「ヘテロ接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

前記第１層と前記第２層との境界面に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。例文帳に追加

A heterojunction surface formed on the boundary surface between the first layer and second layer is disposed on a crystal surface perpendicular to a (0001) crystal surface. - 特許庁

第２半導体領域内に発生しているピエゾ分極の方向が、ヘテロ接合から離れる方向に調整されている。例文帳に追加

The direction of piezo polarization generated in the second semiconductor region is adjusted to be a direction moving away from the heterojunction. - 特許庁

高速動作が可能で、高い電流増幅率が安定して得られるヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction type bipolar transistor with which high- speed operation is enabled and a high current amplification factor can be stably provided. - 特許庁

ヘテロ接合型のIII-Ｖ族化合物半導体装置において、オフ時のリーク電流を抑制するとともにオン時の抵抗を低減する。例文帳に追加

To suppress a leak current of a heterojunction type group III-V compound semiconductor device when the semiconductor device is turned off, and to reduce resistance when the device is turned on. - 特許庁

ＳｉＧｅベース抵抗が低減されるＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an SiGe heterojunction bipolar transistor which reduces the SiGe base resistance. - 特許庁

高い電流増幅率及び電流遮断周波数を示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor which shows high current amplification factor and current break frequency. - 特許庁

パワーアンプは並列なベース安定化ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）１１０を組み込んでいる。例文帳に追加

The power amplifier is integrated with parallel base-stabilized hetero junction bipolar transistors (HBT) 110. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、製造コストの低減と各電極における良好なコンタクト特性の実現とを図る。例文帳に追加

To realize an excellent contact property at each electrode as well as reduction in manufacturing cost for hetero-junction bipolar transistors. - 特許庁

安定した形状のベースコレクタメサを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction bipolar transistor having a base collector mesa having a stable shape, and to provide a method for manufacturing it. - 特許庁

ピエゾ電界の平行な成分Ｐｚ（Ｔ）はヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働く。例文帳に追加

A parallel component Pz (T) of the piezoelectric field works as an inner electric field extending along a heterojunction 21. - 特許庁

ｐｎ接合を用いることなく電流閉じ込め可能な埋め込みヘテロ構造の半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser of an embedded hetero structure capable of confining a current without using a pn junction. - 特許庁

疑似エンハンスメントモード・ヘテロ接合ＦＥＴで構成され、静電気破壊が起こりにくく、低電流で動作する増幅回路を提供する。例文帳に追加

To provide an amplifying circuit which does not easily generate electrostatic damage and operates by low current of electricity by constituting a quasi- enhancement mode hetero junction FET. - 特許庁

ＳｉＧｅ／Ｓｉヘテロ接合界面に漏れ電流を生じない半導体装置の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a leakage current is not generated on the heterojunction interface of SiGe/Si. - 特許庁

量子カオス性を広範囲に制御することができ、しかも単一の材料を用いてもそのような広範囲の制御が可能なヘテロ接合を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero junction which controls quantum chaos property in a wide range even when a single material is used. - 特許庁

遷移金属酸化物からなる優れた整流特性、光感度を有するヘテロ接合デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction device that is composed of a transition metal oxide and has an excellent rectifying characteristic and photosensitivity. - 特許庁

低いオン抵抗を有し且つ高い破壊耐圧を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction bipolar transistor having a low on-state resistance and a high destructive breakdown voltage. - 特許庁

通信技術において重要な役割を果たすヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、高速化、高耐圧化を同時に実現すること。例文帳に追加

To increase speed and withstand voltage, at the same time in a heterojunction field effect transistor which plays an important role in communication technology. - 特許庁

ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造するだけでなく、ＳｉＧｅバイポーラの歩留まりも向上させる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method capable of not only manufacturing an SiGe hetero junction bipolar transistor but also improving the yield of an SiGe bipolar. - 特許庁

ベース層７にＧａＡｓ、エミッタ層６にＩｎ混晶比が０．４９以上０．５６以下のＩｎＧａＰを使用し、ヘテロ接合を構成する。例文帳に追加

GaAs is used for a base layer 7 and InGaP with an In mixed crystal ratio of 0.49 or more and 0.56 or less for an emitter layer 6 to construct a heterojunction. - 特許庁

ゲートリーク電流が小さく、形成が容易なノーマリオフ特性を有するヘテロ接合型電界効果半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect semiconductor device with normally-OFF characteristics, which has a small gate leakage current and is easy to form. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＣドープＡｌ_xＧａ_1-xＡｓベース層中にＣ濃度の１０％以上のＣ−Ｈ濃度を含ませる。例文帳に追加

In a carbon-doped AlxGa1-xAs base layer 3 of a heterojunction bipolar transistor, the concentration of carbon-hydrogen bonds is at least 10% that of carbon. - 特許庁

