「メサ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

順メサ型受光素子例文帳に追加

FORWARD MESA PHOTODETECTOR - 特許庁

メサ型ダイオードおよびメサ型ダイオードの製造方法例文帳に追加

MESA DIODE AND MESA DIODE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

メサ型振動片およびメサ型振動デバイス例文帳に追加

MESA TYPE VIBRATING PIECE AND MESA TYPE VIBRATING DEVICE - 特許庁

第２メサ４１は、第１メサ２１上に設けられている。例文帳に追加

The second mesa 41 is provided on the first mesa 21. - 特許庁

逆メサ型圧電振動片、逆メサ型圧電デバイスおよび逆メサ型圧電デバイスの製造方法例文帳に追加

INVERTED MESA SHAPED PIEZOELECTRIC VIBRATING REED, INVERTED MESA SHAPED PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING INVERTED MESA SHAPED PIEZOELECTRIC DEVICE - 特許庁

メサ型振動片、メサ型振動デバイスおよびメサ型振動デバイスの製造方法例文帳に追加

MESA TYPE OSCILLATION PIECE, MESA TYPE OSCILLATION DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF MESA TYPE OSCILLATION DEVICE - 特許庁

2年間メサドンを使用しています。例文帳に追加

I have been using methadone for 2 years. - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

基板上にメサを形成する。例文帳に追加

A mesa is formed on a substrate. - 特許庁

逆メサ型圧電共振子例文帳に追加

INVERSE MESA TYPE PIEZOELECTRIC RESONATOR - 特許庁

メサ型バイポーラトランジスタ例文帳に追加

MESA BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

多段メサ構造の製作方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF MULTISTAGE MESA STRUCTURE - 特許庁

メサ型半導体装置の製法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING MESA-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

メサ型圧電振動片、メサ型圧電振動デバイス、発振器、及び電子機器例文帳に追加

MESA TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATION REED, MESA TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATION DEVICE, OSCILLATOR, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

メサ型半導体素子及びメサ型半導体素子の製造方法例文帳に追加

MESA TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING MESA TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

メサ型半導体装置の製造方法及びメサ型半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

基板１０上に第１メサ２１及び第２メサ４１を有する。例文帳に追加

A first mesa 21 and a second mesa 41 are provided on a substrate 10. - 特許庁

ＨＢＴ１は、基板２と、基板２の(１００)面上に形成されたサブコレクタメサ３と、サブコレクタメサ３上に形成された主要部メサ１０と、主要部メサ１０上に形成されたエミッタコンタクトメサ７とを有する。例文帳に追加

An HBT 1 is provided with a substrate 2, a sub-collector mesa 3 formed on the (100) face of the substrate 2, a primary part mesa 10 formed on the sub-collector mesa 3, and an emitter contact mesa 7 formed on the primary part mesa 10. - 特許庁

溝間のメサコンタクト層の幅ａはメサ第２クラッド層の幅（メサ幅Ｗ）よりも小さく、かつメサコンタクト層の縁の外側には所定長さ（ｂ）に亘ってメサ第２クラッド層の上面が露出している。例文帳に追加

A width (a) of the mesa contact layer between the grooves is smaller than a width (mesa width W) of the mesa second cladding layer, and a top face of the mesa second cladding layer is exposed over a predetermined length (b) outside edges of the mesa contact layer. - 特許庁

メサ構造の形成方法並びにこれを用いたメサ構造、及びこれを用いたメサ型ダイアフラム並びに圧力センサ例文帳に追加

MESA STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF AND MESA DIAPHRAGM AND PRESSURE SENSOR USING THE SAME - 特許庁

メサ領域Ｍには電流阻止領域が形成されておらず、メサ領域Ｍのメサ径は１５μｍ以下に形成されている。例文帳に追加

A current blocking region is not formed in the mesa region M, and the mesa region M is formed so that its diameter is 15 μm or less. - 特許庁

