「酸形成」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、密着層形成工程において、薄膜形成工程にて形成された薄膜を酸素雰囲気中で熱処理して酸化し、薄膜を形成する金属粒子が成長した粗い凹凸を有する密着層７を形成する。例文帳に追加

A subsequent adhesive layer forming step heat-treats and oxidizes the thin film formed in the thin film forming step in an oxygen atmosphere to form an adhesive layer 7 having rough irregularities by the growth of the metal particles forming the thin film. - 特許庁

金属部材の所定部分の表面に酸化膜を形成する金属部材の酸化膜形成方法において、前記所定部分の表面を過酸化水素の溶液によって酸化させて前記酸化膜を形成する。例文帳に追加

In the method for depositing an oxidized film on a metallic member in which the surface of the prescribed part in a metallic member is deposited with an oxidized film, the surface of the above prescribed part is oxidized with a solution of hydrogen peroxide, and the above oxidized film is deposited. - 特許庁

質量比で０．１〜５％の酸化銀を含有する酸化スズペーストを用いて酸化スズを形成後、１００〜２５０℃の温度で加熱処理して酸化スズ多孔質層を形成することを特徴とする酸化スズ多孔質層の形成方法。例文帳に追加

In the method of forming the tin oxide porous layer, tin oxide is formed using a tin oxide paste containing 0.1 to 5 wt.% silver oxide and then heated at 100 to 250°C to form the tin oxide porous layer. - 特許庁

これにより、試料５の表面にはチタン酸カルシウム層が形成され、このチタン酸カルシウム層の直下には二酸化チタン層が形成される。例文帳に追加

Thus, a calcium titanate layer is formed on the surface of the sample 5 and immediate below the calcium titanate layer, a titanium dioxide layer is formed. - 特許庁

本発明の微生物の作製方法は、微生物の細胞表面にケイ酸からなるケイ酸層を形成するケイ酸層形成工程を含む。例文帳に追加

This method for producing the microorganism includes a silicic acid layer-forming process for forming the silicic acid layer comprising silicic acid on the cell surface of the microorganism. - 特許庁

銅酸化物電解形成用組成物、およびそれを用いた銅酸化物膜の形成方法および銅酸化物膜例文帳に追加

COMPOSITION FOR COPPER OXIDE ELECTROLYTIC FORMATION, AND METHOD OF FORMING COPPER OXIDE FILM AND COPPER OXIDE FILM USING THE SAME - 特許庁

ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型酸化物薄膜例文帳に追加

RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING PEROVSKITE-TYPE OXIDE THIN FILM, METHOD FOR FORMING PEROVSKITE-TYPE OXIDE THIN FILM AND PEROVSKITE-TYPE OXIDE THIN FILM - 特許庁

また、金属箔９は、酸化処理によって形成される酸化物をその表面に有し、その酸化物は高調波の面粗さを持つように形成する。例文帳に追加

The metallic foil 9 has on its surface an oxide formed by oxidation process, the oxide being formed to have the harmonic surface roughness. - 特許庁

金属酸化物膜形成用塗布液、及びそれを用いた金属酸化物膜、金属酸化物パターンの形成方法例文帳に追加

APPLICATION LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM USING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING METAL OXIDE PATTERN - 特許庁

酸化物皮膜形成用化成液とこれを用いた酸化物皮膜の形成方法、積層体及びその製造方法、並びに金属酸化物膜例文帳に追加

CHEMICAL LIQUID FOR FORMING OXIDE COATING FILM, METHOD OF FORMING OXIDE COATING FILM USING THE SAME , LAYERED BODY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METAL OXIDE FILM - 特許庁

シリコンウエハー２上に酸化膜３を形成した後、ポリシリコン層４ａ、シリコン窒化膜５ａを形成し、酸化膜３を熱酸化させる。例文帳に追加

After an oxide film 3 has been formed on a silicon wafer 2, a polysilicon layer 4a and a silicon nitride film 5a are formed and the oxide film 3 is thermally oxidized. - 特許庁

ゲルは、ポリアクリル酸塩をベースに形成もの、または寒天とポリアクリル酸もしくはポリアクリル酸塩をベースに形成する。例文帳に追加

The gel is formed from a polyacrylate as a base material or from agar and polyacrylic acid or a polyacrylate as base materials. - 特許庁

金属酸化膜２の形成時に、シリコン基板１の表面を酸化させることにより、界面層３となるシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed. - 特許庁

