| 例文 (999件) |
酸形成の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24138件
酸化物誘電層の形成方法及びその形成方法で得られた酸化物誘電層を備えたキャパシタ層形成材例文帳に追加
METHOD FOR OXIDE DIELECTRIC LAYER FORMATION, AND CAPACITOR LAYER FORMING MATERIAL COMPRISING OXIDE DIELECTRIC LAYER FORMED BY SAID FORMATION METHOD - 特許庁
金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板及びパターン形成方法例文帳に追加
METAL OXIDE-CONTAINING FILM-FORMING COMPOSITION, METAL OXIDE-CONTAINING FILM-FORMED SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS - 特許庁
続いて、その切断面に酸化皮膜を形成した後、陰極形成領域の酸化皮膜上に固体電解質層１１を形成する。例文帳に追加
After the oxide coat is formed on the cut surface, a solid electrolytic layer 11 is formed on the oxide coat in the negative electrode forming region. - 特許庁
ポリアミック酸、ポリイミドおよび絶縁膜形成用材料例文帳に追加
POLYAMIC ACID, POLYIMIDE AND INSULATING FILM-FORMING MATERIAL - 特許庁
二酸化チタン光触媒層のパターン形成方法例文帳に追加
FORMATION METHOD FOR PATTERN OF TITANIUM DIOXIDE PHOTOCATALYST LAYER - 特許庁
炭素−炭素又は炭素−酸素結合形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING CARBON-CARBON OR CARBON-OXYGEN BOND - 特許庁
即ち、不飽和のイリジウム酸化膜を形成する。例文帳に追加
That means, an unsaturated iridium oxide film is formed. - 特許庁
酸化物薄膜103上に上部電極106を形成する〔(e)図〕。例文帳に追加
An upper electrode 106 is formed on the oxide thin film 103 {figure (e)}. - 特許庁
インジウム−スズ酸化物薄膜形成用塗布液例文帳に追加
COATING LIQUID FOR FORMING THIN FILM OF INDIUM-TIN OXIDE - 特許庁
ペロブスカイト型酸化物膜形成用水溶液例文帳に追加
AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING PEROVSKITE TYPE OXIDE FILM - 特許庁
酸化チタン光触媒用塗膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING TITANIUM OXIDE PHOTOCATALYST FILM - 特許庁
ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液例文帳に追加
RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING PEROVSKITE OXIDE THIN FILM - 特許庁
シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材例文帳に追加
ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR MEMBER FORMED ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁
酸化チタンの形成方法及び光触媒例文帳に追加
METHOD OF FORMING TITANIUM OXIDE, AND PHOTOCATALYST - 特許庁
結晶性酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING CRYSTALLINE ZINC OXIDE (ZnO) THIN FILM - 特許庁
チタン酸化物形成用溶液およびその製造方法例文帳に追加
TITANIUM OXIDE-FORMING SOLUTION AND ITS PRODUCTION - 特許庁
ゲート酸化膜５、ゲート電極５ｅを形成する。例文帳に追加
A gate oxide film 5 and a gate electrode 5e are formed. - 特許庁
微粒子含有金属酸化物膜およびその形成方法例文帳に追加
PARTICULATE-CONTAINING METAL OXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME - 特許庁
電極形成用ペーストおよびそれを用いた酸素センサ例文帳に追加
PASTE FOR ELECTRODE FORMATION AND OXYGEN SENSOR USING IT - 特許庁
結晶性酸化物膜の形成方法および半導体装置例文帳に追加
FORMING METHOD OF CRYSTALLINE OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
二酸化チタン被膜形成用塗布液例文帳に追加
COATING LIQUID FOR FORMING TITANIUM DIOXIDE FILM - 特許庁
高硬度酸化マグネシウム皮膜の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING HIGH HARDNESS MAGNESIUM OXIDE COATING FILM - 特許庁
金属有機化合物および金属酸化物膜形成方法例文帳に追加
METAL-ORGANIC COMPOUND AND FORMATION OF METAL OXIDE FILM - 特許庁
無電解酸化亜鉛皮膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING ELECTROLESS ZINC OXIDE FILM - 特許庁
その後、半導体基板上にゲート酸化膜を形成する。例文帳に追加
After that, a gate oxide film is formed on the semiconductor substrate. - 特許庁
複合酸化物半導体膜及びその形成方法例文帳に追加
MIXED OXIDE SEMICONDUCTOR MEMBRANE AND FORMING METHOD THEREOF - 特許庁
酸化チタン膜の形成方法および光電変換素子例文帳に追加
METHOD FOR FORMING TITANIUM OXIDE FILM AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT - 特許庁
半導体基板上にゲート酸化膜を形成する。例文帳に追加
A gate oxide film is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁
絶縁膜１０１に熱酸化膜を形成する（図２（Ａ））。例文帳に追加
A thermal oxidation film is formed on an insulating film 101 (Fig.2(A)). - 特許庁
アナターゼ型酸化チタン皮膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING ANATASE-TYPE TITANIUM OXIDE FILM - 特許庁
炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING OXIDIZED FILM OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁
金属酸化物膜およびその形成方法例文帳に追加
METAL OXIDE FILM AND ITS FORMING METHOD - 特許庁
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