「磁気抵抗素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、これら２組の磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４が各々に形成するハーフブリッジの各中点電位の差動増幅によって得られる差動増幅波形を所定のしきい値のもとに２値化することによりロータＲＴの回転態様を求めることとする。例文帳に追加

The rotation status of the rotor RT is obtained by binarizing, under a specific threshold, a differential amplifier waveform obtained by differential amplification of each medium point of a half bridge formed each by the two pairs of magnetic resistor elements M1 to M4. - 特許庁

参照セル５０を流れる電流を参照電流Ｉ_REFとし、磁気抵抗素子１１を流れる電流をセル電流Ｉ_MTJとして、トランジスタ５３，５４からなるカレントミラー回路により、参照電流Ｉ_REFとセル電流Ｉ_MTJとの差電流に応じた電圧を出力端子５５に発生させる。例文帳に追加

A current mirror circuit composed of the transistors 53 and 54 generates at an output terminal 55 a voltage corresponding to the difference current between a reference current IREF flowing through the reference cell 50 and a cell current IMTJ flowing through the magneto-resistance element 11. - 特許庁

回転検出装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を有するセンサチップ１０及び磁石２０が、蓋材３０及びカバー部材４０により構成されるハウジング内に密閉されて外部雰囲気と遮断される構造となっている。例文帳に追加

This rotation detection device has a structure wherein the sensor chip 10 having the magnetic resistance elements MRE1-MRE4 and a magnet 20 are sealed in a housing constituted of a lid material 30 and a cover member 40 and shielded from the external atmosphere. - 特許庁

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。例文帳に追加

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer. - 特許庁

実施例は、複数の磁気抵抗（magnetoresistive）（ＭＲ）センサを有する無線周波数（radio frequency）（ＲＦ）センサシステムを含み、各ＭＲセンサは、ＭＲ素子の構成を含み、経時変化する外部磁場に応答して経時変化出力電圧を発生させるように適合される。例文帳に追加

To provide a radio frequency (RF) sensor system, in an embodiment, having a plurality of magnetoresistive (MR) sensors each of which includes a configuration of MR elements and is adapted to produce a time-varying output voltage in response to a time-varying external magnetic field. - 特許庁

本発明の目的は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。例文帳に追加

To provide a magnetic field sensor, capable of surely controlling, in a desirable direction, individual magnetization of an exchange bias layer of each of four bridge-connected macro-magnetoresistance effect elements, and a manufacturing method as well as a manufacturing device. - 特許庁

特に、下地層を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a magnetic detecting element suitable to high recoding density etc., capable of improving PW50 (waveform half-value width) and an SN ratio compared to a conventional element without deteriorating reproduction characteristics represented by a resistance change value (ΔR/R) by improving, specifically a base layer. - 特許庁

磁気抵抗素子４は、固定強磁性層１と、自由強磁性層３と、固定強磁性層１と自由強磁性層３との間に介設された非磁性層２とを備えており、自由強磁性層３にデータを記憶するように構成されている。例文帳に追加

The magnetic resistance element 4 includes a fixed ferromagnetic layer 1, a free ferromagnetic layer 3 and a nonmagnetic layer 2 provided between the fixed ferromagnetic layer 1 and the free ferromagnetic layer 3, so as to store data in the free ferromagnetic layer 3. - 特許庁

強磁性トンネル磁気抵抗素子において、下地膜（非磁性又は反強磁性金属膜）１と、この下地膜１上に形成される極薄強磁性膜２と、この極薄強磁性膜２上に形成される絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成される強磁性電極４を有する。例文帳に追加

The ferromagnetic tunnel magnetoresistive element comprises a base film (non-magnetic or antiferromagnetic metal film) 1, an ultra-thin ferromagnetic film 2 formed on the base film 1, an insulation film 3 formed on the ultra-thin ferromagnetic film 2, and a ferromagnetic electrode 4 formed on the insulation film 3. - 特許庁

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。例文帳に追加

The magneto-resistive effect element includes a first magnetic layer of which the magnetized direction is substantially fixed; a thin-film layer which is arranged on the first magnetic layer and includes one of oxides, oxynitrides and metals; and a second magnetic layer arranged on the thin film layer of which the magnetized direction is substantially fixed. - 特許庁

