「磁気抵抗素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

２つの強磁性層１１，１３と、その２つの強磁性層１１，１３の間のナノ接合部１２とが同一平面内に形成された磁気抵抗効果素子１０であって、前記２つの強磁性層間のナノ接合部１２の最大長さを、そのナノ接合部１２の構成材料のフェルミ長以下にすることにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

In the magnetroresistance effect element 10, ferromagnetic layers 11, 13 and the nano-junction 12 between the ferromagnetic layers 11 and 13 are formed in the same plane, and the maximum length of the nano-junction 12 between the two ferromagnetic layers is set to the Fermi length of the component material of the nano-junction 12 or smaller. - 特許庁

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element is provided with a magnetization fixing layer in which a magnetization direction is substantially fixed in one direction, a spacer layer arranged on the magnetization fixing layer while having an insulating layer and a metallic conductor penetrating through the insulating layer, and a magnetization free layer which is arranged on the spacer layer oppositely to the metallic conductor and in which the magnetization direction changes corresponding to an external magnetic field. - 特許庁

基板１６上に、Ｃｕの組成が２０ａｔ.％以上９０ａｔ.％以下のＡｌＣｕ合金の電気伝導体（下部電極１４や下部配線等）を有し、その上に少なくとも第１の強磁性層１１、非磁性層１２及び第２の強磁性層１３が順次形成された多層膜を有する磁気抵抗素子。例文帳に追加

This magnetoresistive element has an electrical conductor (a lower element 14, a lower wiring, or the like) of an AlCu alloy having composition of Cu of 20 at.% to 90 at.% on a substrate 16, and a multilayered film in which at least a first ferromagnetic layer 11, a nonmagnetic layer 12 and a second ferromagnetic layer 13 are sequentially formed thereon. - 特許庁

磁気抵抗素子は、半導体基板上に配置される固定層と、固定層上に配置されるトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に配置され、Ｆｅを含む第１自由層と、第１自由層上に配置され、ＦｅおよびＴａを含む第２自由層と、第２自由層上に配置され、Ｒｕを含むストッパー層とストッパー層上に配置されるハードマスクとを有している。例文帳に追加

The magnetoresistive element has a fixed layer arranged on a semiconductor substrate, a tunnel insulating film arranged on the fixed layer, a first free layer containing Fe arranged on the tunnel insulating film, a second free layer containing Fe and Ta arranged on the first free layer, a stopper layer containing Ru arranged on the second free layer, and a hard mask arranged on the stopper layer. - 特許庁

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。例文帳に追加

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult. - 特許庁

または、マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層と２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。例文帳に追加

Alternatively, the tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer in which a magnesium oxide layer and an aluminum oxide amorphous layer of ≤2 nm in film thickness are formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and then annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature. - 特許庁

レンズ装置の小型化を図り、しかも磁気抵抗素子と位置検出用マグネットとの間のクリアランスが任意に調整可能であって、外部からの力によって上記のクリアランスが変化することがないようにし、さらには組立ての際に半田付けに伴うガスがレンズ鏡筒内に侵入することがなく、あるいはまた組立て時に調整部品が鏡筒内に混入することがないようにした撮像用レンズ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lens device for imaging capable of being miniaturized in which clearance between a magnetoresistive element and a magnet for detecting a position is optionally adjusted, the clearance is not changed by external force, further gas due to soldering does not enter a lens barrel in assembly or adjustment components does not intrude in the lens barrel in the assembly. - 特許庁

本開示の方法は、特定の磁化方向に留まる傾向を有することを特徴とする故障挙動を有する磁気抵抗固体記憶素子内のセルを識別し（５０１）、該識別されたセルの場所をマッピングし（５０３）、該マッピングされた場所におけるセルの故障挙動を補償する（５０５）、という各ステップを含む。例文帳に追加

The method includes a step in which cells are identified (501) within a magnetoresistive solid-state storage device (100) having a failure behavior that has a tendency to stay in a particular magnetization orientation, a step in which a mapping (503) is conducted for an identified cell and a step in which failure behavior of the cell located at a place being mapped is compensated for (505). - 特許庁