この後、酸化工程 において、形成された半導体層を酸化性雰囲気中で熱処理することによりシリコン酸化膜４が形成される。例文帳に追加

Subsequently, a silicon oxide film 4 is formed in an oxidation process (3) by heat treating a semiconductor layer thus formed in an oxidizing atmosphere. - 特許庁

無孔質陽極酸化膜７を形成後、再度、陽極酸化を行い、陽極酸化膜中に形成された穴８を修正する。例文帳に追加

After formation of a non-porous anode oxide film 7, anode oxidation is carried out again and a hole 8 formed in an anode oxide film is modified. - 特許庁

そして、第２の金属膜３０を酸化させて金属酸化物を形成し、第２の金属膜３０の表面に酸化層３２を形成する。例文帳に追加

Then, the second metal film 30 is oxidized to form a metal oxide, and an oxide layer 32 is formed on a surface of the second metal film 30. - 特許庁

フィールド酸化膜を形成する工程では、半導体基板（５１）の全面にバッファ酸化膜（５２）とフィールド酸化マスク層（５３）が形成される。例文帳に追加

In a process for forming a field oxide film, a buffer oxide film 52 and a field oxide mask layer 53 are formed over the whole face of a semiconductor substrate 51. - 特許庁

高屈折率酸化物薄膜の形成装置、高屈折率酸化物薄膜の形成方法および高屈折率酸化物薄膜を備えた成形品例文帳に追加

FORMING DEVICE AND DEVICE FOR OXIDE THIN FILM WITH, HIGH REFRACTIVE INDEX AND FORMED PRODUCT HAVING HIGH REFRACTIVE INDEX OXIDE THIN FILM - 特許庁

酸化シリコン膜５１上に形成された酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜３９の上に、第２の酸化シリコン膜５４を形成する。例文帳に追加

A second silicon oxide film 54 is formed on an oxygen doped semi-insulating polysilicon film 39 deposited on a silicon oxide film 51. - 特許庁

所望の窒素量を含んだ酸窒化膜を薄膜化することができる酸窒化膜形成方法及び酸窒化膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming an oxynitride film and an apparatus for forming the oxynitride film that can make the oxynitride film including a desired quantity of nitrogen a thin film. - 特許庁

二酸化珪素膜５１の形成後、ＣＶＤ法により、二酸化珪素膜５１上に酸窒化珪素膜６１を形成する。例文帳に追加

After the silicon dioxide film 51 is formed, a silicon oxynitride film 61 is formed on the silicon dioxide film 51 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. - 特許庁

次に、線形パッド酸化層を熱酸化により、トレンチの表面に形成し、線形パッド酸化層を、SiON層近くでクチバシ型に形成する。例文帳に追加

Next, a liner oxide layer is formed on the surface of the trench by thermal oxidation such that the linear oxide layer near the SiON layer is in a bird's beak form. - 特許庁

低温かつ簡易な方法で酸化シリコン膜を形成することができる酸化シリコン膜の形成方法および酸化シリコン膜を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon oxide film by which a silicon oxide film can be easily formed at low temperature and to provide the silicon oxide film. - 特許庁

ＳｉＮ膜３を除去して犠牲酸化膜を形成し、所定のイオン注入を行った後、犠牲酸化膜を除去し、ゲート酸化膜を形成する。例文帳に追加

A sacrificial oxide film is formed by removing the SiN film 3 and, after the sacrificial oxide film is removed, a gate oxide film is formed. - 特許庁

表面に酸化皮膜が形成されたコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子を、酸化剤を溶解させた酸化剤溶液に含浸する。例文帳に追加

A capacitor element having an oxide coating formed on a surface thereof is formed and the capacitor element is impregnated with an oxidant solution in which an oxidant is dissolved. - 特許庁

酸化する材料への硝酸の及ぼす作用によって形成されたいくつかの窒素酸化物の総称例文帳に追加

any of several oxides of nitrogen formed by the action of nitric acid on oxidizable materials  - 日本語WordNet

酸化物原料溶液、酸化物膜、圧電素子、酸化物膜の形成方法および圧電素子の製造方法例文帳に追加

OXIDE SOURCE MATERIAL SOLUTION, OXIDE FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT, METHOD FOR FORMING OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC ELEMENT - 特許庁

酸化性物質と、リン酸と、有機酸と、保護膜形成剤と水を含む研磨液で研磨する。例文帳に追加

Polishing is performed by using a polishing liquid, which includes oxidized material, phosphoric acid, organic acid, protection film forming agent and water. - 特許庁