この素子は、第１の導電層（１０８，１１２）と、この第１の層に電磁的に結合されたシンク層１０４からなる減衰手段とから構成され、電気的動作中に第１の層（１０８，１１２）の境界における漂遊境界磁気抵抗オフセットを減衰させる。例文帳に追加

The element is constituted of first conductive layers (108, 112) and an attenuating means consisting of a sink layer 104, electromagnetically connected to the first layers, to attenuate the stray boundary magnetic resistance offset in the first layers (108, 112) during electric operation. - 特許庁

各磁気抵抗素子３１〜３８に接続される第１〜第３ボンディングパッドＰ１〜Ｐ３（開口部Ｈ１〜Ｈ３）を、左右方向及び上下方向の中心線Ｃ１，Ｃ２及び対角線Ｃ３，Ｃ４（全ての中心線）を対称軸として線対称に形成した。例文帳に追加

The first to third bonding pads P1-P3 (opening parts H1-H3), connected to the respective magneto-resistance elements 31-38, are formed line-symmetrically by using the lateral direction and vertical direction center lines C1, C2 and diagonal lines C3, C4 (all the center lines) as a symmetry axis. - 特許庁

参照セルは、ゲートが参照ワード線に接続された参照セルトランジスタと、一端が参照読み出しワード線に接続され他端が参照セルトランジスタを介してビット線ＢＬ２に接続された第２磁気抵抗素子とを有する。例文帳に追加

The reference cell has a reference cell transistor of which the gate is connected to a reference word line, and a second magnetoresistance element, of which one end is connected to a reference read-out word line and the other end is connected to the bit line BL2 via the reference cell transistor. - 特許庁

マグネット２３は、磁気抵抗素子３１〜３４の検知面３１ａ〜３４ａを含む平面Ｑ１における磁束の方向が、その移動中心よりもその移動方向に沿った一側の領域と他側の領域との間で変化するように着磁されている。例文帳に追加

A magnet 23 is magnetized so that the direction of magnetic flux in a plane Q1 containing detection faces 31a to 34a of magnetoresistive elements 31 to 34 changes between an area on one side and an area on another side along a moving direction rather than at the moving center. - 特許庁

磁性体１４が遮断位置に位置する際には、円筒部１２ａからの磁束Ｚを磁性体１４の遮蔽筒部１４ａにて遮断することにより、巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ４へその磁束Ｚ（磁界）が付与されないようにする。例文帳に追加

When the magnetic body 14 is positioned at a shielding position, by shielding the magnetic flux Z from the cylinder part 12a by a shielding pipe part 14a of the magnetic body 14, the magnetic flux Z (magnetic field) is prevented form being provided to the resistance elements R1 and R4. - 特許庁

また、磁気抵抗効果素子１６は、その全体が上部シールド層１８と下部シールド層１３とで完全にシールドされるように設けられ、さらに、上部シールド層１８および下部シールド層１３に対して所定の角度θ_1 傾斜した傾斜面に沿うようにそのトラック対応部が形成されている。例文帳に追加

The magneto-resistance effect element 16 is completely entirely shielded by the upper shield layer 18 and the lower shield layer 13, and track corresponding parts are so formed that they may be along slopes inclined at a prescribed angle θ1 to upper and lower shield layers 18 and 13. - 特許庁

さらに定電流Ｉ０によって磁気抵抗効果素子１Ａ，１Ｂのそれぞれに生ずる電圧降下の差分Ｖ０を検出する差動増幅器ＡＭＰを備え、その電圧降下の差分Ｖ０に基づいて検出対象電流Ｉｍを検出するように構成されている。例文帳に追加

The sensor is provided further with a differential amplifier AMP for detecting the difference V0 of voltage drops generated, respectively in the magnetoresistance effect elements 1A, 1B by the constant currents 10, and the detection-object current Im is detected, based on the voltage drop difference V0. - 特許庁

第１のインダクタと磁気結合して第２のインダクタ１２を設け、このインダクタの一端を、コンデンサ１３を介してＦＥＴの制御端子に接続し、他端を抵抗素子６と第１のインダクタとの接続点に接続する。例文帳に追加

