「酸形成」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

さらに、第４酸化膜２４を形成した後に異方性エッチングをして、開孔２６ａを形成する。例文帳に追加

Furthermore, after a fourth oxide film 24 is formed, anisotropic etching is performed to form an opening 26a. - 特許庁

第１のシリコン基板３１aに形成された酸化膜３２に溝３３を形成する。例文帳に追加

A groove 33 is formed on an oxide film 32 formed on a first silicon substrate 31a. - 特許庁

基板の表面の上にパターンを形成することにより、亜鉛酸化物のナノ構造を形成する。例文帳に追加

Zinc-oxide nanostructures are formed by forming a pattern on a surface of a substrate. - 特許庁

Ｉｒ膜２３を形成した後、このＩｒ膜２３上にＩｒ酸化膜を形成する。例文帳に追加

After an Ir film 23 is formed, an Ir oxide film is formed on the Ir film 23. - 特許庁

金属酸化物の形成方法及びこれを含むトランジスタ構造体の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE AND METHOD FOR FORMING TRANSISTOR STRUCTURE CONTAINING THE SAME - 特許庁

Ｐ型シリコン基板１に形成されたフィールド酸化膜４は、素子形成領域を設定する。例文帳に追加

A field oxide film 4 formed on a P-type silicon substrate 1 sets an element forming area. - 特許庁

パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法例文帳に追加

PATTERN FORMING METHOD, MATERIAL FOR FORMING METAL OXIDE FILM AND USE METHOD OF THE MATERIAL - 特許庁

他の形成工程においては、前記極めて近接した導体間に連結酸化物を形成する。例文帳に追加

Connecting oxide is formed between the extremely adjacent conductors in the other forming process. - 特許庁

次に、酸化防止層２３の上に中間層２４を形成し、その上に記録層２５を形成する。例文帳に追加

Then, an intermediate layer 24 is formed on the oxidation preventive layer 23, and a recording layer 25 is formed thereon. - 特許庁

犠牲酸化膜１０４に形成した配線溝１０８を用いて配線１１３を形成する。例文帳に追加

Wiring 113 is formed by using a wiring groove 108 that is formed in a sacrifice oxide film 104. - 特許庁

形成される保護皮膜は、安定した酸化皮膜であって、安定・緻密なＣｒ_２Ｏ_３皮膜が形成される。例文帳に追加

The formed protective film is a stable oxidized film, wherein a stable/dense Cr_2O_3 film is formed. - 特許庁

Ｎ−型半導体層１２に凹部１５を形成し、凹部１５内にトレンチ酸化膜１６を形成する。例文帳に追加

A recess 15 is formed in an N-type semiconductor layer 12, and then a trench oxide film 16 is formed in the recess 15. - 特許庁

金属酸化膜パターン形成方法及びこれを利用した半導体素子の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE FILM PATTERN AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法例文帳に追加

WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT - 特許庁

酸化スズ層２の形成後には、湿式触媒による触媒層の形成が行われる。例文帳に追加

After the tin oxide layer 2 is formed, a catalyst layer is formed from a wet catalyst. - 特許庁

ゲート絶縁膜の形成において、均一な膜厚の熱酸化膜を形成する。例文帳に追加

To form a gate insulation film having a thermal oxide film with a uniform film thickness. - 特許庁

感光層には、画像形成を阻害する酸素が供給されないため画像が形成される。例文帳に追加

The image is formed on the photosensitive layer, since the oxygen that impedes the image formation is not supplied to the layer. - 特許庁

その後、高温で熱酸化膜を形成し、良質なゲート絶縁膜を形成することが望ましい。例文帳に追加

Then, a thermal oxide film is preferred to be formed at a high temperature to form a gate insulating film of good quality. - 特許庁

メゾポーラス酸化膜の形成方法及びデュアルダマシン構造の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING MESOPOROUS OXIDE FILMS AND DUAL DAMASCENE STRUCTURE - 特許庁

製造方法は、ゲート電極を形成後、ゲート電極上に熱酸化膜を形成する。例文帳に追加

This method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a gate electrode, and then forming a thermal oxide film on the gate electrode. - 特許庁

