「磁気抵抗素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

磁気抵抗効果型薄膜磁気素子及びその製造方法と、その磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE THIN-FILM MAGNETIC ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE SAME - 特許庁

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置、並びに、磁気抵抗効果素子の製造方法例文帳に追加

MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORD REPRODUCING DEVICE AS WELL AS MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁

複数の磁気トンネル抵抗素子を直列接続した磁気抵抗素子において、高い磁気抵抗変化率を実現する。例文帳に追加

To realize a high magnetic resistance change rate in a magnetoresistance element where a plurality of magnetic tunnel resistance elements are connected in series. - 特許庁

磁気抵抗素子において、磁気抵抗構造体２１上にキャッピング層２６としてＴｉＮを使用した磁気抵抗素子及びその製造法である。例文帳に追加

In the magnetoresistive element, TiN is used as a capping layer 26 on a magnetic reluctance structure 21. - 特許庁

磁気抵抗効果素子及びそれを備える磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、並びに磁気抵抗効果ヘッドの製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD COMPRISING IT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気抵抗効果ヘッドの製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC RECORDING REPRODUCING DEVICE AND PRODUCTION OF MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD - 特許庁

磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム例文帳に追加

MAGNETIC ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, MAGNETIC RESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND MAGNETIC STORAGE SYSTEM - 特許庁

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC DETECTION ELEMENT AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING ELEMENT - 特許庁

磁気センサ、ホール素子、磁気抵抗効果素子、ホール素子の作製方法、磁気抵抗効果素子の作製方法例文帳に追加

MAGNETIC SENSOR, HALL ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING HALL ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT - 特許庁

磁気センサ、ホール素子、ホールＩＣ、磁気抵抗効果素子、ホール素子の作製方法、および磁気抵抗効果素子の作製方法例文帳に追加

MAGNETIC SENSOR, HALL ELEMENT, HALL IC, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF FABRICATING HALL ELEMENT, AND METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT - 特許庁

第１の磁気抵抗素子(10)は第１の抵抗値状態と第２の抵抗値状態を有する。例文帳に追加

The first magneto resistive element (10) has a first resistance state and a second resistance state. - 特許庁

第２の磁気抵抗素子(20)は第３の抵抗値状態と第４の抵抗値状態とを有する。例文帳に追加

The second magneto resistive element (20) has a third resistance state and a fourth resistance state. - 特許庁

素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。例文帳に追加

To provide a tunneling magneto-resistance effect element (TMR element) which has a low element resistance and a high MR ratio. - 特許庁

読み出し用素子３０はＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）からなる。例文帳に追加

The element 30 for reading consists of an MTJ element (magneto-resistance effect element). - 特許庁

Ｘ軸磁気抵抗効果素子、Ｙ軸磁気抵抗効果素子およびＺ軸磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵抗効果素子が配される基板とを備え、これら３個の磁気抵抗効果素子が、各ピンド層の磁化の向きが互いに３次元方向に交差するように基板に配されている磁気センサ。例文帳に追加

The magnetic sensor is provided with an X-axis magnetoresistance effect element, a Y-axis magnetoresistance effect element, a Z-axis magnetoresistance effect element and a substrate on which the magnetoresistance effect elements are arranged, and the three magnetoresistance effect elements are arranged on the substrate so that the directions of magnetization in respective pinned layers mutually cross in the three-dimensional direction. - 特許庁

複数の磁石は、磁気抵抗素子から任意にずらされる。例文帳に追加

The multiple magnets are arbitrarily offset from the magnetoresistive element. - 特許庁

ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物および巨大磁気抵抗素子例文帳に追加

PEROVSKITE TYPE Mn OXIDE AND COLOSSAL MAGNETORESISTIVE ELEMENT - 特許庁

二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子例文帳に追加

DOUBLE PEROVSKITE STRUCTURE MAGNETORESISTIVE ELEMENT - 特許庁

半導体磁気抵抗素子およびその設計方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND ITS DESIGNING METHOD - 特許庁

磁性多層膜および磁気抵抗変化素子例文帳に追加

MAGNETIC MULTILAYER FILM AND MAGNETORESISTANCE CHANGE ELEMENT - 特許庁

トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）素子例文帳に追加

TUNNELING AND PHASE-TRANSFORMATION MAGNETORESISISTANCE (TPMR) ELEMENT - 特許庁

巨大磁気抵抗効果素子を備えたエンコーダ例文帳に追加

ENCODER PROVIDED WITH GIGANTIC MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁

半導体磁気抵抗素子及びその製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

磁気抵抗素子および磁化反転方法例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MAGNETIZATION REVERSAL - 特許庁

スペーサ層を含むＣＰＰ型磁気抵抗効果素子例文帳に追加

CPP TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT INCLUDING SPACER LAYER - 特許庁

磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ITS UTILIZATION - 特許庁

半導体磁気抵抗素子を用いた位置変位センサ例文帳に追加

POSITION/DISPLACEMENT SENSOR USING SEMICONDUCTOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT - 特許庁

人工格子型巨大磁気抵抗素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING ARTIFICIAL LATTICE TYPE GIGANTIC MAGNETORESISTANCE ELEMENT - 特許庁

半導体磁気抵抗素子およびその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法例文帳に追加

TUNNELING MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子の試験方法及び装置例文帳に追加

TESTING METHOD AND DEVICE OF TUNNELING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT - 特許庁

磁界シンク層を有する磁気抵抗記憶素子例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING MAGNETIC FIELD SINK LAYER - 特許庁

トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法例文帳に追加

TUNNELING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCTION - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置例文帳に追加

METHOD FOR TESTING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND APPARATUS THEREFOR - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法。例文帳に追加

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

トンネル磁気抵抗素子を利用した半導体記憶装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING TUNNEL MAGNETO- RESISTANCE ELEMENT - 特許庁

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法例文帳に追加

STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RESISTANCE(MR) ELEMENT - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置例文帳に追加

INSPECTING METHOD AND DEVICE OF TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT - 特許庁

トンネル磁気抵抗素子の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT - 特許庁

磁気抵抗効果素子の製造方法および成膜装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF FORMIN FILM - 特許庁

磁気抵抗効果読み取り素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT READ ELEMENT - 特許庁

巨大磁気抵抗素子対の各巨大磁気抵抗素子はその長手方向が平面コイルの対辺対の各１辺のみと直交していて、各巨大磁気抵抗素子対の巨大磁気抵抗素子の一方の端部同士が接続されている。例文帳に追加

Since the longitudinal direction of each of the magnetoresistive elements of the element pair is orthogonal to only one side of each opposite side pair of the planar coil, end parts on one side of the magnetoresistive element of the element pair are connected to each other. - 特許庁

磁気抵抗素子メモリとその製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE MATERIAL ELEMENT MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

磁気抵抗効果素子及びその製造方法例文帳に追加

MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

可変抵抗素子、磁気再生ヘッドおよび情報記憶装置例文帳に追加

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC REPRODUCING HEAD, AND INFORMATION STORAGE DEVICE - 特許庁