A second inductor 12 is provided by magnetically coupling the first inductor, and one end of this inductor is connected to a control terminal of the FET through a capacitor 13 and the other end thereof is connected to a junction point between the resistive element 6 and the first inductor. - 特許庁

半導体基板１１上に形成された層間絶縁膜２６と、層間絶縁膜２６上に形成された金属酸化膜２７と、金属酸化膜２７上に形成され、金属元素を含む引き出し配線膜２９と、引き出し配線膜２９上に形成された磁気抵抗素子３０とを有する。例文帳に追加

The magnetic storage device has an interlayer insulating film 26 formed on a semiconductor substrate 11, a metal oxide film 27 formed on the interlayer insulating film 26, a leading wiring film 29 formed on the metal oxide film 27 and containing a metal element, and a magnetic resistance element 30 formed on the leading wiring film 29. - 特許庁

可変磁気抵抗素子にコンフィギュレーションデータを格納し、インバータラッチのストレージノード（ＮＭ０，ＮＭ１）へのデータ転送時にインバータを構成するトランジスタ（ＰＴ０，ＰＴ１，ＮＴ０，ＮＴ１）のバックゲートバイアスをフォワードバイアス状態に設定するなどのデータ転送アシストを行う。例文帳に追加

The configuration data are stored in the variable magneto-resistance elements and when data is transferred to storage nodes (NM0, NM1) of the inverter latches, a data transfer assist is performed for setting back gate bias of transistors (PT0, PT1, NT0, NT1) constituting the inverters to a forward bias state etc. - 特許庁

第１従動ギア３の回転を検出する第１磁気抵抗素子５は、角度変位に対して出力が正弦波をとる第１正弦波信号Ｖs1と、角度変位に対して出力が余弦波をとる第１余弦波信号Ｖc1とをＣＰＵ９に出力する。例文帳に追加

A first magnetoresistive element 5 for detecting rotations of a first driven gear 3 outputs a first sine-wave signal Vs1 in the form of a sine wave as an output for an angular displacement and a first cosine-wave signal Vc1 in the form of a cosine wave as an output for the angular displacement, to a CPU 9. - 特許庁

リードフレーム９上に搭載されたＩＣチップ８をモールド樹脂１０により被覆したモールドＩＣ６と、ＩＣチップ８に内蔵される磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石７とからなる検出部４と、固定部１２を有するターミナル５とを接続した。例文帳に追加

A detection part 4 comprising a mold IC 6 formed by coating an IC chip 8 loaded on a lead frame 9 with a mold resin 10 and a magnet 7 for imparting a bias magnetic field to a magnetic resistance element included in the IC chip 8 is connected to a terminal 5 having a fixing part 12. - 特許庁

複数の第２磁気抵抗素子は、互いに直列に接続され、自由強磁性層の磁化の向きが互いに逆の向きで、固定強磁性層の磁界の向きが互いに同じ向きで、固定強磁性層同士又は自由強磁性層同士が電気的に接続されている。例文帳に追加

The second magnetoresistive elements are mutually connected in series, and fixed ferromagnetic layers or free ferromagnetic layers are electrically connected in a direction mutually opposite to the magnetization direction of the free ferromagnetic layers and in a direction mutually identical to a field direction of the fixed ferromagnetic layers. - 特許庁

腐食性や耐久性等に優れた磁気抵抗効果素子を備え、画素面積が大きく、製造が容易な電気光学装置、そのような電気光学装置の効率的な製造方法、及び表示特性が向上した電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide an electrooptical apparatus which is equipped with a magnetoresistive element excellent in corrosion resistance and durability, has a large pixel area and is easy to manufacture, and to provide a method of effectively manufacturing such an electrooptical apparatus, and electronic equipment having an improved display characteristic. - 特許庁

操作位置検出装置は、複数の磁気抵抗素子３１〜３８の検知面に作用する磁界の方向に応じて出力される二値化信号の組み合わせに基づいて、該二値化信号の組み合わせの誤り信号位置を特定し、この特定された信号位置の二値化信号を訂正する。例文帳に追加

