-specific primers designed so as to have substantially the same amplification amount of each allele in a hetero junction. - 特許庁

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a hetero junction field effect transistor that suppresses current collapse and reduces gate leakage current, and provide a manufacturing method of the hetero junction field effect transistor. - 特許庁

結晶性に優れ、且つ水素原子の含有量が少なく、デバイス特性の変動を抑制できる炭素添加ｐ形ＧａＡｓ系結晶層を有する化合物半導体ヘテロ接合構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor hetero junction structure that has excellent crystalizability, at the same time, a small content of a hydrogen atom, and a carbon doped p-type GaAs-based crystal layer than can inhibit variation in device characteristics. - 特許庁

マイクロ波からミリ波領域で動作する発振器やパワーアンプに用いる電界効果トランジスタに関し、高い素子耐圧を有し、かつ、動作時の直列抵抗の小さいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero junction field-effect transistor having high element breakdown strength and small series resistance in the case of an operation regarding the field-effect transistor used for an oscillator and a power amplifier operated in bands from microwaves to millimeter waves. - 特許庁