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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 酸アジドの意味・解説 > 酸アジドに関連した英語例文

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酸アジドの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 168



例文

一般式(1)で示されるフェノール化合物1モルに1、2—ナフトキノンジアジド—4—スルホンクロライドを仕込みで2.7〜3.0モルを反応させたジアゾキノン誘導体と一般式(2)で示されるポリアミド100重量部とそのジアゾキノン誘導体1〜100重量部からなるポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。例文帳に追加

The positive photosensitive resin composition comprises 1-100 pts.wt. diazoquinone derivative prepared by reacting 1 mol phenolic compound of formula 1 with 2.7-3.0 mol 1,2-naphthoquinonediazido-4-sulfonic acid chloride and 100 pts.wt. polyamide of formula 2. - 特許庁

(a)成分:第1のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第1のシロキサン樹脂と第2のシラン化合物との混合物を加水分解縮合し、更に加熱処理して得られる第2のシロキサン樹脂と、(b)成分:フェノール類又はアルコール類とナフトキノンジアジドスルホンとのエステル化合物とを含有する感光性樹脂組成物。例文帳に追加

The photosensitive resin composition contains: (a) component, that is a second siloxane resin obtained by hydrolysis condensation of a mixture of a first siloxane resin obtained by hydrolysis condensation of a first silane compound and a second silane compound and heating processing of the mixture; and (b) component, that is an ester compound of phenols or alcohols and naphthoquinone diazide sulfonic acid. - 特許庁

ここで式中、X、X’およびX’’は、互いに同一または異なっていてもよく、かつ、それぞれが繰り返し単位間で同一であっても異なっていてもよくて、水基、基−SO_2−R、アジド基、または基−T−(CH_2)_m−Z−Aを表し、Rは、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基などを表し、nは2〜1000の整数を表す。例文帳に追加

In formula (I), X, X' and X'' may be the same or different from each other, may be the same or different between the repeating units, and represent a hydroxyl group, a group-SO_2-R, an azide group or a group-T-(CH_2)_m-Z-A. - 特許庁

(a)成分:第1のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第1のシロキサン樹脂と、第2のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第2のシロキサン樹脂とを混合し、さらに加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:フェノール類又はアルコール類とナフトキノンジアジドスルホンとのエステル化合物とを含有する感光性樹脂組成物。例文帳に追加

The photosensitive resin composition includes a component (a): a siloxane resin obtained by mixing a first siloxane resin obtained by hydrolysis-condensation of a first silane compound with a second siloxane resin obtained by the hydrolysis-condensation of a second silane compound, and causing the mixture to undergo further hydrolysis-condensation, and a component (b): an ester compound of phenols or alcohols and a naphthoquinone-diazide sulfonic acid. - 特許庁

例文

感放射線性樹脂組成物は、[A]オキシラニル基およびオキセタニル基よりなる群から選ばれる少なくとも1種の基と、オキシラニル基またはオキセタニル基に付加反応しうる官能基とを有するポリシロキサン、、〔B〕1,2−キノンジアジド化合物、並びに〔C〕特定のオニウムフッ素化アルキルフルオロリン塩を含有する。例文帳に追加

The radiation-sensitive resin composition comprises (A) a polysiloxane having at least one group selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group, and a functional group capable of addition reaction to an oxiranyl group or an oxetanyl group, (B) a 1,2-quinonediazide compound, and (C) a specific onium-fluorinated alkylfluorophosphate. - 特許庁


例文

特定のシラン化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、上記シロキサン樹脂が溶解する溶媒と、ナフトキノンジアジドスルホンエステルとを含有する感光性樹脂組成物を、基板上に塗布し真空乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程を備える感光性樹脂膜の形成方法。例文帳に追加

The method of forming the photosensitive resin film includes a step of coating the top of a substrate with a photosensitive resin composition comprising a siloxane resin obtained by hydrolytic condensation of a specific silane compound, a solvent in which the siloxane resin dissolves and a naphthoquinonediazidesulfonic acid ester and carrying out vacuum drying to form a photosensitive resin film. - 特許庁

水不溶かつアルカリ性水溶液に可溶なビニル重合系高分子化合物と、o-ナフトキノンジアジドとを含有する感光性組成物において、該ビニル重合系高分子化合物が、(A)アルカリ可溶性基を有する(メタ)アクリル誘導体及び(B)ポリ(オキシアルキレン)鎖を有する(メタ)アクリレートを単量体性分として含有する共重合体であることを特徴とする感光性組成物。例文帳に追加