The operation position detection device specifies an incorrect signal position of combination of the binarized signals based on the combination of the binarized signals output corresponding to a direction of a magnetic field acting on detection surfaces of the plurality of magnetoresistive elements 31-38 and corrects the binarized signals of the specified signal position. - 特許庁

このため、共通の基板２８上において薄膜ヨーク３０、３２、ＧＭＲ膜３４、電気配線を共通の薄膜形成およびホトリソグラフィーを用いて同時に複数の磁気抵抗素子２６を一体的に構成することができ、集積化により一層小型化することが可能となる。例文帳に追加

The plurality of the magnetoresistant elements 26 are integrally constituted thereby with the thin film yokes 30, 32, the GMR film 34 and an electric wire, on the common substrate 28, using common thin film formation and photolithography, to reduce the size by the integration. - 特許庁

ガラス基板１にアルミニウム薄膜を形成する工程、アルミニウム薄膜を酸化させてアルマイト薄膜２とする陽極酸化工程、アルマイト薄膜２上に所定のパターンで強磁性薄膜３を形成する工程を有する磁気抵抗効果素子の製造方法。例文帳に追加

This manufacturing method of the magneto-resistance effect element has a process for forming an aluminum thin film on the glass substrate 1, an anodic oxidation process for obtaining the almite (R) thin film 2 by oxidizing the aluminum thin film, and a process for forming the ferromagnetic thin film 3 in a prescribed pattern on the almite (R) thin film 2. - 特許庁

分割構造の磁性体と固定部を配線に装着して発光素子等に給電するタイプの給電装置において、分割構造の磁性体の結合を確実にして磁気抵抗を低くし、パワーロスの可及的減少を図る。例文帳に追加

To obtain a feeder system of such a type as feeding power to a light emitting element, or the like, by fixing a magnetic body and a securing section of split structure to wiring in which power loss is reduced as much as possible by joining the magnetic bodies of split structure surely thereby decreasing reluctance. - 特許庁

従来の成膜方法によって容易に形成でき、しかも、磁化固着層の側で十分な電子反射効果を得ることができる磁化固着層の構造、および、これらの構造を含むスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide the structure for a magnetization sticking layer which is easily formed by a conventional deposition method to provide a sufficient electron reflection effect on the side of magnetization sticking layer, and to provide a magneto-resistance effect element which uses a spin valve film comprising the structure. - 特許庁

磁気抵抗素子を用いたパルス電流検出回路において、電流検出中でも外部不要磁界によって電流検出回路が発生するオフセット電圧の変動を抑制することが可能な電流検出回路及び電流検出回路の初期化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a current detection circuit capable of restraining fluctuation of an offset voltage generated in the current detection circuit by an external unnecessary magnetic field, even under current detection, and an initialization method for the current detection circuit, in the pulse current detection circuit using a magneto-resistive element. - 特許庁

半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film III1 so formed as to cover a switching element TR formed over a main surface of a semiconductor substrate SUB; flat plate-like lead wiring LEL; coupling wiring ICL coupling the lead wiring LEL and the switching element TR with each other; and a magnetoresistive element TMR including a magnetization free layer MFL the orientation of magnetization of which is variable and which is formed over the lead wiring LEL. - 特許庁

従来のアクティブヘッドスライダでは、微小アクチュエータによって記録再生素子を動かそうとすると、小さな可動部に記録再生用の配線およびアクチュエータ制御用の配線を組み込む必要があり、現状のインダクティブ型記録素子および磁気抵抗型再生素子をそのまま搭載することは困難である。例文帳に追加

To solve the problem that it is difficult to directly mount a current inductive type recording element and a magnetoresistance type reproduction element in a conventional active head slider because the built-in of wiring for recording/reproducing and wiring for actuator control is required in a small moving part in order to move a recording and reproducing element by using a minute actuator. - 特許庁

磁気軸受制御装置のＤ級アンプ出力回路として、パルス幅変調された信号によって制御されるスイッチング素子３１を有するＤ級アンプ３と、当該スイッチング素子３１を介して電力供給される電磁石２のコイル２ｃと、当該コイル２ｃと直列に接続され、電流を可変的に制限する電流制限素子としての可変抵抗器６等とを設ける。例文帳に追加