本発明による磁性メモリは，自由磁性層１４を含む磁気抵抗素子３と，自由磁性層１４の容易軸に対して斜めであるｘ軸方向に延設されているワード線１と，ｙ軸方向に延設されているビット線２と，トグル書き込み方式によって自由磁性層にデータを書き込む書き込み回路（図示されない）とを備えている。例文帳に追加

The magnetic memory has a magnetic resistance element 3 including a free magnetic layer 14, a word line 1 extended in an x-axial direction which is aslant to an easy axis of the free magnetic layer 14, a bit line 2 extended in a y-axial direction, and a write circuit (not illustrated) for writing data in the free magnetic layer by the toggle write method. - 特許庁

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。例文帳に追加

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118. - 特許庁

センサ装置の一例として、この回転検出装置は、磁気抵抗素子対１１ａおよび１１ｂを備えるセンサチップ１１、リードフレーム１２、バイアス磁石１４、樹脂キャップ１５、金属ターミナルＴ１〜Ｔ３等々、センサ本体としての構造体が、樹脂成形されるハウジング部２０によって一体に把持される構造をとる。例文帳に追加

For example, the rotation detection device is constituted of the sensor chip 11 provided with the magnetoresistive element pairs 11a, and 11b; the lead frame 12; bias magnet 14; the plastic resin cap 15; the metal terminals T1-T3 etc.; and the housing 20 formed with the plastic resin housing the structure as the sensor body. - 特許庁

磁気抵抗効果型素子を設けたスライダーと、前記スライダーを支持するロードビームとを有し、前記スライダーは４個以上の端子を有し、前記ロードビームはプリント配線を備え、前記プリント配線の一方の側は前記端子と接続され、前記プリント配線の他方の端は４個以上の端子を備えるヘッドジンバルアッセンブリーを用いる。例文帳に追加

One side of the printed wiring 7 is connected to the terminals and the other end of the printed wiring 7 has four or more terminals. - 特許庁

クラスタ電極１の形状、サイズ、トンネル電極層１（クラスタ電極１）−トンネル電極層２間およびトンネル電極層１−トンネル電極層３間の距離、強制層、増感層、絶縁層および電極の位置、ならびに、スピンの方向を精密に制御することにより、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果が大きく発現する素子を作製すること。例文帳に追加

To manufacture an element which produces a marked tunnel magnetoresistive effect by a method wherein the shape and size of a cluster electrode, the distance between a tunnel electrode layer (cluster electrode)-a tunnel electrode layer, the distance between tunnel electrode layer, the positions of a forcing layer, a sensitizing layer, and an electrode, and a direction of spin are precisely controller. - 特許庁

特に、原点検出用磁石の相対移動方向の両側に補助磁石を設けて、磁気抵抗効果素子に進入する水平磁場成分を原点非検出空間内で確保できるようにし、従来に比べて高精度に原点検出を行えるようにした原点検出装置を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide an origin detecting device, which is equipped with auxiliary magnets on both the sides of the relative moving direction of an origin detecting magnet so that a horizontal magnet component to enter a magnetic resistance effect element may be retained in origin non-detecting spaces, thereby to perform the origin detection more precisely than the prior art. - 特許庁

第１の強磁性層（１）と、前記第１の強磁性層の上に設けられた絶縁層（３）と、前記絶縁層の上に設けられた第２の強磁性層（２）と、を備え、前記絶縁層には開口幅が２０ｎｍ以下の開口（Ａ）が設けられ、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層とは前記開口を介して接続されてなる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

An opening (A) having a diameter of 20 nm or smaller is provided to the insulating layer (3), and the first ferromagnetic layer (1) and the second ferromagnetic layer (2) are connected together through the intermediary of the opening (A) for the formation of the magnetoresistive effect device. - 特許庁

強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。例文帳に追加

A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers. - 特許庁

こうした磁気抵抗効果素子１０は、基板１４上に強磁性材料からなる層を形成する強磁性層形成工程と、形成された層をパターニングして、前記２つの強磁性層１１，１３を連結するナノ接合部１２の最大長さを前記強磁性材料のフェルミ長以下にするパターニング工程とを有する方法により製造される。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element 10 is manufactured by the method including a ferromagnetic layer formation process for forming a layer made of a ferromagnetic material on a substrate 14, and a patterning process for patterning the formed layer to set the maximum length of the nano-junction 12 for connecting the ferromagnetic layers 11, 13 to the Fermi length or smaller of the ferromagnetic material. - 特許庁