金属酸化物薄膜形成用組成物、金属酸化物の製造方法および金属酸化物薄膜例文帳に追加

COMPOUND FOR FORMING METAL OXIDE THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE AND METAL OXIDE THIN FILM - 特許庁

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する（ＢＯＸ酸化工程）。例文帳に追加

Thereafter, a thermal oxide film is formed within the cavity with thermal oxidation of the Si substrate 1 (BOX oxidation method). - 特許庁

酸化物膜、酸化物膜形成用塗布液、酸化物膜を用いた光学部材、およびそれらの製造方法例文帳に追加

OXIDE FILM, COATING SOLUTION FOR FORMING OXIDE FILM, OPTICAL MEMBER USING OXIDE FILM, AND METHOD OF PRODUCING THEM - 特許庁

この酸化処理で形成した酸化層２０２が、コア上部の酸化シリコン層となる。例文帳に追加

The oxidation layer 202 formed by the oxidizing process acts as a silicon oxide layer on the core. - 特許庁

酸素ラジカルにより、基板表面のシリコンを酸化させてシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

The oxygen radical makes it possible to oxidize the silicon of the surface of the substrate so that a silicon oxide film can be formed. - 特許庁

ここで、酸化物層12は自然酸化、人工酸化のどちらで形成されたものでも良い。例文帳に追加

The oxide layer 12 can be formed by naturally or artificially oxidizing the element constituting the semiconductor. - 特許庁

その後、基板３を再酸化して低電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域１に第２の酸化膜８を形成し、高電圧用ＭＯＳトランジスタ形成領域２にはそれよりも厚い第３の酸化膜９を形成する。例文帳に追加

After that, the substrate 3 is reoxidized to form a second film 8 on the region 1 and a third oxide film 9 which is thicker than the film 8 is formed in a high-voltage MOS transistor forming region 2. - 特許庁

そして、厚い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面側に厚い酸化膜である第５酸化膜２４を形成し、薄い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面側に薄い酸化膜である第６酸化膜２６を形成する。例文帳に追加

A fifth oxide film which is a thick oxide film is formed in a front side of the semiconductor substrate 10 in a scheduled region of thick oxide film formation, and a sixth oxide film which is a thin oxide film is formed in a front side of the semiconductor substrate 10 in a scheduled region of thin oxide film formation. - 特許庁

リン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法およびその形成膜例文帳に追加

METHOD FOR FORMING ELECTROLESS-PLATED NICKEL FILM HAVING PHOSPHATE COATING, AND FORMED FILM THEREBY - 特許庁

その後、半導体基板上に形成したシリコン酸化膜６にコンタクトホール８を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a contact hole 8 is formed to the silicon oxide film 6 formed on the semiconductor substrate. - 特許庁

バイモルフ部の一端は、基板の表面に形成された酸化シリコン層の上に形成されてよい。例文帳に追加

One end of the bimorph part may be formed on a silicon oxide layer formed on the front surface of the board. - 特許庁

金属酸化物パターン形成方法及び金属配線パターン形成方法並びに配線基板例文帳に追加

METAL OXIDE PATTERN FORMING METHOD, METAL WIRING PATTERN FORMING METHOD, AND WIRING SUBSTRATE - 特許庁

シリコン基板２に形成された溝にトレンチ分離酸化膜３が形成されている。例文帳に追加

A trench isolation oxide film 3 is formed in a groove formed at the silicon substrate 2. - 特許庁

層間酸化膜４１およびコンタクト電極４２を形成し、各電極を形成する。例文帳に追加

Then an interlayer oxide film 41 and a contact electrode 42 are formed and respective electrode are formed. - 特許庁

第三レチクルにより、フォトレジスト層が形成され、ゲートとゲート酸化層が形成される。例文帳に追加

A photoresist layer is formed by a third reticle and a gate and a gate oxide layer are formed. - 特許庁

シリコン酸化膜に溝を形成し、第２のシリコン窒化膜１０を形成する。例文帳に追加

A groove is formed in the silicon oxide film and a second silicon nitride film 10 is formed. - 特許庁

金属酸化膜の形成方法及びガス放電管の２次電子放出膜形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF METAL OXIDE FILM AND FORMING METHOD OF SECONDARY ELECTRON EMISSION FILM FOR GAS DISCHARGE TUBE - 特許庁