The circuit is provided with a D-class amplifier 3 with a switching element 31 controlled by a signal with modulated pulse width, a coil 2c of an electromagnet 2 supplied with power through the switching element 31, and a variable resistor 6 as a current restriction element connected in series to the coil 2c to restrict current variably. - 特許庁

磁気センサ１３Ａ等を、バイアス磁石１４と、バイアス磁石１４の磁極面に配置される基板１５と、基板１５の中心点Ｏで直交して延びる２つの軸に沿い中心点Ｏからそれぞれ同一距離の位置に設定された４つの領域１５ａ等に、中心点Ｏを中心として点対称に配置された磁気抵抗効果素子ａ等で構成した。例文帳に追加

The magnetic sensors 13A, and so on contain a bias magnet 14, a substrate 15 to be disposed on a magnetic pole surface of the bias magnet 14, and magnetoresistance effect elements a, and so on disposed point-symmetrically about a central point O of the substrate 15 in four regions 15a, and so on respectively positioned at an identical distance from the central point O along two axes extended orthogonally at the central point O. - 特許庁

磁気抵抗素子１０は、安定化層１１と、非磁性層１３と、安定化層１１と非磁性層１３との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層１２と、非磁性層１３に対してスピン分極層１２とは反対側に設けられた磁性層１４とを含む。例文帳に追加

The magnetoresistive element 10 includes a stabilization layer 11, a nonmagnetic layer 13, a spin-polarization layer 12 provided between the stabilization layer 11 and the nonmagnetic layer 13, and having magnetic anisotropy in a direction perpendicular to a film surface, and a magnetic layer 14 provided on a side of the nonmagnetic layer 13 opposite to a side on which the spin-polarization layer 12 is provided. - 特許庁

磁気シールド材料からなるケース１１内にリング状に交互にＮ，Ｓ磁極を着磁してなるＮＳ磁極部２０を設けた第１の部材１０と、第１の部材１０内に挿入されてＮＳ磁極部２０に対向する位置に磁気抵抗効果素子７０を設置してなる第２の部材５０とを具備する。例文帳に追加

This rotary encoder is provided with a first member 10 having an NS magnetic pole part 20 alternately magnetized with N and S polarities in a ring shape inside a case body 11 made of a magnetism shielding material and a second member 50 inserted into the first member 10 and provided with the magnetoresistance effect element 70 arranged opposedly to the NS magnetic pole part 20. - 特許庁

高導電性、高硬度、高融点、高耐食性および苛酷な製造環境や動作環境における高耐久性を示し、現在および将来の磁気再生ヘッドについて適用可能な導電リード層の形成方法およびこの導電リード層を備えたスピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a conductive lead layer and a spin valve magnetoresistance effect reproducing element having the conductive lead layer which reveals a high conductivity, high hardness, high melting point, high corrosion resistance and high durability in server manufacturing environments and operating environments and is applicable to the present and future magnetic reproducing heads. - 特許庁

ＩＣチップや磁気抵抗素子が搭載されたリードフレーム１１を樹脂１２でモールドしてなるモールドＩＣ１０と、熱可塑性樹脂を射出成形してなるマグネット２０とを用意し、所望の特性が得られる磁気回路となる様に定められた位置まで、マグネット２０の中空穴にモールドＩＣ１０を挿入する。例文帳に追加

This manufacture prepares a mold IC 10 formed by molding a lead frame 11 mounted an IC chip and a magnetoresistance element by a resin 12, and a magnetic 20 formed by injection-molding a thermoplastic resin, and then the mold IC 10 is inserted into a hollow hole of the magnet 20 until a prescribed position so as to make a magnetic circuit obtaining requested characteristics. - 特許庁

ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a magnetic resistance device which can be implemented by using a magnetic multi-layer film manufacturing apparatus having normal configurations, especially, configurations suitable for the manufacturing of a magnetic multi-layer film by a semiconductor device maker in the case of producing a magnetic head or MRAM or the like comprising TMR elements for enhancing film performance, and for improving productivity. - 特許庁