In the photosensitive composition containing a vinyl polymerized high molecular compound insoluble in water and soluble in an alkaline aqueous solution and o-naphthoquinone diazide, the high molecular compound is a copolymer containing (A) a (meth)acrylic acid derivative having an alkali-soluble group and (B) a (meth)acrylate having a poly(oxyalkylene) chain as monomer components. - 特許庁

(A)アリールアミノ基もしくは、ピリジル基を分子構造に有するアルコキシシラン化合物、(B)フェノール性水基もしくはカルボキシル基を分子構造に有する耐熱性樹脂、またはそれらの前駆体、(C)光重合開始剤、及びキノンジアジド化合物からなる群から選択される光活性成分、及び(D)希釈溶剤を含有する感光性樹脂組成物を製造する。例文帳に追加

The photosensitive resin composition contains (A) an alkoxysilane compound having an arylamino group or a pyridyl group in its molecular structure, (B) a heat resistant resin having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group in its molecular structure or its precursor, (C) a photoactive component selected from the group comprising a photopolymerization initiator and quinonediazido compounds and (D) a diluting solvent. - 特許庁

(a)アルカリ可溶性ポリマーと、(b)フェノール性水基を有する化合物と、(c)エステル化したキノンジアジド化合物と、(d)アルミニウム化合物、ケイ素化合物、スズ化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合物から選ばれる粒子径1nmから30nmの無機粒子を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。例文帳に追加

The positive-type photosensitive resin composition comprises (a) an alkali-soluble polymer, (b) a compound having a phenolic hydroxyl group, (c) an esterified quinonediazido compound and (d) inorganic particles of 1 to 30 nm particle diameter selected from aluminum compounds, silicon compounds, tin compounds, titanium compounds and zirconium compounds. - 特許庁

例文

(A)3,4−キシレノールを含有するフェノール類とアルデヒド類との縮合反応により合成され得るアルカリ可溶性ノボラック樹脂を含有するアルカリ可溶性樹脂成分、(B)ナフトキノンジアジドエステル化物、(C)分子量1000以下のフェノール性水基含有化合物、(D)有機溶剤、を含むことを特徴とするLCD製造用ポジ型ホトレジスト組成物を用いる。例文帳に追加

A positive photoresist composition for manufacturing the LCD contains: (A) an alkali soluble resin component containing an alkali soluble novolak resin which can be synthesized by a condensation reaction of phenols including 3,4-xylenol and aldehydes; (B) an esterified naphthoquinonediazide compound; (C) a compound containing a phenolic hydroxyl group and having a molecular weight of ≤1,000; and (D) an organic solvent. - 特許庁

例文

式(1)の繰り返し単位を有するアルカリ可溶性ノボラック樹脂と、式(2)のフェノール性化合物との混合物において、全水基の水素原子を水素1原子あたり0.03〜0.05モルの割合で1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換した混合物をベース樹脂として含む。例文帳に追加

The positive resist composition contains a mixture, as a base resin, prepared by substituting 1,2-naphthoquinonediazidosulfonyl ester groups for hydrogen atoms of all hydroxyl groups at a rate of 0.03-0.05 mol per 1 atom of hydrogen in a mixture of an alkali-soluble novolac resin having a repeating unit of formula (1) and a phenolic compound of formula (2). - 特許庁

(A)アルカリ可溶なフェノール系樹脂、(B)下記一般式(1)で表されるアミド重合物、ナフトキノンジアジド系化合物、(D)多官能メチロール化合物、及び(E)上記(A)〜(D)成分を溶解する溶媒を含み、かつ(B)成分及び/又は(D)成分がフッ素原子を含むポジ型感光性樹脂組成物である。例文帳に追加

The positive photosensitive resin composition comprises (A) an alkali-soluble phenolic resin, (B) an amide acid polymer expressed by general formula (1), (C) a naphthoquinone diazide compound, (D) a polyfunctional methylol compound, and (E) a solvent which dissolves the above (A) to (D) components, wherein the component (B) and/or the component (D) contains a fluorine atom. - 特許庁

発生剤と、該光発生剤の存在下にポジ型感光性を示す溶剤可溶のポリイミドとを含むポジ型感光性ポリイミド組成物であって、前記光発生剤が、THBP-2008トリヒドロキシベンゾフェノンのジヒドロナフトキノンジアジドスルホンエステル誘導体)であり、かつ、THBP-200の含量が、前記ポリイミドの重量を基準として25〜55重量%であるポジ型感光性ポリイミド組成物を提供した。例文帳に追加

