例文 (999件) |
磁気抵抗素子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2644件
磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD - 特許庁
CPP型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE DEVICE OF CPP TYPE, AND MAGNETIC DISK SYSTEM - 特許庁
磁気抵抗効果素子およびこれを有する磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC STORAGE DEVICE HAVING THE SAME - 特許庁
トンネル磁気抵抗素子及び磁気ヘッド例文帳に追加
TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC HEAD - 特許庁
トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド例文帳に追加
TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC HEAD - 特許庁
磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MAGNETIC RECORDING APPARATUS - 特許庁
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気再生装置例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC REGENERATION DEVICE - 特許庁
CPP型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置例文帳に追加
MAGNETO-RESISTIVE EFFECT DEVICE OF CPP STRUCTURE AND MAGNETIC DISK SYSTEM - 特許庁
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気感応装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETO-INDUCTION DEVICE USING IT - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC STORAGE - 特許庁
磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気デバイス例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE ELEMENT - 特許庁
CPP構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置例文帳に追加
CPP-GMR DEVICE AND MAGNETIC DISK DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリー装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC HEAD - 特許庁
ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス例文帳に追加
HEUSLER ALLOY MATERIAL, MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気センサ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC SENSOR - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
CPP型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置例文帳に追加
CPP-TYPE MAGNETO RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DISK UNIT - 特許庁
トンネル磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH TUNNELING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気デバイス例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子例文帳に追加
MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子例文帳に追加
MAGNETO-RESISTIVE DEVICE HAVING MAGNETICALLY SOFT REFERENCE LAYER - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC DISK DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
スピンバルブ磁気抵抗素子及びこれを用いる磁気ヘッド例文帳に追加
SPIN VALVE MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗効果素子の磁気配向初期化方法例文帳に追加
METHOD FOR INITIALIZATION OF MAGNETIC ORIENTATION OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および3端子素子例文帳に追加
TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY, LIGHT-EMITTING ELEMENT AND THREE-TERMINAL ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, PRODUCTION OF MAGNETORESISTIVE ELEMENT, SYSTEM FOR DETECTING MAGNETO-RESISTANCE AND MAGNETIC RECORDING SYSTEM - 特許庁
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MEMORY ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MAGNETORESISTANCE DETECTION SYSTEM, AND MAGNETIC RECORDING SYSTEM - 特許庁
磁気抵抗効果素子のシャント抵抗として好適な可変抵抗素子であって、素子として加工された後の磁気抵抗効果素子の抵抗値(RA値)に対応させて、抵抗値の設定が可能な可変抵抗素子を提供する。例文帳に追加
To provide a variable resistive element which is suitable for the shunt resistor of a magneto-resistance effect element, and whose resistance value can be set correspondingly to the resistor value (RA value) of the magneto-resistance effect element after it is worked as the element. - 特許庁
磁気抵抗効果素子、TMR素子及びその製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, TMR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING - 特許庁
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