電気的等価回路が、等価電圧源および直列抵抗Ｒ_Ｈで定義される直列回路と、この直列回路と並列に接続される並列コンデンサＣとで構成される薄膜磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド装置において、ピーキング特性を持たず、高周波数領域まで平坦な周波数特性を実現する。例文帳に追加

To realize the flat frequency characteristic up to the high frequency range without having the peaking property in a thin film magnetic head device provided with a thin film magnetic head element such that an electrically equivalent circuit is constituted of a series circuit defined by an equivalent voltage source and a series resistor RH, and a parallel capacitor C connected with this series circuit in parallel. - 特許庁

層の面内方向に互いに離間して配置された第１強磁性層１および第２強磁性層２と、これら強磁性層を電気的に接続する伝導層３と、強磁性と常磁性または反強磁性との間を転移可能であり、強磁性の状態で第１強磁性層１と磁気的に結合するように配置された磁性転移層５とを含む磁気抵抗素子とする。例文帳に追加

The magnetoresistive element contains a first ferromagnetic layer 1 and a second ferromagnetic layer 2 disposed away from each other in an in-plane direction of the layer, a conductive layer 3 for electrically connecting these ferromagnetic layers, and a magnetic transfer layer 5 which can transfer between a ferromagnetism, a paramagnetism and an antiferromagnetism, and is disposed so as to magnetically connect with the first ferromagnetic layer 1 in a ferromagnetic state. - 特許庁

磁気−抵抗効果または磁気−インピーダンス効果を生ずる感磁体に電流を通電して、外部磁界の変化に応じた電気的特性の変化を検出する磁界検出素子において、長尺状の感磁体２に、外部磁界５の変化の検出に用いる電極３，４を、前記長尺状の感磁体２の両端部の外部磁界に対する強い反磁界を生じる部位を外して配置する。例文帳に追加

In the magnetic field detecting element in which the change of electrical characteristics in response to the change of an external magnetic field is detected, electrodes 3, 4 for detecting the change of the external magnetic field 5 are disposed on a long magnetosensitive body 2 excepting its both ends which generate the strong demagnetizing field against the external magnetic field. - 特許庁

磁気式液面検出装置１０のハウジング部材１５内の基板１４に実装された磁気抵抗素子１４ａをマグネット１３と対向させると共にアーム１２の回動中心に近接させて配置し、アーム１２を支持するアーム１２支持部材にマグネット１３を保持し且つアーム１２の基端部１２ｂを挿通する円盤状のマグネット保持部１８を設けた。例文帳に追加

The magnetic resistance element 14a mounted on a substrate 14 in a housing member 15 of this magnetic liquid level detection device 10 is faced to the magnet 13 and arranged close to the rotation center of an arm 12, and a discoid magnet holding part 18 for holding the magnet 13 on an arm 12 support member for supporting the arm 12, into which the base end 12b of the arm is inserted. - 特許庁

磁気センサは、基板上に磁気抵抗素子１１〜１４を薄膜形成し比較増幅機能を有する電気回路を備えた半導体基板６７と、半導体基板６７を実装するリードフレーム６０と、半導体基板６７と接続されるリードフレーム６１及び６２とをパッケージ６６内に収容する。例文帳に追加

This magnetometric sensor stores in a package 66: a semiconductor substrate 67 equipped with an electric circuit having a comparison amplification function, in which magnetic resistance elements 11-14 are formed in a thin film shape on the substrate; a lead frame 60 for mounting the semiconductor substrate 67 thereon; and lead frames 61, 62 to be connected to the semiconductor substrate 67. - 特許庁

半導体記憶装置は、書き込み配線ＷＢＬと、書き込み配線ＷＢＬに接続された少なくとも３つ以上の第１の書き込み回路２７ａと、磁気抵抗素子を含み、かつ書き込み配線ＷＢＬと電気的または磁気的またはその両方で接続され、かつ第１の書き込み回路２７ａの間に配置されたメモリセルＭＣとを含む。例文帳に追加

A semiconductor storage device includes a write wiring WBL, at least three or more first write circuits 27a connected to the write wiring WBL, and a magneto-resistance element, and this device also includes memory cells MC which are connected electrically or magnetically or in both manners with the write wiring WBL and also arranged among the 1st write circuits 27a. - 特許庁