例文 (9件) |
正孔ドーピングの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
例えば、正孔注入層3には有機材料Aが、正孔輸送層4には有機材料Bがドーピングされている。例文帳に追加
For example, an organic layer A is doped to the hole injection layer 3, and an organic material B is doped to the hole transport layer 4. - 特許庁
電子トラップを形成する第1不純物がドーピングされた第1酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第2不純物がドーピングされた第2酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。例文帳に追加
The protective film for a plasma display panel includes in an identical layer: a first magnesium oxide crystal in which a first dopant which forms an electron trap is doped; and a second magnesium oxide crystal in which a second dopant which forms a positive hole trap is doped. - 特許庁
正孔注入層3又は正孔輸送層4の少なくとも一方の有機層に、該有機層を構成している有機材料とは異なる有機材料をドーピングする。例文帳に追加
An organic material different from an organic material configuring an organic layer of any one of the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 is doped on the organic layer. - 特許庁
第2の化合物半導体層103は、n型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。例文帳に追加
The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole. - 特許庁
試片の底面にコンタクト層を形成して、これより正孔電流を供給させることによって従来の方法に比べて実際と非常に近接で、再現性の良好なドーピング分布が得られる。例文帳に追加
The doping distribution of proper reproducibility which is extremely close to actual distribution than that of a conventional method is obtained by forming the contact layer at the bottom surface of the test piece, to thereby supply the hole current. - 特許庁
第1電極及び第2電極間に発光層を有する有機発光表示素子において、該第1電極と発光層との間に第1正孔注入層及び第2正孔注入層を備え、該第1正孔注入層と第2正孔注入層との間にP型ドーパントでドーピングされている電荷発生層を具備した有機発光表示素子である。例文帳に追加
The organic electroluminescent display element, having a luminous layer between first and second electrodes, comprises first and second hole-injecting layers between the first electrode and the luminous layer, and a charge-generating layer doped with a p-type dopant between the first and second hole-injecting layers. - 特許庁
これによれば、第1電極膜と第2電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。例文帳に追加
According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping. - 特許庁
基板上に形成され、電極対に挟まれた1層または複数層の有機層を備える有機電界発光素子において、その有機層の材料、例えば有機発光層や、有機発光層へのドーピング材料、あるいは正孔注入層などの材料として、ベンゾピラクリドン誘導体を用いる。例文帳に追加
In an organic electroluminescent element formed on a substrate 10 and provided with one or plural organic layers 20 held between a pair of electrodes 12, 14, benzopyracridone derivative is used for material of the organic layers, that is material for organic light emitting layers, doping material to the organic light emitting layers, or material for hole injection layers. - 特許庁
基板1の上面に、GaAs系化合物半導体の単結晶薄膜から成るn型クラッド層3、活性層4及びp型クラッド層5を積層してなる発光素子2を備え、該発光素子2に通電しながら活性層4内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子2を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子2の活性層4に、Znを不純物として1×10^19個/cm^3〜2×10^20個/cm^3の密度でドーピングする。例文帳に追加
The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light. - 特許庁
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