「酸形成」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、ゲート絶縁層８を形成する部分に形成された余分な層を除去し、熱酸化法によりゲート絶縁層８を形成する。例文帳に追加

An unnecessary layer formed in a part where a gate insulating layer 8 is formed is removed, and the gate insulating layer 8 is formed by the thermal oxidation method. - 特許庁

次に、ロジック形成領域にソース・ドレイン領域９を形成した後、ロジック形成領域のＴＥＯＳ酸化膜５ｂを除去する。例文帳に追加

Then, after forming a source/drain region 9 in the logic formation region, the TEOS oxide film 5b of the logic formation region is removed. - 特許庁

次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６に開口部２７を形成し、次いで酸化銅膜２５に開口部２８を形成する。例文帳に追加

An opening 27 is formed in the columnar electrode forming plating resist film 26 and an opening 28 is formed in the copper oxide film 25. - 特許庁

本発明の耐候性鋼の安定錆の形成方法は、酸化被膜形成工程と、安定錆形成工程と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The stable rust forming method for the atmospheric corrosion resisting steel comprises an oxide film forming step and a stable rust forming step. - 特許庁

金属ゲートの形成工程で金属酸化膜のウィスカの形成を防止できる金属ゲートの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a metal gate capable of preventing a whisker of a metal oxide film from being formed in a process of forming a metal gate. - 特許庁

保護層１０は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化第二鉄、酸化マグネシウム、酸化リチウム、酸化バリウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化コバルトおよび酸化ニッケルを含む釉薬により形成されている。例文帳に追加

The protecting layer 10 is formed of a glaze including silicone dioxide, aluminum oxide, ferric oxide, magnesium oxide, lithium oxide, barium oxide, zinc oxide, chromium oxide, cobalt oxide, and nickel oxide. - 特許庁

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。例文帳に追加

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed. - 特許庁

撥水撥油膜は、シールの表面を親水性にする親水化処理工程と、表面に金属酸化物層を形成する金属酸化物層形成工程と、金属酸化物層の上に撥水撥油層を形成する撥水撥油層形成工程と、を含む方法により形成されている。例文帳に追加

The water-repellent/oil-repellent film is formed by a method including: a hydrophilic treatment step for forming a surface of the seal hydrophilic; a metal oxide layer forming step for forming the metal oxide layer on the surface; and a water-repellent/oil-repellent layer forming step for forming the water-repellent/oil-repellent layer on the metal oxide layer. - 特許庁

金属板１に陽極酸化皮膜２を形成する陽極酸化工程と、該陽極酸化皮膜２上に金属アルコキシド重合層３を形成する重合層形成工程と、金属アルコキシド重合層３上に金属層４を形成させる金属層形成工程とを備えている。例文帳に追加

This manufacturing method of the metal core board comprises an anodic oxidation step for forming an anodic oxide film 2 on a metal plate 1, a polymerization forming step for forming a metal alkoxide polymerization layer 3 on the anodic oxide film 2, and a metal layer forming step for forming a metal layer 4 on the metal alkoxide polymerization layer 3. - 特許庁

本発明は、焼結鉄で形成した摺動部材（８）の表面に酸化被膜層１４を形成し、さらに酸化被膜層１４の表面に中間層１５を形成して酸化物層１４Ａを形成させ、中間層１５の上に硬質炭素被膜層１６を形成したのである。例文帳に追加

In this invention, an oxide film layer 14 is formed on a surface of the slide member 8 formed by sintered iron, an oxide layer 14A is formed by forming a middle layer 15 on a surface of the oxide film layer 14 and a hard carbon film layer 16 is formed on the middle layer 15. - 特許庁

還元作用で形成される半導体素子部と酸化雰囲気で形成される強誘電体キャパシタの間に形成される酸化防止膜を、Ｐｂが通過できるような組成により形成する。例文帳に追加

An anti-oxidizing film, which is formed between a semiconductor element part formed by a reduction action and a ferroelectric capacitor formed in an oxide atmosphere, is formed with a composition allowing the passage of Pb. - 特許庁

ソース／ドレイン領域６形成後のシリコン基板１に保護膜用の酸化シリコン膜７を形成した後、チタン膜８を形成する部分の上から酸化シリコン膜７を除去して保護膜７２を形成する。例文帳に追加

After a silicon oxide film 7 for protection is formed on a silicon substrate 1 after the source/drain region 6 is formed, the silicon oxide film 7 is removed from above a part forming a titanium film 8 to form a protection film 72. - 特許庁

被形成面を酸素プラズマに曝して該被形成面の表面を清浄にし、前記酸素プラズマに曝された被形成面上に絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The surface of a side, on which an insulating film is formed, is exposed to an oxygen plasma for cleaning, and then an insulating film is formed on the surface exposed to the oxygen plasma. - 特許庁

