「体ギャップ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

放電ギャップ付き液体抵抗器例文帳に追加

LIQUID RESISTOR WITH DISCHARGE GAP - 特許庁

ワイドギャップ半導体装置例文帳に追加

WIDE-GAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体マイクロデバイスのギャップ計測方法及びギャップ計測用の半導体マイクロデバイス例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING SEMICONDUCTOR MICRODEVICE GAP, AND SEMICONDUCTOR MICRODEVICE FOR MEASURING GAP - 特許庁

ワイドギャップ半導体基板およびワイドギャップ半導体装置の製造方法例文帳に追加

WIDE GAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

受光層のバンドギャップはＩｎＰ半導体層のバンドギャップより小さい。例文帳に追加

The band gap of the photosensitive layer is smaller than that of the InP semiconductor layer. - 特許庁

バンドギャップ回路を内蔵する半導体集積回路例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING BAND GAP CIRCUIT - 特許庁

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング例文帳に追加

PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部例文帳に追加

GATE DRIVE FOR WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

バンドギャップ回路及びこれを具備する半導体装置例文帳に追加

BAND GAP CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ワイドバンドギャップ逆阻止ＭＯＳ型半導体装置例文帳に追加

WIDE BANDGAP REVERSE BLOCK MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法例文帳に追加

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

アキシャルギャップモータ及び電動式流体駆動装置例文帳に追加

AXIAL GAP MOTOR AND ELECTROMOTIVE FLUID DRIVE UNIT - 特許庁

ギャップ調節装置、記録装置、液体噴射装置例文帳に追加

GAP ADJUSTING DEVICE, RECORDING DEVICE, LIQUID INJECTION APPARATUS - 特許庁

エアギャップを有するＳＴＩ構造体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING STI STRUCTURE WITH AIR GAP - 特許庁

実年齢と身体的年齢にギャップがあるっていうのは例文帳に追加

The gap between physical age and mental age. - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

このコンタクト層３がｐ形クラッド層４のバンドギャップとｐ形半導体層２のバンドギャップとの間のバンドギャップを有し、順次バンドギャップが変化する勾配を有するように形成されている。例文帳に追加

The contact layers 3 are formed, so that the layers 3 have band gaps which lie between those of the clad layer 4 and semiconductor layer 2 and the band gaps have a successively changing gradient. - 特許庁

ギャップ初期値Ｇと放電による電極消耗体積から求めたギャップ増加量Ｇ１とギャップ縮小量Ｇ２からギャップ長さを算出し、算出したギャップ長が閾値に到達したら、警告灯を点灯して、ドライバに知らせる（Ｓ１９〜Ｓ２２）。例文帳に追加

The gap length is calculated from an increased gap amount G1 obtained from the gap initial value G and the volume of the electrodes consumed due to discharge and the reduce gap amount G2, and when the calculated gap length reaches a threshold, a warning lamp is turned on to inform a driver (S19-S22). - 特許庁

インダクタは、導電体２と、成型樹脂からなるギャップ材６を一体成形したギャップ材一体型コイル７を用いる。例文帳に追加

The inductor uses a gap material integrated coil 7 in which a conductor 2 and a gap material 6 consisting of molding resin are integrally molded. - 特許庁

ホログラム記録媒体用ギャップ層及びそのホログラム用記録媒体例文帳に追加

GAP LAYER FOR HOLOGRAM RECORDING MEDIUM, AND HOLOGRAM RECORDING MEDIUM - 特許庁

ホログラム記録媒体用ギャップ層およびホログラム記録媒体例文帳に追加

GAP LAYER FOR HOLOGRAM RECORDING MEDIUM, AND HOLOGRAM RECORDING MEDIUM - 特許庁

流体抽出システムは、ギャップから液体を除去する。例文帳に追加

A fluid extraction system removes the liquid from the gap. - 特許庁

ステータ−ロータ組立体内のギャップを通る気体を制限する。例文帳に追加

To limit gas passing through a gap in a stator/rotor assembly. - 特許庁

流体抽出システムは、ギャップから液体を除去する。例文帳に追加

The fluid extraction system may be configured to remove liquid from the gap. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer. - 特許庁

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第１のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きい。例文帳に追加

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the first group III nitride system semiconductor. - 特許庁

第２の半導体層１３ｂは、第１の半導体層１３ａにおける最小のバンドギャップも大きいバンドギャップを有する。例文帳に追加

The second semiconductor layer 13b has a band gap larger than the smallest band gap in the first semiconductor layer 13a. - 特許庁

第２のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１５は第１のIII族窒化物半導体材料のバンドギャップＥ１３より大きい。例文帳に追加

The band gap E15 of a second group III nitride semiconductor material is larger than the band gap E13 of a first group III nitride semiconductor material. - 特許庁

第３のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第２のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である。例文帳に追加

A band gap of the third group III nitride system semiconductor is larger than a band gap of the second group III nitride system semiconductor. - 特許庁

そして、第１の半導体領域（領域４ｂ）は、そのバンドギャップが第２および第３の半導体領域（領域４ｃ）のバンドギャップよりも小さい。例文帳に追加

Then the band gap of the first semiconductor region 4b is smaller than those of the second and third semiconductor regions 4c. - 特許庁

この放電ギャップ付き液体抵抗器４０は、液体抵抗器３０ａと、それに並列接続された放電ギャップ４２とを備えている。例文帳に追加

This liquid resistor 40 provided with a discharge gap is equipped with a liquid resistor 30a, and a discharge gap 42 connected in parallel with the liquid resistor 30a. - 特許庁

エアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイスの製造方法およびエアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DAMASCENE STRUCTURE PROVIDED WITH AIR-GAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ヘッド組立体と印刷媒体間のヘッドギャップを円滑に調整できるインクジェットプリンタのヘッドギャップ調整装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for adjusting the head gap of an ink-jet printer which can smoothly adjust the head gap between a head assembly and a printing medium. - 特許庁

非破壊で行うことができる半導体マイクロデバイスのギャップ計測方法及びギャップ計測用の半導体マイクロデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for measuring the gap of a semiconductor microdevice in a non-destructive manner, and the semiconductor microdevice for measuring the gap. - 特許庁

更に、ギャップと液体で連通したポンプ２９０を備え、ギャップを経由して液体が送り出される。例文帳に追加

Furthermore, a pump 290 communicating with the gap through the liquid is provided in order to feed the liquid through the gap. - 特許庁

バンドギャップレファレンス回路及び同回路を有する半導体装置例文帳に追加

BAND GAP REFERENCE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE CIRCUIT - 特許庁

１．７ｅＶ前後のバンドギャップを有する化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor having a band gap of approximately 1.7 eV. - 特許庁

ワイドギャップ半導体用電極金属膜の作製方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF ELECTRODE METAL FILM FOR WIDE-GAP SEMICONDUCTOR - 特許庁

エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザ例文帳に追加

INTERPOSER OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP STRUCTURE - 特許庁

パテ状ギャップ充填化合物および液体空気断熱システム例文帳に追加

PUTTY-LIKE GAP-FILLING COMPOUND AND LIQUID AIR THERMAL INSULATION SYSTEM - 特許庁

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー真空半田付け方法例文帳に追加

VACUUM LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

ナノギャップアレイ及びそれを用いた生体高分子の診断方法例文帳に追加

NANOGAP ARRAY AND DIAGNOSTIC METHOD FOR BIOPOLYMER USING THE SAME - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法。例文帳に追加

WIDEBAND GAP SEMICONDUCTOR VERTICAL MOSFET, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