ウエビングベルトに長手方向の張力が作用すると、このウエビングベルトに連結されたマグネット１２がウエビングベルトの張力に応じて中心軸１２Ａ周りに回転変位し、これにより、磁気抵抗素子センサ２０の配置位置におけるマグネット１２の対向する磁極状態が連続的に変化する。例文帳に追加

When the longitudinal tension acts on the webbing belt, the magnet 12 joined to the webbing belt is turnedly displaced around the center axis 12A according to the tension of the webbing belt, continuously changing the state of confronting magnetic poles of the magnet 12 in the disposition position of the element sensor 20. - 特許庁

またこれらの可変磁気抵抗素子の磁化状態は、それぞれに印加される磁界により決定され、磁界強度を演算処理データに対する演算内容に対応させることにより、磁界強度で演算処理によるデータに対する演算結果を表現でき、高速で演算処理を行なって処理結果を格納することができる。例文帳に追加

Also, a magnetization state of these variable resistance elements is decided by a magnetic field applied to each element, the result of arithmetic operation for data by arithmetic processing by magnetic field intensity by corresponding magnetic field intensity to contents of arithmetic operation for arithmatic operation data, arithmetic operation is performed at high speed and the processing result can be stored. - 特許庁

３層以上の金属磁性層と、前記３層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料で形成された電流狭窄部とを含む２層以上の接続層と、前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極とを有する磁気抵抗効果素子。例文帳に追加

This magnetoresistance effect element comprises three or more metal magnetic layers, two or more connection layers provided between the three or more metal magnetic layers wherein the connection layer includes an insulating layer and current narrowing portions formed of a metal magnetic material penetrating this insulating layer, and electrodes for passing a current through the metal magnetic layers and the connection layers in the direction perpendicular to their surfaces. - 特許庁

ベースハウジング２の支持部に回転可能に支持されたシャフト２３の先端に第１マグネット４６が取着され、第１マグネット４６はシフトレバー９のシフト方向への回動に伴って第１回転軸線Ｌ１を中心に回転し、その回転位置をＰＣボード６０に配置された磁気抵抗素子６２が検知する。例文帳に追加

A first magnet 46 to rotate round the first rotational axis L1 in association with the rotation of a shift lever 9 in the shifting direction is mounted at the tip of a shaft 23 supported by the supporting part of a base housing 2 rotatably, and the rotational position therein is sensed by a magnetic resistance element 62 installed on a PC board 60. - 特許庁

本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第１及び第２強磁性層と、第１及び第２強磁性層の間に配置される非磁性層とを有する記憶層を備え、第１及び第２強磁性層の交換結合の強度は、磁化困難軸方向のアストロイド曲線が開く形となるように設定される。例文帳に追加

A magnetoresistive element comprises storage layer including first and second ferromagnetic layers and a non-magnetic layer disposed between the first and second ferromagnetic layers, and a strength of exchange coupling of the first and second ferromagnetic layers is set to open an asteroid curve in the direction of hard axis. - 特許庁

軟磁性層２３と接してＰｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層２４ａ，２４ｂが形成されている磁気抵抗効果素子の製造方法であって、反強磁性層２４ａ，２４ｂを形成する工程と、次いで、反強磁性層２４ａ，２４ｂを加熱処理することにより反強磁性層２４ａ，２４ｂに３０エルステッド以上の反強磁性を付与する工程とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method of a magnetoresistive effect element which has palladium- or manganese-based antiferromagnetic layers 24a and 24b adjacent to a soft magnetic layer 23 comprises a process in which the antiferromagnetic layers 24a and 24b are formed and a process in which antiferromagnetism of at least 30 oersted is given to the antiferromagnetic layers 24a and 25b by heat treatment. - 特許庁

磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。例文帳に追加

A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16. - 特許庁

さらに、複数のセンスワード線３１について共通に定電流回路１０８Ｂを設けることにより、各記憶セル１２における一対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂを流れる一対の読出電流の和を一定化すると共に、一対の読出電流の差に基づいて記憶セル１２から情報を読み出す。例文帳に追加

Further, by setting a common constant current circuit 108B for a plurality of sense word lines 31, the sum of a pair of reading currents passed through the pair of magneto-resistive effect elements 12A, 12B of the memory cell 12 is made constant, and information is read from the memory cell 12 based on a difference between the pair of reading currents. - 特許庁

磁界誘導補助ヨーク４Ａは磁界誘導ヨーク６の下部磁性層６と重複させており、下部磁性層６Ｆで誘導される信号磁界Ｍｓは磁界誘導補助ヨーク４Ａに流入され、この信号磁界Ｍｓは磁気抵抗効果素子３の端部からその全域にわたって効率的に通過させることができる。例文帳に追加

The field guidance auxiliary yoke 4A is overlapped with the lower magnetic layer of the field guidance yoke 6, a signal magnetic field Ms guided by the lower magnetic layer 6F flows into the field guidance auxiliary yoke 4A, and this signal magnetic field Ms is efficiently transmitted from the end of the magneto-resistive element 3 to its entire region. - 特許庁

二つの強磁性体層２４，２６の間に非磁性体層２５を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層２４の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。例文帳に追加

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example. - 特許庁

磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。例文帳に追加

A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer. - 特許庁

磁気抵抗効果装置５は更に、下地層２１と縦バイアス磁界印加層２２からなる積層体の両側部に隣接するように配置された一対の磁化設定層２４Ｌ，２４Ｒと、結合層２３とＭＲ素子５０からなる積層体の両側部に隣接するように配置された一対の電極層２５Ｌ，２５Ｒを備えている。例文帳に追加

Moreover, the magnetoresistive effect device 5 is equipped with a pair of magnetization setting layers 24L, 24R which are arranged adjacent to both sides of stacked matter consisting of the base layer 21 and the perpendicularly biased magnetic field impression layer 22 and a pair of electrode layers 25L, 25R which are arranged adjacent to both sides of stacked matter consisting of the coupling layer 23 and the MR element 50. - 特許庁

特に固定磁性層の内部に鏡面反射効果を有するＮＯＬを用いたときに、前記固定磁性層の最適な材質及び膜厚を選択し、さらには前記ＮＯＬの形状を適正化し、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）と一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ＊）を得ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a magnetic detection element wherein optimal quality of material and thickness of a fixed magnetic layer are selected when an NOL (Nano Oxide Layer) having specular effect is used inside the fixed magnetic layer, and further, profile of the NOL is rationalized, so that high resistance change ratio (ΔR/R) and monodirective exchange bias magnetic field (Hex^* ) can be obtained. - 特許庁

センスアンプ回路１０は、磁気抵抗素子Ｒｘ０，Ｒｘ１からデータを読み出すときに、上記各ビット線上を流れる電流ＩＡ〜ＩＤをそれぞれ分流させ、各分流された電流を、各分流された電流が流れるビット線とは異なる対応するビット線を流れる電流と合流させるＮ型トランジスタ２８ａ〜３１ａ，２８ｂ〜３１ｂを備える。例文帳に追加

The sense amplifier 10 includes N type transistors 28a-31a, 28b-31b which respectively make currents IA-ID flowing on each bit line to branch when the data are read out from the magneto-resistance elements Rx0, Rx1, and join respective branched currents with a current flowing on the corresponding bit line different from the bit lines whereon respective branched currents flow. - 特許庁

操舵トルクに応じた距離を、入力軸５及び出力軸８の軸長方向にスライダ１３ｆが移動し、該スライダ１３ｆの移動量をスライダ１３ｆに固定された磁性体製の小片１３ｊと、ブラケット１８を介してハウジング１２に固定された磁気抵抗素子１３ｉとの相対的位置変化によって検出する。例文帳に追加

A distance responsive to a steering torque is detector by a relative positional change between a small piece 13j of a magnetic substance fixed to a slider 13f and a magnetoresistance element 13i fixed to a housing 12 through a bracket 18 at a moving amount of the slider 13f by moving the slider 13f in an axial lengthwise direction of an input shaft 5 and an output shaft 8. - 特許庁

