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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 分子線エピタキシャル装置の意味・解説 > 分子線エピタキシャル装置に関連した英語例文

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分子線エピタキシャル装置の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 22



例文

分子線エピタキシャル装置例文帳に追加

PARTICLE BEAM EPITAXIAL EQUIPMENT - 特許庁

分子線エピタキシャル装置例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL EQUIPMENT - 特許庁

分子線エピタキシャル装置例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH APPARATUS - 特許庁

分子線エピタキシャル装置および分子エピタキシャル方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL DEVICE, AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL METHOD - 特許庁

例文

分子エピタキシャル成長装置および分子エピタキシャル成長方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH APPARATUS AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH METHOD - 特許庁


例文

分子セルおよび分子エピタキシャル成長装置例文帳に追加

MOLECULAR BEAM CELL AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH SYSTEM - 特許庁

分子線エピタキシャル装置の制御装置分子線エピタキシャル装置分子線エピタキシャル装置の制御方法、分子線エピタキシャル装置制御プログラム、およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL APPARATUS, CONTROLLER THEREOF, CONTROL METHOD THEREOF, CONTROL PROGRAM THEREFOR, AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM - 特許庁

分子を用いたエピタキシャル装置例文帳に追加

EPITAXIAL DEVICE USING MOLECULAR BEAM - 特許庁

分子線エピタキシャル装置および分子線エピタキシャル装置を用いたIII族グループ窒化物の立方晶単結晶薄膜の製造方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING CUBIC MONOCRYSTAL THIN FILM OF GROUP-III NITRIDE BY USING MOLECULAR BEAM EPITAXIAL APPARATUS - 特許庁

例文

(三) ガス源又は固体源を用いた分子エピタキシャル成長装置例文帳に追加

3. Molecular beam epitaxial growth systems employing gas sources or solid sources  - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

分子エピタキシャル成長装置及びそのクリーニング方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND ITS CLEANING METHOD - 特許庁

分子エピタキシャル成長装置及びその制御方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME - 特許庁

分子源セルの制御システム、その制御方法および分子線エピタキシャル装置例文帳に追加

SYSTEM FOR CONTROLLING MOLECULAR BEAM SOURCE CELL, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL APPARATUS - 特許庁

水素ラジカル発生装置およびそれを備えた分子エピタキシャル成長装置例文帳に追加

HYDROGEN RADICAL GENERATOR AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH SYSTEM EQUIPPED THEREWITH - 特許庁

分子エピタキシャル成長装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

分子エピタキシャル成長装置のクリーニングを効率良く行うことで稼働率を向上させる。例文帳に追加

To raise operation rates by cleaning efficiently a molecular beam epitaxial growth device. - 特許庁

同一の分子材料を有する分子セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a controller of a molecular beam epitaxial apparatus which improves the working rate of the molecular beam epitaxial apparatus provided with a plurality of molecular beam cells having the same molecular beam material and realizing high reproducibility in film formation. - 特許庁

分子エピタキシャル成長装置のクリーニング方法、分子エピタキシャル成長装置、その装置により製造された基板およびその製造方法例文帳に追加

CLEANING METHOD FOR MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH SYSTEM, MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH SYSTEM, SUBSTRATE PRODUCED BY THE SYSTEM, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

本発明の分子エピタキシャル成長装置は、水素ラジカル発生装置10および分子セル23が、それぞれ独立して設けられている。例文帳に追加

In the molecular beam epitaxial growth system, a hydrogen radical generator 10 and a molecular beam cell 23 are installed independently. - 特許庁

装置の小型化が図れるとともに、効率よく所望の単結晶薄膜を基板上にエピタキシャル成長させることができる分子エピタキシャル成長装置および安価にかつ精度よく窒化ガリウム等のIII族グループ窒化物の単結晶薄膜が得られる分子エピタキシャル成長装置を用いた窒化ガリウム等のIII族グループ窒化物単結晶薄膜の製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a molecular beam epitaxial apparatus which can be downsized and efficiently realize epitaxial growth of a desired monocrystal thin film on a substrate, and to provide a method for manufacturing a monocrystal thin film of group-III nitride such as gallium nitride by using the molecular beam epitaxial growth apparatus capable of monocrystal thin film of group-III nitride such as gallium nitride inexpensively and highly pewcisely. - 特許庁

基板の表面に形成する薄膜に混入する還元作用を有するガスの量を抑制するとともに、基板の表面または基板の表面に形成する薄膜に与える損傷を抑制して基板の表面に結晶性の高い薄膜を形成することができる分子エピタキシャル成長装置および分子エピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a molecular beam epitaxial growth apparatus capable of forming a highly crystalline thin film on the surface of a substrate by controlling the quantity of a reducing gas mixed into a thin film formed on the surface of the substrate and by reducing damages to the surface of the substrate or to the thin film formed on the surface of the substrate, and to provide a molecular beam epitaxial growth method. - 特許庁

例文

高周波放電励起原子セルを備える分子エピタキシャル成長装置において、前記高周波放電励起原子セルが、その放電室内で励起された励起原子に放電室外から磁界を作用させる磁束密度可変の磁界付与手段を備えていることを特徴としている。例文帳に追加

In the molecular beam epitaxial growth device having a high frequency discharge excitation atom cell, the high frequency discharge excitation cell has a magnetic field providing means with variable magnetic flux density to apply the magnetic field from a discharge chamber to the excitation atom excited in the discharge chamber. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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