メサ（受光領域メサ１９）の側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面である。例文帳に追加

The sidewall of the mesa (a light-receiving region mesa 19) is a surface that is inclined in the direction in which the bottom of the mesa becomes wider. - 特許庁

メサ型ダイオードのメサ側壁への、上部電極と下部電極との電位差の集中を緩和する。例文帳に追加

To relax concentration of potential between an upper electrode and a lower electrode to a mesa lateral wall of a mesa diode. - 特許庁

第２のメサポストＭ２は、第１のメサポスＭ１トよりも大きな直径を有する。例文帳に追加

The second mesa post M2 has a larger diameter than that of the first mesa post M1. - 特許庁

第１組のメサ１０〜１６と第２組のメサ２０〜２６は、それぞれ独立に駆動可能である。例文帳に追加

The first set of mesas 10-16 and the second set of mesas 20-26 can be driven independently. - 特許庁

マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。例文帳に追加

To provide a mesa pattern shape of a mesa section, which does not deviate from a mask pattern shape greatly. - 特許庁

平坦な平野は、高いメサによって途切れていた例文帳に追加

The flat plain was broken by tall mesas  - 日本語WordNet

メサビ山脈の北東ミネソタの或る町例文帳に追加

a town in northeastern Minnesota in the Mesabi Range  - 日本語WordNet

メサビ山地の中心の北東部ミネソタの町例文帳に追加

a town in northeastern Minnesota in the heart of the Mesabi Range  - 日本語WordNet

この後、導波路メサ上に回折格子を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a diffraction grating is formed on the waveguide mesa. - 特許庁

メサ型圧電振動片及び圧電デバイス例文帳に追加

MESA TYPE PIEZOELECTRIC OSCILLATING REED AND PIEZOELECTRIC DEVICE - 特許庁

回折部３６ａの幅はメサ幅Ｍと同等である。例文帳に追加

The width of the diffraction part 36a is equivalent to a mesa width M. - 特許庁

静電チャックの目標メサ構成を決定する方法例文帳に追加

METHOD OF DETERMINING TARGET MESA CONFIGURATION OF ELECTROSTATIC CHUCK - 特許庁

メサ型ダイオード及びその製造方法例文帳に追加

MESA TYPE DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ゲート電極はメサ部の縁側壁に沿って延伸する。例文帳に追加

The gate electrodes extend along an edge sidewall of the mesa. - 特許庁

メサ型フォトダイオード及びその製造方法例文帳に追加

MESA PHOTODIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

メサ埋め込み型半導体レーザの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING BURIED MESA SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁

安定的に半導体レーザのメサ形状を得る。例文帳に追加

To stably obtain a mesa shape of a semiconductor laser. - 特許庁

メサ型圧電振動子とその製造方法例文帳に追加

MESA-TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

代替として、若干のメサは指形であって、中央メサまたはブリッジメサと交叉し、また若干の、または全てのオーミック接触金属層は指形メサと指を組合わせた形状である。例文帳に追加

Alternatively, some of the mesas may be finger-shaped and intersect with a central mesa or a bridge mesa, and some or all of the ohmic contact metal layers are interdigitated with the finger-shaped mesas. - 特許庁

メサ型圧電振動素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF MESA TYPE PIEZOELECTRIC VIBRATING ELEMENT - 特許庁

メサ型超伝導素子及びその製造方法例文帳に追加

MESA TYPE SUPERCONDUCTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

メサ型半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

MESA TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

トレンチ５は、半導体基板１の表面層を第１メサ領域４１と第２メサ領域４２に分割し、かつ第１メサ領域４１と第２メサ領域４２を交互に配置させる。例文帳に追加

The trench 5 is formed, by dividing the surface layer of the semiconductor substrate 1 into a first mesa region 41 and a second mesa area 42, and alternately arranging the first and second mesa areas 41 and 42. - 特許庁

これにより、半導体メサ部２Ｍが得られる。例文帳に追加

Thus, the semiconductor mesa part 2M is obtained. - 特許庁

メサ型半導体素子とその製造方法例文帳に追加

MESA SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