「COSI」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The bit line 16 is formed as a polysilicon layer 32 and a CoSi layer 34 laminated thereon while provided with a sidewall 36 made of another insulating film such as SiN on the side.例文帳に追加

ビッド線は、ポリシリコン層３２とポリシリコン層３２上に積層されたＣｏＳｉ層３４の積層構造として形成され、側面にＳｉＮ等の絶縁膜からなるサイドウォール３６を備えている。 - 特許庁

A chemical compound film 8 is composed of ErSi, PtSi and TiSi or NiSi films, for example, and a chemical compound film 9 is composed of NiSi and CoSi or TiSi films, for example.例文帳に追加

化合物膜８は、例えばＥｒＳｉ、ＰｔＳｉ、ＴｉＳｉ又はＮｉＳｉ膜等からなり、化合物膜９は、例えばＮｉＳｉ膜、ＣｏＳｉ膜又はＴｉＳｉ膜等からなる。 - 特許庁

A cobalt film and a titanium nitride film are formed on the semiconductor substrate to cover the gate electrode, and a CoSi layer is formed by reacting Co of the cobalt film with Si of the semiconductor region through a first anneal processing.例文帳に追加

半導体基板上にゲート電極を覆うようにコバルト膜および窒化チタン膜を形成し、第１のアニール処理を行ってコバルト膜のＣｏとゲート電極および半導体領域のＳｉとを反応させてＣｏＳｉ層を形成する。 - 特許庁

In the device where DRAMs are mixedly mounted, a gate electrode 2 at a logic section is set to a double structure of CoSi/D-α (D-Poly), and a gate electrode 3 at a DRAM section is set to a double structure of Wsi/D-α (D-P) having an SAC(self alignment contact) structure.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載デバイスにおいて、ロジック部のゲート電極２をＣｏＳｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にし、ＤＲＡＭ部のゲート電極３はＳＡＣ（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｃｏｎｔａｃｔ）構造を有したＷｓｉ／Ｄ−α（Ｄ−Ｐｏｌｙ）の二重構造にした。 - 特許庁

Preferably, the metal silicide film is any one kind of a WSi_x film, a TiSi_x film, an MoSi_x film, an NiSi_x film, a TaSi_x film, a CuSi_x film, and a CoSi_x film(where, x is an arbitrary number).例文帳に追加

前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉ_ｘ膜、ＴｉＳｉ_ｘ膜、ＭｏＳｉ_ｘ膜、ＮｉＳｉ_ｘ膜、ＴａＳｉ_ｘ膜、ＣｕＳｉ_ｘ膜、および、ＣｏＳｉ_ｘ膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか１種であることが好ましい。 - 特許庁

After a titanium film 12 is deposited on a semiconductor substrate 1, it is subjected to second short-time thermal treatment (RTA), titanium 12a is diffused in the crystal grain boundary of the first cobalt silicide film 10a, and a second cobalt silicide film 10b (mixture of Co_2Si, CoSi and Ti) is formed.例文帳に追加

その後、基板上にチタン膜１２を堆積した後、半導体基板１に第２の短時間熱処理（ＲＴＡ）を施して、第１のコバルトシリサイド膜１０ａの結晶粒界にチタン１２ａを拡散して、第２のコバルトシリサイド膜１０ｂ（Ｃｏ_2ＳｉとＣｏＳｉとＴｉの混合体）を形成する。 - 特許庁