「レーザ系」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン系薄膜光電変換装置は、順次積層された１導電型層１０４と、結晶配向性制御層１１６と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層１０５と、逆導電型層１０６とを含み、その１導電型層１０４は、３５０℃以下の下地温度の下でプラズマＣＶＤ法によって堆積された非晶質シリコン膜がパルスレーザアニールによって結晶質化されたものであることを特徴としている。例文帳に追加

The silicon based thin film photoelectric converter comprises a one conductivity type layer 104, a crystal orientation control layer 116, a crystalline silicon based thin film photoelectric conversion layer 105 and a reverse conductivity type layer 106 laminated sequentially wherein the one conductivity type layer 104 is formed by crystallizing an amorphous silicon film, deposited by plasma CVD under temperature of 350°C, by pulse laser annealing. - 特許庁

共焦点光学系を介してレーザー光を測定対象の内部組織に照射し、前記測定対象の内部組織により反射された反射光を前記共焦点光学系を介して検出する受光素子から出力されるデータに基づき前記測定対象の成分の測定を行うように構成された成分測定装置において、前記受光素子は、複数の受光体が同心円状またはマトリクス状に設けられたことを特徴とするもの。例文帳に追加

In the component measuring apparatus configured to measure the components of the measuring object on the basis of data outputted from a photodetector which detects reflected light reflected by the internal tissue of the measuring object through a confocal optical system by irradiating the internal tissue of the measuring object with a laser beam through the confocal optical system, a plurality of light receiving bodies are provided concentrically or in a matrix shape for the photodetector. - 特許庁

第１の主面にリッジが形成されたガリウムヒ素系または窒化ガリウム系の半導体基体と、前記リッジの側面及び前記リッジの周囲の前記第１の主面を覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に積層された窒化アルミニウム膜と、前記リッジの上面と前記窒化アルミニウム膜の上に設けられた第１の金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

The semiconductor laser element is provided with a gallium-arsenide-based or gallium-nitride-based semiconductor substrate having a ridge formed on a first principal plane, an insulation film provided to cover side faces of the ridge and the first principal plane around the ridge, an aluminum nitride film laminated on the insulation film, and a first metal electrode provided on the upper surface of the ridge and on the aluminum nitride film. - 特許庁

フェライト系ステンレス鋳鋼製の排気マニホールド１６と、オーステナイト系ステンレス鋳鋼製の過給機ハウジング１２とが、連結管１４により結合されている排気マニホールド接続構造１０であって、連結管１４が、排気マニホールド１６に一体的に形成されたマニホールド側連結管部１８と、過給機ハウジング１２に一体的に形成された過給機側連結管部２０と、それらマニホールド側連結管部１８と過給機側連結管部２０とを接続する接続部２２とからなり、その接続部２２を、ＴＩＧ溶接、ＭＩＧ溶接、レーザ溶接、電子ビーム溶接のいずれかにより、ニッケル当量が６０以上である溶加材を用いて形成する。例文帳に追加

This exhaust manifold connection structure 10 has a ferrite stainless cast steel exhaust manifold 16 and an austenite stainless cast steel supercharger housing 12 connected by a connection pipe 14. - 特許庁

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。例文帳に追加

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate. - 特許庁