寄生容量をより一層低減することができるヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction bipolar transistor in which a parasitic capacitance can be reduced further, and its manufacturing method. - 特許庁

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a heterojunction field effect transistor that suppresses current collapse and reduces gate leakage current. - 特許庁

第一結晶層５，３は、活性層４に隣接するようにヘテロ接合され、キャリアに対するバリア層の機能を果たす。例文帳に追加

The first crystal layers 5 and 3 are subjected to heterojunction to each other, so that the layers 5 and 3 are adjacent the active layer 4 and function as barrier layers against carriers. - 特許庁

利得のコレクタ電圧依存性を低減できるヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを備える増幅器を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero junction bipolar transistor capable of reducing the collector voltage dependency of a gain and an amplifier provided with it. - 特許庁

トランジスタの耐圧を向上できる構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction bipolar transistor, having a structure capable of increasing the breakdown voltage of the transistor. - 特許庁

ベース−コレクタ容量及びベース抵抗を低減できる構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ(ＨＢＴ)を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction bipolar transistor (HBT) having a structure that can be reduced in base-collector capacitance and base resistance. - 特許庁

高い周波数領域においても信号劣化の無い高出力のヘテロ接合型電界効果トランジスタ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor element wherein signal deterioration is suppressed even in a high frequency area and output is high. - 特許庁

コレクタ抵抗が小さいＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを得る。例文帳に追加

To obtain an epitaxial wafer for a heterojunction bipolar transistor (HBT) and reduced in its collector resistance, and the HBT. - 特許庁

これにより、ノーマリオフ特性を有し且つオン抵抗が小さいヘテロ接合型電界効果半導体装置を得ることができる。例文帳に追加

With this configuration, a hetero-junction field-effect semiconductor device is provided which has normally-off characteristics and a low on resistance. - 特許庁

高周波用送信パワーアンプに適用されるヘテロ接合バイポーラトランジスタには、高耐圧性が要求される。例文帳に追加

To solve a problem that a heterojunction bipolar transistor applied to a high-frequency transmission power amplifier is required to have a high breakdown voltage. - 特許庁

第１層と第２層との境界に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。例文帳に追加

The hetero-junction surface, formed on a boundary between the first layer and the second layer, is positioned on a crystalline plane orthogonal to a (0001) crystalline plane. - 特許庁

パワーアンプの歪特性及び効率を悪化させずに耐破壊性を向上させることが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること例文帳に追加

To provide a hetero-junction bipolar transistor having improved breakage resistance without deteriorating the distortion characteristics and efficiency of a power amplifier. - 特許庁

高出力化に付随して要求される高耐破壊化を満たすヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction bipolar transistor meeting high breakdown resistance required following tendency for large output. - 特許庁

ワイドバンドギャップ系半導体のヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、負性抵抗を制御性よく発現できる構造を提示する。例文帳に追加

To provide a structure of a heterojunction field-effect transistor of a semiconductor of a wide-band gap system by which negative resistance can be developed with high controllability. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness. - 特許庁

多型部位の遺伝子配列及びヘテロ接合性の消失の判定方法、並びにそれに基づいた癌に対する医薬例文帳に追加

METHOD FOR JUDGING GENE SEQUENCE OF POLYMORPHIC SITE AND LOSE OF HETEROZYGOSITY, AND MEDICINE AGAINST CANCER BASED ON THE SAME - 特許庁

ヘテロ接合界面の課題を解決できるとともに、ＯＬＥＤを用いた装置の寿命を延ばすＯＬＥＤを提供する。例文帳に追加

To provide an OELD capable of solving a problem of a heterojunction interface and prolonging the life time of a system using the OLED. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに関連する、半導体構造体及び半導体の製造方法が提供される。例文帳に追加

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductors relate to heterojunction bipolar transistors. - 特許庁

結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal silicon-based solar cell having superior photoelectric conversion efficiency with respect to a heterojunction solar cell using a crystal silicon substrate. - 特許庁

半導体装置の一態様には、第１の半導体層１と、第１の半導体層１とヘテロ接合した第２の半導体層２と、が設けられている。例文帳に追加

The semiconductor device includes a first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 heterojunctioned with the first semiconductor layer 1. - 特許庁

チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction transistor having a structure capable of avoiding heterogeneity in resistance in a channel layer. - 特許庁

なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。例文帳に追加

Meanwhile, for the laminated structure, an MOS structure, a Schottky junction structure, a heterostructure, or their combination can be used. - 特許庁

共振センサ装置は、２次元電子ガス層を提供する、その界面にヘテロ接合を有する活性層２４およびバリア層２５を備える。例文帳に追加

The resonance sensor system provides an active layer 24 and a barrier layer 25 which have a hetero junction on an interface providing a two-dimensional electron gas layer. - 特許庁

高電流注入における高周波特性が改善されたダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a double heterojunction bipolar transistor having improved high-frequency characteristics in high current injection. - 特許庁