「HARDMASK」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first ashable hardmask (AHM) layer 10 that is carbon-based is deposited on the substrate.例文帳に追加

炭素系の第１のアッシング可能ハードマスク（ＡＨＭ）層１０を基板上に成膜する。 - 特許庁

LITHOGRAPHIC ANTIREFLECTIVE HARDMASK COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME例文帳に追加

リソグラフィ用反射防止ハードマスク組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

In one integrated circuit manufacturing process, the fluoro-organosilicate layer is used as a hardmask.例文帳に追加

１つの集積回路製造工程で、上記フルオロ有機珪酸塩層はハードマスクとして用いられる。 - 特許庁

The hardmask is opened by plasma etching using an etching gas composed of H, N, and CO.例文帳に追加

ハードマスクは、Ｈ、Ｎ及びＣＯで構成されるエッチングガスを使用するプラズマエッチングにより開かれる。 - 特許庁

An S/D extension 36 is formed after narrowing a line width of the gate hardmask more than that of the gate electrode.例文帳に追加

ゲートハードマスクの線幅をゲート電極よりも狭くした後、Ｓ／Ｄエクステンション３６を形成する。 - 特許庁

A gate hardmask, the gate electrode 34 and a gate insulating film 33 are formed on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

半導体基板３２上にゲートハードマスク、ゲート電極３４及びゲート絶縁膜３３を形成する。 - 特許庁

A contact junction 38 is formed by using, as masks, the gate electrode and the insulating member, after removing the hardmask.例文帳に追加

ゲートハードマスクを除去した後、ゲート電極と絶縁部材をマスクにしてコンタクトジャンクション３８を形成する。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film has a stress of between about -600 MPa and 600 MPa and a hardness of at least about 12 Gpa.例文帳に追加

ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。 - 特許庁

The method comprises steps of: providing a material layer on a substrate; and forming an antireflective hardmask layer over the material layer.例文帳に追加

この方法は、基板上に材料層を設ける工程、前記材料層上に反射防止ハードマスク層を形成する工程を含む。 - 特許庁

HARDMASK COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM INCLUDING ORGANOSILANE POLYMER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

有機シラン系重合体を含むレジスト下層膜用ハードマスク組成物およびこれを用いた半導体集積回路デバイスの製造方法 - 特許庁

The method comprises steps of: providing a material layer on a substrate; and forming an antireflective hardmask layer over the material layer.例文帳に追加

本発明の方法は、基板上に材料層を設けるステップと、この材料層の上に反射防止ハードマスク層を形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method of making polysiloxane and polysilsesquioxane based hardmask films respond to radiations with a positive-tone, or negative-tone, or dual-tone.例文帳に追加

ポジ型或いはネガ型または２階調で照射に応答するポリシロキサンとポリシルセスキオキサン系のハードマスク膜を作製する方法の提供。 - 特許庁

To provide hardmask films having high hardness and low stress which can be used in back-end processing and front end processing schemes in integrated circuit fabrication.例文帳に追加

集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a semiconductor device including a post plasma clean process capable of sufficiently removing post etch residues associated with a hardmask.例文帳に追加

ハードマスクと関係するエッチ後残留物を充分に除去できるポストプラズマ洗浄プロセスを有する、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

Vertical alignment layers 6, 7 which are subjected to mask rubbing treatment in a prescribed direction by using a hardmask are disposed on the liquid crystal layer sides of a pair of substrates 1, 2.例文帳に追加

一対の基板１、２の液晶層側に、ハードマスクを用いて所定の方向にマスクラビング処理が施された垂直配向膜６、７が設けられている。 - 特許庁

To provide a hardmask composition for a resist underlayer film that has high etching selectivity, sufficient resistance to multiple etchings, and an antireflective property to minimize the reflectivity between the resist and a lower layer, and a method of patterning a backside material layer on a substrate using the hardmask composition.例文帳に追加

エッチング選択性が高く、 多重エッチングに対する耐性が十分であり、レジストと下部層間の反射性を最小化する反射防止能を有するレジスト下層膜用ハードマスク組成物を提供すること、および該ハードマスク組成物を用いて、基板上の裏面材料層をパターン化させる方法を提供すること。 - 特許庁

