例文 (999件) |
酸形成の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24138件
唾液のりん酸カルシウム沈澱物形成能の検査法例文帳に追加
METHOD OF INSPECTING CAPABILITY FOR CALCIUM PHOSPHATE PRECIPITATE FORMATION OF SALIVA - 特許庁
酸素含有炭化ケイ素膜を形成するための方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON CARBIDE FILM CONTAINING OXYGEN - 特許庁
炭酸ガスレーザーによる貫通孔の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING THROUGH HOLE USING CARBON DIOXIDE LASER - 特許庁
真空紫外光による酸化膜形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING OXIDE FILM THROUGH VACUUM ULTRAVIOLET LIGHT - 特許庁
高誘電体酸化物膜の形成方法例文帳に追加
FORMING METHOD OF HIGH DIELECTRIC OXIDE FILM - 特許庁
光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法例文帳に追加
METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION - 特許庁
酸化膜及びその形成方法、並びに半導体装置例文帳に追加
OXIDE FILM AND FORMING METHOD THEREFOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
酸化シリコン膜20に配線溝を形成する。例文帳に追加
Wiring trench is formed in a silicon oxide film 20. - 特許庁
酸化物セラミックス複合材料の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING OXIDE-CERAMIC COMPOSITE MATERIAL - 特許庁
酸化タンタル膜、それを形成する方法および組成物例文帳に追加
TANTALUM OXIDE FILM, FORMING METHOD THEREOF AND COMPOSITION - 特許庁
次にこの酸化シリコン層上に導電層を形成する。例文帳に追加
Then, a conductive layer is formed on this silicon oxide layer. - 特許庁
半導体素子のゲート酸化膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING GATE OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
酸化物誘電体膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING OXIDE DIELECTRIC FILM - 特許庁
窒化酸化シリコン・ゲート絶縁膜の形成方法例文帳に追加
FORMING METHOD OF SILICON NITRIDE OXIDE/GATE INSULATION FILM - 特許庁
酸化亜鉛表層にn型伝導層を形成する方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING N-TYPE CONDUCTIVE LAYER IN ZINC OXIDE SURFACE LAYER - 特許庁
金属酸化物薄膜形成用組成物例文帳に追加
METAL-OXIDE THIN FILM-FORMING COMPOSITION - 特許庁
ターゲットを用いたTi酸化物膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING Ti OXIDE FILM USING TARGET - 特許庁
SOIウェーハのシリコン酸化膜形成方法例文帳に追加
SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD OF SOI WAFER - 特許庁
コーティング液、金属酸化物膜およびその形成方法例文帳に追加
COATING LIQUID, METAL OXIDE FILM AND METHOD FOR DEPOSITING THEREOF - 特許庁
金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム例文帳に追加
METHOD FOR FORMING METAL OXIDE FILM AND FILM FORMATION TREATMENT SYSTEM - 特許庁
金属酸化物皮膜形成用化成液例文帳に追加
CHEMICAL CONVERSION LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE FILM - 特許庁
シリコン基板の複合面に酸化膜を形成する方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING OXIDE FILM ON COMPOSITE FACE OF SILICON SUBSTRATE - 特許庁
酸化膜の形成方法及び半導体装置例文帳に追加
METHOD FOR FORMING OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体素子のアルミニウム酸化膜形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING ALUMINUM OXIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
その後、LOCOS酸化膜14を形成する。例文帳に追加
Thereafter, the LOCOS oxide film 14 is formed. - 特許庁
半導体素子の酸化膜形成方法例文帳に追加
OXIDE FILM FORMATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
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