エンジンを切った完全停止状態、及びエンジンはかけているが自動車を停止させているアイドリング状態（これらを基本状態という）では、スロットルバルブシャフト４の軸心Ｏと交差する外部磁界Ｈの方向と、磁気抵抗効果素子２２のピン層の磁化方向とを一致させている。例文帳に追加

In the perfect stationary state that an engine is turned off and the idling state that the engine is turned on but the vehicle is in a stationary state (these states are called the fundamental states), the direction of an external magnetic field H crossing an axis O of a throttle valve shaft 4 and the magnetization direction of the pin layer of the magnetoresistive element 22 coincide with each other. - 特許庁

磁界発生部材を有するポイント指示部１２と、このポイント指示部１２を中心にして配置される複数の磁界検出部２１，２２とを備えたポインティングデバイス１１において、前記各磁界検出部２１，２２は、前記ポイント指示部１２から発生する磁界の検出方向が相反する一対の磁気抵抗素子によって構成した。例文帳に追加

In the pointing device 11 provided with a point designation part 12 having a magnetic field generation member and a plurality of magnetic field detection parts 21 and 22 arranged with the point designation part 12 as a center, the respective magnetic field detection parts 21 and 22 comprise a pair of magnetoresistive elements in which detection directions generating from the point designation part 12 are opposite to each other. - 特許庁

この発明に係る回転センサ装置は、クランクシャフトに接続された回転体の回転速度を検出する、磁気抵抗素子１０，１１及び永久磁石１２がナイロン６６の樹脂により埋設された装置本体１と、この装置本体１の周側面に熱溶着部１５を用いて固定されているとともに、エンジンブロックにボルトにより締結されるフランジ板２とを備えている。例文帳に追加

The rotation sensor device includes: a device body 1 in which a permanent magnet 12 and magnetoresistive elements 10, 11 detecting the rotation speed of a rotating body connected to a crankshaft are embedded with a resin of nylon 66; and the flange board 2 fixed to a circumferential side surface of the device body 1 using a thermal welding part 15 and fastened to the engine block with a bolt. - 特許庁

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element comprises a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially fixed; a thin film layer which is arranged on top of the first magnetic layer and consists of either an oxide, a nitride, an oxynitride, or a metal; and a second magnetic layer which is arranged on top of the thin film layer, and whose magnetization direction is substantially fixed. - 特許庁

下地層、固定強磁性層、非磁性金属中間層、自由強磁性層を含む積層フェリスピンバルブ構造を有し、自由強磁性層を特定組成のＣｏＦｅＡｌまたはＣｏＭｎＡｌとしたＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、下地層がアモルファス金属下層と非磁性金属上層とから成る。例文帳に追加

The CPP type magnetoresistive effect element has a multilayer ferry spin valve structure including an underlying layer, a fixed ferromagnetic layer, a nonmagnetic metal intermediate layer and a free ferromagnetic layer wherein the free ferromagnetic layer is composed of CoFeAl or CoMnAl of specified composition and the underlying layer consists of an amorphous metal lower layer and a nonmagnetic metal upper layer. - 特許庁

また、マイコン１２は、エンジン停止状態においては、所定の基本サンプリング周期で磁気抵抗素子１１を動作させるとともに、ステアリングシャフトの回転を検出した際には、常に一定の回転角度を検出できるように、ステアリングシャフトの回転速度に応じてサンプリング周期を変化させる。例文帳に追加

The microcomputer 12 operates the magnetic resistance element 11 in a prescribed basic sampling period in the engine stop state, and changes the sampling period according to the rotation speed of the steering shaft so that a constant rotation angle can be always detected when the rotation of the steering shaft is detected. - 特許庁

各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。例文帳に追加

An antiferromagnetic layer 24 that can cause a switched connection bias between it and a free magnetic layer 23 of each of the magnetic resistance effect elements to be generated without anneal processing in the magnetic field and the magnetizing directions of the free magnetic layers 23 to be aligned with the sensitivity axis directions in a state permitting variations of magnetization is disposed on the upper faces of the free magnetic layers 23. - 特許庁