意味 | 例文 (714件) |
ヘテロ接合の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 714件
改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING IMPROVED EMITTER-BASE JUNCTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR - 特許庁
ヘテロバイポーラトランジスタ70は、ベースとエミッタ、ベースとコレクタがヘテロ接合を有し、双条ベース構造を有する。例文帳に追加
A heterobipolar transistor 70 has such a twin base structure that a base has heterojunctions with an emitter and a collector. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベース形成方法例文帳に追加
FORMING METHOD OF SILICON GERMANIUM BASE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
ヘテロ接合、量子カオス装置、量子カオスの制御方法および半導体装置例文帳に追加
HETEROJUNCTION, QUANTUM CHAOS DEVICE, CONTROL METHOD OF QUANTUM CHAOS AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
超スケーラブルな高速ヘテロ接合垂直NチャネルMISFETおよびその方法例文帳に追加
ULTRA-SCALABLE HIGH-SPEED HETEROJUNCTION VERTICAL N-CHANNEL MISFET AND ITS METHOD - 特許庁
ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて電子ブロッキング効果を確実に防止できるようにする。例文帳に追加
To surely prevent electron blocking effect in a double heterojunction bipolar transistor. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS FABRICATING METHOD - 特許庁
半導体下層30と半導体上層40は、ヘテロ接合72を構成している。例文帳に追加
The semiconductor lower layer 30 and the semiconductor upper layer 40 form a heterojunction 72. - 特許庁
ハイブリッドヘテロ接合構造を有する太陽電池及び関連するシステム並びに方法例文帳に追加
SOLAR CELL HAVING HYBRID HETEROJUNCTION STRUCTURE AND RELATED SYSTEM AND METHOD - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法、及びそれを用いた電力増幅器例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND POWER AMPLIFIER USING THE SAME - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加
To improve the reliability of a semiconductor device having a heterojunction bipolar transistor. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法、並びに、通信装置例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND COMMUNICATION APPARATUS - 特許庁
エミッタ・ベース・グレーディング構造が改良されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR(HBT) HAVING IMPROVED EMITTER/BASE GRADING STRUCTURE - 特許庁
有機物質、特に重合体からpnヘテロ接合ダイオードを製造する。例文帳に追加
To manufacture a pn heterojunction diode from an organic substance, especially from a polymeric substance. - 特許庁
III−V材料上にダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING DOUBLE-HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR ON III-V MATERIAL - 特許庁
単結晶ベースを有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SINGLE CRYSTAL BASE AND METHOD RELATED THERETO - 特許庁
オン抵抗が低減されたヘテロ接合を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having a heterojunction in which ON-resistance is reduced. - 特許庁
ヘテロ接合性の消失を利用した二倍体細胞染色体特定領域のホモ化方法例文帳に追加
METHOD FOR HOMOGENIZING SPECIFIC REGION OF DIPLOID CELL CHROMOSOME USING LOSE OF HETEROZYGOSITY - 特許庁
リセス構造を有する III族窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)を形成する。例文帳に追加
To form a III nitride heterojunction field-effect transistor (HFET) having a recess structure. - 特許庁
共役重合体と受容体のヘテロ接合体;ダイオード、フォトダイオード及び光電池例文帳に追加
HETEROJUNCTION OF CONJUGATE POLYMER AND ACCEPTOR; DIODE, PHOTODIODE, AND PHOTOVOLTAIC CELL - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ、及びその製造方法例文帳に追加
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
高出力パワー・高効率のヘテロ接合バイポーラガン素子発振回路を提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar gun element oscillating circuit that is high in output power and efficiency. - 特許庁
エミッタ領域11と真性ベース領域9はヘテロ接合を形成する。例文帳に追加
The emitter area 11 and intrinsic base area 9 are connected by heterojunction. - 特許庁
バンドギャップの狭いベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor having a base layer with a narrow bandgap. - 特許庁
本発明は、有機のヘテロ接合を用いた有機ダイオードに高い整流性を付与することを目的とする。例文帳に追加
To impart high rectification properties to an organic diode employing an organic heterojunction. - 特許庁
半導体装置の製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法、並びに増幅器例文帳に追加
FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND AMPLIFIER - 特許庁
GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法例文帳に追加
GaN-SYSTEM HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR CONTROLLING ITS CHARACTERISTIC - 特許庁
歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの作製方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING STRAIN GROUP HETEROJUNCTION CRYSTAL - 特許庁
pn接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子及びその形成方法例文帳に追加
PN JUNCTION-TYPE HETEROSTRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS FORMING METHOD - 特許庁
静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) device having an electrostatic discharge ruggedness. - 特許庁
遷移金属酸化物ヘテロ接合からなる簡便で高感度な光センサーを提供する。例文帳に追加
To provide a simple high-sensitivity optical sensor composed of a heterojunction of a transition metal oxide. - 特許庁
バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池及び関連する製造プロセスを提供する。例文帳に追加
To provide a back contact single heterojunction-type solar battery and a manufacturing process thereof. - 特許庁
ヘテロ接合を有する半導体装置において、素子領域から電流がリークすることを抑制する。例文帳に追加
To minimize a current leaking from an element region in a semiconductor device having a hetero-junction. - 特許庁
化合物半導体基板の成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ例文帳に追加
GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
ダイオードはたとえば、PNダイオード、ヘテロ接合ダイオード、ショットキーダイオードなどである。例文帳に追加
As the diode, e.g. a PN diode, a heterojunction diode, a Schottky diode, etc., can be used. - 特許庁
有機材料及び非有機材料は、全体として複数のハイブリッドヘテロ接合構造を形成する。例文帳に追加
The organic material and the inorganic material form a plurality of hybrid heterojunction structures as a whole. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成要素として含む半導体装置及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AS COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
一倍体接合方法を用いた酵母におけるヘテロ多量体のポリペプチド類の合成方法例文帳に追加
METHOD OF SYNTHESIZING HETEROMULTIMERIC POLYPEPTIDE IN YEAST USING HAPLOID MATING STRATEGY - 特許庁
ヘテロ接合型バイポ—ラトランジスタのコレクタ空乏層容量の飽和のシミュレーション法例文帳に追加
SATURATION SIMULATION METHOD FOR COLLECTOR DEPLETION LAYER CAPACITY OF HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。例文帳に追加
The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6. - 特許庁
炭素ドープベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法例文帳に追加
MANUFACTURE OF HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CARBON-DOPED BASE LAYER - 特許庁
静電気耐量が大きいヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a hetero junction field effect transistor with large electrostatic resistance, and its manufacturing method. - 特許庁
ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
チャネル層14と電子障壁層16とはヘテロ接合28を形成している。例文帳に追加
The channel layer 14 and the electron barrier layer 16 form a hetero junction 28. - 特許庁
降伏電圧を増大させるGaAsSb/InP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を提供する。例文帳に追加
To provide a GaAsSb/InP hetero-junction bipolar transistor (HBT) that increases breakdown voltage. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路及びその製造方法例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR INTEGRATED LIGHT- RECEIVING CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
ヘテロ接合トランジスタにおいて、ゲートの閾値電圧のバラツキを低減すること。例文帳に追加
To reduce variation in threshold voltages of the gate of a hetero junction transistor. - 特許庁
寄生抵抗を低減できるヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタを提供すること。例文帳に追加
To provide a hetero-junction compound semiconductor field-effect transistor having less parasitic resistance. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタにリエントリ形状を形成するためのセルフアライメント・プロセス例文帳に追加
SELF-ALIGNMENT PROCESS FOR PRODUCING REENTRY FORM HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
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