抵抗体形成領域のＬＯＣＯＳ酸化膜３上に複数の抵抗体９が形成されている。例文帳に追加

A plurality of resistors 9 are formed on a LOCOS oxide film 3 at a resistors forming region. - 特許庁

表面に酸化膜１２が形成された基板１１に、複数の突条部１３を形成する。例文帳に追加

A plurality of protruded ribs 13 are formed on a substrate 11 having an oxide film 12 formed on the surface. - 特許庁

酸化膜４の所定領域に抵抗素子を形成するための溝を形成する。例文帳に追加

A groove for forming a resistance element 8 in a prescribed region of the film 4 is formed in the film 4. - 特許庁

酸化アルミニウム薄膜の形成方法及び窒化アルミニウム薄膜の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR DEPOSITION OF ALUMINUM OXIDE THIN FILM, AND METHOD FOR DEPOSITION OF ALUMINUM NITRIDE THIN FILM - 特許庁

酸化膜１５は、トレンチ１４周囲の基板１１及び素子形成領域１２に形成されている。例文帳に追加

Oxide films 15 are formed on the substrate 11 around the trenches 14 and in the element formation areas 12. - 特許庁

下地１０上に導電膜２０を形成し、その上にシリコン酸化膜３０を形成する。例文帳に追加

A conductive film 20 is formed on a foundation 10, and silicon oxide films 30 are formed on the conductive film 20. - 特許庁

この酸化膜形成方法によれば、良好なトランジスタ素子のゲート絶縁膜が形成される。例文帳に追加

According to the oxide film formation method, a gate insulation film of good transistor element is formed. - 特許庁

金属酸化物膜４を重ねて形成することにより、所定高さのリブ５を形成する。例文帳に追加

By laying the metal oxide film 4 one on top of another, a rib 5 having a required height is formed. - 特許庁

透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び透明薄膜形成用材料例文帳に追加

COMPOSITE OXIDE SINTERED COMPACT FOR FORMING TRANSPARENT THIN FILM AND MATERIAL FOR FORMING TRANSPARENT THIN FILM - 特許庁

また、着色層は、陽極酸化により形成する方法と、熱処理により形成する方法がある。例文帳に追加

Moreover, as methods of forming the colored layer, a method by anodic oxidization and a method by heat treatment are provided. - 特許庁

酸化膜１２上にレジスト膜１３を形成し、窓開け用のパターン１４を形成する。例文帳に追加

A resist film 13 is formed on the film 12, and a pattern 14 for opening a window is formed. - 特許庁

ＰＳ形成部２２ａを陽極化して酸化することでＰＳ層２２を形成する。例文帳に追加

A PS layer 22 is formed by anodizing and oxidizing the PS formation part 22a. - 特許庁

そして、酸素吸蔵能を有する酸化物３１を、セリウムＣｅを含む酸化物で形成し、酸化物半導体３３を二酸化チタン（ＴｉＯ_2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化イットリウム（Ｙ_2 Ｏ_3 ）のいずれか一つ又はこれらの組合せで形成する。例文帳に追加

The oxide 31 having the oxygen occlusion capability consists of an oxide containing Ce, and the oxide semiconductor 33 is composed of one or a mixture of titanium dioxide (TiO_2), zinc oxide (ZnO) and yttrium oxide (Y_2O_3). - 特許庁

ＳｉＣからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記ＳｉＣを酸化させない条件で、ＳｉＯ_２からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のＳｉＣを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor element, in which an oxide film is formed on a semiconductor substrate including SiC, includes a step of oxide film formation of forming an oxide film including SiO_2 on the semiconductor substrate in a condition where the SiC is not oxidized; and a step of oxynitride film formation for forming an oxynitride film by oxynitriding SiC at an interface between the oxide film and the semiconductor substratre. - 特許庁

そして、トンネル絶縁膜はシリコン酸化膜／第１酸窒化膜あるいは第２酸窒化膜／シリコン酸化膜／第１酸窒化膜の構造に形成される。例文帳に追加

The tunnel oxide film is formed in a configuration of silicon oxide film/first oxynitriding film or the second oxynitriding film/silicon oxide film/ first oxynitriding film. - 特許庁

次いで、プラズマ酸化やラジカル酸化等の酸化処理により、第３酸化膜１４及びゲート酸化膜１５が形成される。例文帳に追加

Thereafter, a third oxide film 14 and a gate oxide film 15 are formed by oxidation treatment such as plasma oxidation or radical oxidation. - 特許庁