The positive photosensitive polyimide composition contains a photoacid generating agent and a solvent-soluble polyimide showing positive photosensitivity in the presence of a photoacid generating agent, wherein the photoacid generating agent is THBP-200 expressed by structural formula 1 (in the formula, R represents a group expressed by formula 2), and the proportion of the THBP-200 is 25 to 55 wt.% with respect to the weight of the polyimide as a reference. - 特許庁

下記構造式(1)で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜30,000であるノボラック樹脂の水基の水素原子の一部が1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換され、かつ残りの水基の一部の水素原子が−CR^1R^2OR^3で示される不安定基により置換及び/又は−CR^4R^5−O−R^6−O−CR^7R^8−で示される架橋基により分子内又は分子間で架橋されていることを特徴とする高分子化合物。例文帳に追加

To obtain both a polymer compound useful as a base resin for a positive type resist material and the positive type resist material containing the polymer compound, having excellent uniformity in fine processing, high sensitivity/high resolution, excellent pattern shape, excellent heat resistance film remaining properties, adhesivity to a substrate and storage stability. - 特許庁

不飽和カルボンおよび不飽和カルボン無水物よりなる群から選ばれる少なくとも1種と、オキシラニル基含有不飽和化合物およびオキセタニル基含有不飽和化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含有してなる不飽和混合物の共重合体、1,2−キノンジアジド化合物、ならびに炭素数6〜15のアリール基を有するシルセスキオキサンを含有する感放射線性樹脂組成物。例文帳に追加

The radiation-sensitive resin composition contains: a copolymer of an unsaturated mixture containing at least one type chosen from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride and at least one type chosen from the group of an oxiranyl group-containing unsaturated compound and an oxetanyl group-containing unsaturated compound; a 1, 2-quinonediazide compound; and silsesquioxane having a 6-15C aryl group. - 特許庁

下記一般式(1)で表される化合物を含む第1のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第1のシロキサン樹脂と、下記一般式(2)で表される化合物を含む第2のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第2のシロキサン樹脂とを混合し、さらに加水分解縮合して得られる重量平均分子量が8000〜300000であるシロキサン樹脂と、溶媒と、ナフトキノンジアジドスルホンエステルとを含有する感光性樹脂組成物。例文帳に追加

A photosensitive resin composition comprises: a siloxane resin having a weight average molecular weight of 8000 to 300000 obtained through hydrolysis-condensation after mixing a first siloxane resin which is obtained by hydrolyzing and condensing a first silane compound containing a compound represented by general formula (1) and a second siloxane resin obtained by hydrolyzing and condensing a second silane compound containing a compound represented by general formula (2); a solvent; and a naphthoquinonediazidosulfonic ester. - 特許庁

一分子中に少なくとも2個のベンゼン環を有し、且つ該ベンゼン環の少なくとも一個に少なくとも2つの水基が結合した、分子量1000以下のポリフェノール化合物と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホニル化合物とのエステル化反応生成物を含有することを特徴とする、1つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成されたLCD製造用ポジ型ホトレジスト組成物。例文帳に追加

The positive type photoresist composition for manufacturing an LCD comprising an integrated circuit and an LCD part formed on the substrate is characterized by containing an esterification reaction product of a polyphenol compound with 1,000 ≥ molecular weight, which has at least two benzene rings in a molecule wherein at least two hydroxy groups are bonded to at least one of the benzene rings, and a 1,2-naphthoquinonediazido sulfonyl compound. - 特許庁

例文

本発明のレジストパターンの形成方法においては、シロキサン構造を有するアルカリ溶解性ポリイミド(A)及びキノンジアジド構造を有する感光剤(B)を含む材料で構成されたフィルムを基板上に積層し、前記フィルムに対して露光・現像することにより前記基板上に所定のパターンを有するレジスト層を形成し、前記レジスト層に性の薬液に接触させた後に前記レジスト層を硬化させる。例文帳に追加

The resist pattern forming method includes: laying on a substrate a film comprising materials containing an alkali-soluble polyimide (A) having a siloxane structure and a photosensitive agent (B) having a quinonediazide structure; exposing and developing the film to form a resist layer having a predetermined pattern on the substrate; bringing an acidic chemical solution into contact with the resist layer; and curing the resist layer. - 特許庁

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