The antireflective hardmask layer comprises a fully condensed polyhedral oligosilsesquioxane, {RSiO_1.5}_n, wherein n equals 8; and at least one chromophore moiety and transparent moiety.例文帳に追加

この反射防止ハードマスク層は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、｛ＲＳｉＯ_１．５｝_ｎ（但し、ｎは８である）と、少なくとも１つの発色団部分および透明部分とを含む。 - 特許庁

The antireflective hardmask composition contains a carbosilane polymer backbone comprising at least one kind of chromophore moiety and at least one kind of transparent moiety and a crosslinking component.例文帳に追加

反射防止ハードマスク組成物は、少なくとも１種の発色団部分と少なくとも１種の透明部分を含むカルボシラン・ポリマー骨格、ならびに架橋成分を含む。 - 特許庁

The antireflective hardmask layer contains a carbosilane polymer backbone comprising at least one kind of chromophore moiety and at least one kind of transparent moiety and a crosslinking component.例文帳に追加

前記反射防止ハードマスク層は、少なくとも１種の発色団部分と少なくとも１種の透明部分を含むカルボシラン・ポリマー骨格、ならびに架橋成分を含む。 - 特許庁

To provide a method for etching features in an etch layer, and a conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer.例文帳に追加

エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film includes a high-hardness boron-containing film selected from the group consisting of Si_xB_yC_z, Si_xB_yN_z, Si_xB_yC_zN_w, B_xC_y and B_xN_y.例文帳に追加

ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device that comprises a step of implementing plasma-etching 250 through a patterned hardmask layer 210 located over a semiconductor substrate 225, and forming a modified layer 210a on the hardmask layer 210; and a step of removing at least a substantial portion of the modified layer 210a by performing a post plasma clean process on the modified layer 210a.例文帳に追加

半導体基板２２５の上に位置するパターニングされたハードマスク層２１０を通してプラズマエッチング２５０を行い、ハードマスク層２１０上に変性層２１０ａを形成する工程と、変性層２１０ａに対してポストプラズマ洗浄プロセスを行い変性層２１０ａの少なくとも実質的な部分を除去する工程とを備える、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film is prepared by depositing multiple sub-layers of doped or undoped silicon carbide using multiple densifying plasma post-treatments in a PECVD process chamber.例文帳に追加

ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。 - 特許庁

A method of opening a carbon-based hardmask layer 18 composed of amorphous carbon containing preferably at least 60% carbon and between 10-40% hydrogen, and lying on a dielectric layer 16.例文帳に追加

好ましくは少なくとも６０％の炭素及び１０から４０％の水素を含むアモルファス炭素で構成され且つ誘電体層１６の上に横たわる炭素系ハードマスク層（１８）を開く方法。 - 特許庁

To provide a composition and techniques for processing a semiconductor device, more particularly, to provide an antireflective hardmask composition in one aspect of the invention and to provide a method for processing a semiconductor device in another aspect.例文帳に追加

半導体デバイスを加工するための組成物および技術を提供すること、より詳細には、本発明の一態様で反射防止ハードマスク組成物を提供し、本発明の別の態様で半導体デバイスの加工方法を提供する。 - 特許庁

The conditioning comprises providing a fluorine-free deposition gas comprising a hydrocarbon gas, forming a plasma from the fluorine-free deposition gas, providing a bias less than 500 volts, and forming a deposition on top of the patterned pseudo-hardmask.例文帳に追加

コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、５００ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。 - 特許庁

The hardmask film includes: polysiloxane and/or polysilsesquioxane; a composition capable of catalyzing condensation reactions of polysiloxane and/or polysilsesquioxane; a catalyst which is easy to be deactivated by photo-generated acid; and a photoacid generator capable of producing acid upon exposure.例文帳に追加

ポリシロキサン及び／またはポリシルセスキオキサン、ポリシロキサン及び／またはポリシルセスキオキサンの縮合反応を触媒することが可能な化合物であり、光発生酸によって容易に失活する触媒、露光すると酸を生成することが可能な光酸発生剤と、を備えるハードマスク膜。 - 特許庁