Al酸化物，Ce酸化物，Zr酸化物及びPr酸化物が複合したAl−Ce−Zr−Pr複合酸化物から担体を形成し、それに貴金属を担持した。例文帳に追加

The carrier is formed from an Al-Ce-Zr-Pr complex oxide obtained by compositing oxides of Al, Ce, Zr and Pr, and at least one of noble metals is supported on the carrier. - 特許庁

基板１上に、シード層として酸化チタン層２が形成され、酸化チタン層２の上にチタン酸鉛含有層３が形成され、チタン酸鉛含有層３の上に電極４を形成する。例文帳に追加

A titanium oxide layer 2 is formed on the board 1 as the seed layer, the lead titanate containing layer 3 is formed on the titanium oxide layer 2, and an electrode 4 is formed on the lead titanate containing layer 3. - 特許庁

半導体基板１に形成された溝部５に溝部ＬＯＣＯＳ酸化膜６を形成するための酸化膜形成工程は、図１（ｆ）の第１のウエット酸化工程、図１（ｇ）の第２のウエット酸化工程によって構成される。例文帳に追加

An oxide film forming process for forming a trench part LOCOS oxide film 6 is formed on a trench part 5 formed in a semiconductor substrate 1 is constituted of a first wet oxidation process of (f) and a second wet oxidation process of (g). - 特許庁

膜厚の厚い第１のゲート酸化膜を形成し、第１のゲート酸化膜の表面に、膜厚の薄い第２のゲート酸化膜を形成するために行われる洗浄、フッ酸処理に対するエッチング耐性を有する絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A first thick gate oxide film is formed, and an insulation film with etching resistance for washing, hydrofluoric acid treatment that is made for forming a second thin gate oxide film is formed on the surface of the first gate oxide film. - 特許庁

シリコン基板１上に熱酸化法によりシリコン酸化膜を形成した後、その上に化学気相成長法によりシリコン酸化膜を形成し、上層ほど密度が低い多層シリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed on a silicon substrate 1 through a thermal oxidation method, and another silicon oxide film is formed thereon through a chemical vapor growth method so as to form a multilayered silicon oxide film whose upper part gets lower in density than its lower part. - 特許庁

半導体基板２１上に形成されたゲート酸化膜２３と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜２５と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜２７とを備える。例文帳に追加

The semiconductor element is provided with a gate oxide film 23 formed on a semiconductor substrate 21, a conductive film 25 formed at the upper part of the gate oxide film and a metal oxide film 27 formed at the boundary of the gate oxide film and the conductive film for the gate. - 特許庁

薄膜部領域のゲート酸化膜を選択的に除去した後、第２のゲート酸化膜形成工程を行って、薄膜部領域に第２のゲート酸化膜１５Ａを形成し、厚膜部領域にゲート酸化膜１５Ｂを形成する。例文帳に追加

After the gate oxide film of a thin film region is selectively removed, a second gate oxide film forming step is performed to form a second gate oxide film 15A in the thin film region, and a gate oxide film 15B is formed in a thick film region. - 特許庁

シリコンウェーハ１の表面に酸化膜３を形成する酸化膜形成洗浄と、該形成した酸化膜３を除去する酸化膜除去洗浄とを、他の薬液洗浄を挟まずに複数回繰り返す。例文帳に追加

An oxide film formation cleaning for forming an oxide film 3 on the surface of a silicon wafer 1, and an oxide film removal cleaning for removing the formed oxide film 3, are repeated several times with any other chemical cleaning interposed between the two cleaning processes. - 特許庁

シリコン基板１にフィールド酸化膜３を形成し、酸化膜３上に抵抗体パターン７を形成した後、熱酸化処理により抵抗体パターン７の表面に熱酸化膜を形成し、同時にゲート酸化膜９を形成する。例文帳に追加

A field oxide film 3 is formed on a silicon substrate 1, a resistor pattern 7 is formed on the field oxide film 3, a thermal oxide film is formed on the surface of the resistor pattern 7 through a thermal oxidation treatment, and a gate oxide film 9 is formed at the same time. - 特許庁