| 意味 | 例文 (11件) |
FLOAT ZONEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCED BY FLOAT ZONE METHOD, AND SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板 - 特許庁
DOPED SEMICONDUCTOR WAFER OF FLOAT ZONE PULLED SEMICONDUCTOR MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
帯域引上した半導体材料からなるドープされた半導体ウェハ及びその製造方法 - 特許庁
In this ball tap device, a fixing zone 118 for fixing the float 28 and an unfixing zone 120 are provided in line in mutually different locations on an outer surface of a shaft portion 34 of a connecting arm for connecting the float 28 and a water supply valve together; and a large number of engaging protrusions 121 are vertically provided in the fixing zone 118.例文帳に追加
ボールタップ装置において、フロート２８と給水弁とを連繋する連繋アームの軸部３４の外面の互いに異なった個所にフロート２８固定のための固定ゾーン１１８と固定解除ゾーン１２０とを列状に設けて、固定ゾーン１１８に係合突部１２１を上下に多数設ける。 - 特許庁
To provide a liquid level detection device capable of detecting a liquid level highly accurately in the whole area of a float moving range by removing a dead zone of liquid level detection.例文帳に追加
液面検出の不感帯をなくしてフロート移動範囲の全域で高精度な液面検出が可能な液面検出装置を提供する。 - 特許庁
In a processing zone of polluted water, a pollution prevention membrane 3 is stretched with a float 2 provided on top of a suspension membrane 1 and microbubble and/or nano bubble is mixed into the polluted water near the connected pollution prevention membranes for processing.例文帳に追加
汚濁水の処理区域に垂下膜１の上部にフロート２を設けた汚濁防止膜３を展張し、かつ連設された汚濁防止膜近傍の汚濁水中にマイクロバブルおよび／またはナノバブルを混入して処理する。 - 特許庁
Consequently, a fuel level gage 1 capable of detecting the liquid level 11 highly accurately in the whole area of the float 8 moving range by removing the dead zone of the liquid level 11 detection can be achieved.例文帳に追加
したがって、液面１１検出の不感帯をなくしてフロート８移動範囲の全域で高精度な液面１１検出が可能な燃料レベルゲージ１を実現することができる。 - 特許庁
The silicon single crystal obtained by a float zone method has a diameter of at least 200 mm over a length of at least 200 mm and free from dislocations in the region of this length.例文帳に追加
単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、フロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶 - 特許庁
To provide an air-float polishing head capable of controlling an edge polishing shape which can efficiently control an edge shape of a wafer to be polished, wherein a diameter and a width of a rim ring are variable with a single polishing head and also an outermost ring serves as a zone ring for local pressurization.例文帳に追加
単一の研磨ヘッドでリムリングの径と幅を可変とし、また最外周部のリングは局所加圧を行うゾーンリングとして研磨対象ウェーハのエッジ形状を効率よくコントロール可能とするエッジ研磨形状コントロール可能エアフロート研磨ヘッドを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for measuring utilizing dilution of content of impurity in silicon by a float zone method for enabling measurement of the impurity in the silicon to be inspected using photoluminescence or FTIR or both of them.例文帳に追加
調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a high-quality P- or N-type silicon single crystal having a large diameter and resistivity as high as ≥1,000 Ω cm at a low cost in high yield by a FZ (float zone) method free from decrease in the resistivity in the production processes of a device.例文帳に追加
大口径で抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率のＰ型またはＮ型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないＦＺ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁
In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加
極めて低い電圧低下量Ｖ_CEONの非パンチスルートレンチＩＧＢＴデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ１２５中に、バッファー領域の一部を構成するＮ^−非エピタキシャルフロートゾーン１２６とその底部表面にＮ^＋バッファー層である追加の空乏ストップ層３０を設ける。 - 特許庁
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