反対側の端面には、Ｓｉ膜を１nm程度を形成し、Ｓｉ膜の表面を酸化して薄いＳｉＯ_x膜を形成し、その上にλ/４酸化物の積層構造を形成して高反射膜を形成する。例文帳に追加

Contrarily, on the other at a opposite side, an approximately 1 nm Si film (14a) is formed, the surface of the Si film (14a) is oxidized for forming a thin SiO_x film (14b), and the lamination structure of a λ/4 oxide is formed on the SiO_x film for forming a high reflection film. - 特許庁

次に、窒化シリコン膜５１をマスクとして不活性領域３に凹部１６を形成し、内壁酸化膜７を形成した後、酸化シリコンからなる埋め込み絶縁層８を形成し、ＳＴＩ素子分離構造９を形成する。例文帳に追加

Next, after an internal wall oxide film 7 is formed by forming a recess 16 in the inactive region 3 using a silicon nitride film 51 as a mask, an embedded insulating layer 8 formed of silicon oxide is formed in order to form an STI element isolating structure 9. - 特許庁

酸露点腐食環境において電極面１１の間に結露水の液絡を形成する液絡形成部１６が構成されており、この液絡形成部１６には結露水の液絡形成を促進する構造が形成されている。例文帳に追加

A liquid junction forming part 16 for forming the liquid junction of dew condensation water between the electrode surfaces 11 is constituted in the acid dew point corrosion environment and a structure for accelerating the formation of the liquid junction of dew condensation water is formed to the liquid junction forming part 16. - 特許庁

ＩＴＯ膜形成用酸化錫−酸化インジウム粉末及びＩＴＯ膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加

TIN OXIDE-INDIUM OXIDE POWDER FOR FORMING ITO FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING ITO FILM - 特許庁

ハフニウム酸化膜形成用前駆体、ハフニウム酸化膜の形成方法、キャパシタ構造体、トランジスタ構造体及び電子素子例文帳に追加

PRECURSOR FOR FORMING HAFNIUM OXIDE FILM, METHOD FOR FORMING HAFNIUM OXIDE FILM, CAPACITOR STRUCTURE, TRANSISTOR STRUCTURE, AND ELECTRONIC ELEMENT - 特許庁

基板の主面上に形成した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A base insulating film including hafnium and oxygen is formed on a silicon oxide (SiO_2) film formed on a main surface of a substrate. - 特許庁

トレンチ４の内壁面には酸化膜６が形成されるとともに、酸化膜６の外周側にバナジウムイオン拡散領域７が形成されている。例文帳に追加

Oxide films 6 are formed on the inner walls of the trenches 4 and vanadium ion diffusion regions 7 are formed on the periphery of the oxide films 6. - 特許庁

オルト珪酸と水素結合を形成することにより安定剤として作用するポリペプチドとオルト珪酸との複合体を形成させる。例文帳に追加

The complex is formed between a polypeptide capable of acting as a stabilizing agent by forming hydrogen bond with the orthocilicic acid and the orthocilicic acid. - 特許庁

基材上に亜酸化タングステン膜を形成し、その亜酸化タングステン膜上に金属膜を形成する。例文帳に追加

A tungsten suboxide film is formed on a substrate, and a metal film is formed on the tungsten suboxide film. - 特許庁

半導体基板１１上にシリコン酸化膜１２が形成され、このシリコン酸化膜１２上にシリコン窒化膜１３が形成される。例文帳に追加

A silicon oxide film 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a silicon nitride film 13 is formed on the silicon oxide film 12. - 特許庁

半導体ウェハ選択的に窒化膜９を形成した後、熱酸化により熱酸化膜１２を形成し、窒化膜９を除去する。例文帳に追加

After a nitride film 9 is selectively formed on a semiconductor wafer, a thermal oxide film 12 is formed by thermal oxidation, and then the nitride film 9 is removed. - 特許庁

半導体基板１１上に、絶縁膜１２、シリコン窒化酸化膜１３、シリコン酸化膜１４を形成し、配線溝１５を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 11, an insulation film 12, a silicon nitride/oxide film and a silicon oxide film 14 are formed and wiring grooves 15 are formed. - 特許庁

層間絶縁膜４上に、酸化バナジウム膜を形成し、その上に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をこの順に形成する。例文帳に追加

A vanadium oxide film is formed on an interlayer insulation film 4, and a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on its top in this order. - 特許庁

リード線４８，４９の表面にはＮｉの酸化物で形成された酸化物膜５０が形成されている。例文帳に追加

An oxide film 50 formed by a Ni oxide is formed on the surfaces of the lead wires 48, 49. - 特許庁

高速過熱装置で蒸気酸化を用いて汚染のない均質な膜をウエハ基板上に安全に形成する酸化物形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide forming method which safely forms a contamination-free homogeneous film on a wafer substrate using vapor oxidation by a high speed heating device. - 特許庁

シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、このシリコン酸化膜２上に多結晶シリコン膜３を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, and a polycrystalline silicon film 3 is formed on the silicon oxide film 2. - 特許庁

その後、第１の酸化膜１０３を形成後、エミッタ形成領域の第１の酸化膜１０３を除去する。例文帳に追加

Thereafter, a first oxidation film 103 is formed, then the first oxidation film 3 of an emitter formation area is removed. - 特許庁

基板１１の表面に第１のゲート酸化膜１２を形成した後、第１の酸窒化処理を行い窒化層１３を形成する。例文帳に追加

After a first gate oxide film 12 is formed on the surface of a substrate 11, a first acid nitriding process is performed to form a nitride layer 13. - 特許庁

本発明に係る熱酸化膜の形成方法は、加熱した炉内でシリコン基板１の表面にトンネル酸化膜を形成するものである。例文帳に追加

In the method for forming a thermal oxidation film, a tunnel oxidation film is formed on a surface of a silicon substrate 1 within a heated furnace. - 特許庁

アルミニウム化合物膜（３）は、酸化物誘電体膜（４）の形成の間に第１電極（１）に酸素が拡散しないように形成されている。例文帳に追加

The aluminum compound film 3 is formed to avoid diffusing oxygen in the first electrode 1 during forming of the dielectric film 4. - 特許庁

シリコン基板１上に下地膜２としてのシリコン酸化膜が形成され、シリコン酸化膜２上にＬａアルミネイト３が形成されている。例文帳に追加

A silicon oxide film as a background film 2 is formed on a silicon substrate 1 and an La aluminate film 3 is formed on the silicon oxide film 2. - 特許庁

真空アーク蒸着源１３で形成されたナノサイズの微粒子は、酸素と反応して酸化物を形成する。例文帳に追加

The nano-sized fine particles formed in the vacuum arc vapor-deposition source 13 react with oxygen to form the oxide. - 特許庁

アルミニウム又は／及びアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の形成方法およびその方法により形成される陽極酸化皮膜例文帳に追加

METHOD FOR FORMING ANODIZED COATING OF ALUMINUM OR/AND ALUMINUM ALLOY, AND ANODIZED COATING FORMED BY THE METHOD - 特許庁

チタン酸化物含有導電性被膜形成液、該形成液製造方法及びチタン酸化物含有膜を備える構造体例文帳に追加

TITANIUM OXIDE-CONTAINING CONDUCTIVE FILM-FORMING LIQUID, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND STRUCTURE EQUIPPED WITH TITANIUM OXIDE-CONTAINING FILM - 特許庁

シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上にスパッタリング法により、バリアメタル層３を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, on which a barrier metal layer 3 is formed through a sputtering method. - 特許庁

次に，ゲート酸化膜２１を形成した後，そのゲート酸化膜２１上に多結晶のシリコン膜２２１Ｐを形成する（Ｄ）。例文帳に追加

Next, a gate oxide film 21 is formed and then a polycrystalline silicon film 221P is formed on the gate oxide film 21 (step D). - 特許庁

導電性が良好な金属酸化物膜およびこれを簡便な方法で形成できる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a metal oxide film with excellent conductivity and a forming method of a metal oxide film capable of easily forming the film. - 特許庁

層形成工程では、銅または銅合金からなる塊状体１５の表面に酸化防止剤を含む酸化防止層１５ａを形成する。例文帳に追加

In the layer forming step, an antioxidant layer 15a containing an antioxidant is formed on the surface of the massive object 15 composed of copper or copper alloy. - 特許庁

このポリシリコン１０３上にシリコン酸化膜１０４を形成し、また、ポリシリコン１０３の側面にシリコン酸化膜１０５を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film 104 is formed on the polysilicon 103, and silicon oxide films 105 are formed on the side faces of the polysilicon 103. - 特許庁

ウエハ上に有機系酸化膜形成ガスの存在下、エキシマ光により絶縁膜を形成するに際し酸素を含むガスを添加する。例文帳に追加

A gas containing oxygen in added, when forming an insulation film by excimer beams in the presence of an organic oxide film formation gas on a wafer. - 特許庁

シリコン基板１の素子分離領域に形成したトレンチ２の内壁を酸化して内壁酸化膜３を形成する。例文帳に追加

The internal wall oxide film 3 is formed by oxidizing the internal wall of the trench 2 formed in the element isolation region of a silicon substrate 1. - 特許庁

このトップ酸化シリコン膜１６ｃを形成するにあたり、まず、ＣＶＤ法によって、窒化シリコン膜１６ｂ上に酸化シリコン膜１６ｄを形成する。例文帳に追加

When forming the top oxide silicon film 16c, an oxide silicon film 16d is formed on a nitride silicon film 16b by a CVD method. - 特許庁